基于三元金属催化剂制备碳纳米管/三维石墨烯复合材料及电容性能

论文摘要

通过均匀沉淀法合成Ni-Mg-Al三元金属氧化物（TMO）,再通过一步化学气相沉积法（CVD）以CH4为碳源、Ar为保护性气体,在原位还原的Ni上生长碳纳米管（CNTs）,在Mg和Al的金属氧化物上生长石墨烯（GR）,利用水热法刻蚀掉TMO,制备CNTs/三维石墨烯（3DGR）复合材料。基于CNTs与GR两种组分生长动力学的差异,通过控制Ni、Mg和Al三种金属离子的摩尔比、生长温度、生长时间,调控和优化CNTs/3DGR复合材料的结构及电容性能。借助TEM、SEM、EDS、Raman和XRD对CNTs/3DGR复合材料的结构、形貌、组分进行表征。结果表明,CNTs与GR协同作用为CNTs/3DGR复合材料提供了更多电子运输通道,可大幅提高导电性能,实现电容性能的提升,CNTs/3DGR复合材料的比电容最高可达20F/g。

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类型: 期刊论文

作者: 张宁,金燕,周玲玲,胡宝山

关键词: 三元金属氧化物,化学气相沉积法,碳纳米管,石墨烯,复合材料,电容性能

来源: 复合材料学报 2019年03期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,电力工业

单位: 重庆大学化学化工学院

基金: 国家自然科学基金(51502026),中央高校基金(106112017CDJXY22004,106112017CDJPT220001),重庆市研究生科研创新项目(CYS18034)

分类号: TB332;TM53

DOI: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20180821.005

页码: 739-747

总页数: 9

文件大小: 612K

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