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化学气相沉积法论文

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  • 基于三元金属催化剂制备碳纳米管/三维石墨烯复合材料及电容性能

    基于三元金属催化剂制备碳纳米管/三维石墨烯复合材料及电容性能

    论文摘要通过均匀沉淀法合成Ni-Mg-Al三元金属氧化物(TMO),再通过一步化学气相沉积法(CVD)以CH4为碳源、Ar为保护性气体,在原位还原的Ni上生长碳纳米管(CNTs...
  • 沉积温度对ZnS材料结构和红外光学性能的影响

    沉积温度对ZnS材料结构和红外光学性能的影响

    论文摘要采用化学气相沉积(CVD)法成功制备了红外材料硫化锌(ZnS),利用X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和傅里叶红外光谱仪(F...
  • 不同浓度碳纳米管/聚乙烯醇薄膜的机械性能的研究

    不同浓度碳纳米管/聚乙烯醇薄膜的机械性能的研究

    论文摘要基于化学气相沉积法制备碳纳米管(CNTs),利用浸入滚动法制备CNTs/聚乙烯醇(PVA)复合薄膜。研究不同浓度的PVA对CNTs/PVA复合薄膜机械性能的影响。实验表...
  • 化学气相沉积(CVD)工艺对ZnS力学性能影响的研究

    化学气相沉积(CVD)工艺对ZnS力学性能影响的研究

    论文摘要介绍了化学气相沉积法(CVD)制备ZnS过程中,CVD工艺对材料相关力学性能的影响和控制方法。通过X射线衍射分析、扫描电镜和金相显微镜等手段研究了不同工艺下制备的ZnS...
  • SiO2基底Nb原位掺杂MoS2纳米薄膜的制备及场效应

    SiO2基底Nb原位掺杂MoS2纳米薄膜的制备及场效应

    论文摘要以氧化钼(MoO3)、硫(S)和氯化铌(NbCl5)作为前驱体,利用一锅两步化学气相沉积法,在SiO2基底上大面积地生长连续性好、均匀负载的Nb-MoS2薄膜结构。通过...
  • CVD法制备单晶金刚石的现状及研究进展

    CVD法制备单晶金刚石的现状及研究进展

    论文摘要单晶金刚石因其独特结构而具有优异的物理化学性能,在许多科学技术领域具有潜在的重要应用价值,被广泛应用于工业、科技、国防、医疗卫生等众多领域。用化学气相沉积法实现高沉积速...
  • 浅谈石墨烯的制备及应用

    浅谈石墨烯的制备及应用

    论文摘要石墨烯被称为未来之材料。本文从石墨烯的结构特性与性能为切入点,分别介绍了机械剥离法、化学气相沉积法、外延生长法、氧化还原法制备石墨烯最新研究进展,及其在复合材料、储能应...
  • 光子晶体光纤孔内直接生长石墨烯关键技术研究

    光子晶体光纤孔内直接生长石墨烯关键技术研究

    论文摘要石墨烯作为一种独特的零带隙能带结构材料,具有许多优异的电学、光学特性,被广泛应用于光电器件的研究之中。然而,目前普遍需要通过转移的方法将石墨烯从衬底转移至目标衬底,这大...
  • 基于温度控制的MoS2薄膜制备的探究

    基于温度控制的MoS2薄膜制备的探究

    论文摘要采用化学气相沉积法(CVD)制备高质量的纳米二硫化钼薄膜,并对纳米二硫化钼薄膜在形貌和尺寸调控方面开展了探究工作。实验研究表明:CVD制备的反应温度是影响二硫化钼合成的...
  • 化学气相沉积法较低温度下制备层状硫化钼薄膜的研究

    化学气相沉积法较低温度下制备层状硫化钼薄膜的研究

    论文摘要二硫化钼具有类似石墨烯的层状结构,是一种被广泛研究的过渡金属硫族化合物。层状二硫化钼是一种具有较高带隙的半导体,其具有好的光致发光特性以及光电子学特性,在晶体管、光伏、...
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