碳化硅论文

论文摘要碳化硅(SiC)功率模块在开关时电压、电流变化率高,测试系统的寄生电感容易引起电压、电流振荡,使得开关特性的准确测试成为难题。这里通过研制低寄生电感的开关特性测试平台,...

论文摘要新一代航天器需要使用耐高压、功率损耗低的第3代半导体SiC器件,为了给器件选用和抗辐射设计提供依据,以SiCMOSFET和SiC二极管为对象,进行单粒子效应敏感性分析。...

论文摘要随着经济的发展,科学技术不断进步,我国电力系统发展迅速,在此过程中新的电力电子器件不断出现,电力电子器件的性能也不断提高,有利于电力系统的稳定性,提高效益。碳化硅是宽禁...

论文摘要DC/DC变换器在纯电动汽车复合储能系统中起着关键的作用,传统的DC/DC变换器已无法满足要求,采用碳化硅(SiC)的新型变换器具有损耗小,开关速度快等优势,能够很好地...

论文摘要针对三相交错并联LLC谐振变换器的负载工况,提出一种基于负载匹配的变模式控制策略。当工作在额定负载时,采用脉冲频率调制(PFM)控制方法使其发挥最大效率;当工作在轻载时...

论文摘要随着电力电子新器件制造技术的发展,基于碳化硅(siliconcarbide,SiC)器件的三相电压源逆变器(voltagesourceinverters,VSIs)正在...

论文摘要SiIGBT与SiCMOSFET并联组成的Si/SiC混合器件(HyS)因在功率变换器中提供了一种成本与性能的优化折衷而受到广泛关注。其中,SiCMOSFET特性直接影...

论文摘要通过单因素试验对锌酸盐体系Zn-纳米SiC复合电沉积的工艺条件进行优化,得到最优配方和工艺条件为:氧化锌30g/L,氢氧化钠180g/L,硫脲4g/L,香草醛2.8g/...

论文摘要通过二次水热法合成SiC/Fe3O4/氧化还原石墨烯（SiC/Fe3O4/rGO）复合材料。借助SEM、XRD、XPS、VSM和VNA对材料的形貌、物相、成分、磁性及吸...

论文摘要为探究FexOy的存在对以切割废料为原料制备SiC粉体的影响,分别采用未除铁及除铁后切割废料制备碳化硅。研究结果表明:采用未除铁切割废料为原料时,冶炼时会生成少量的Fe...

论文摘要把碳化硅砂当做是主要的原料,然后采用各种不同的粘合剂所生产出来的耐火材料就是碳化硅制品。碳化硅制品具有很好的导热性能,甚至可以是粘土制品的十四倍左右。另外它的热稳定性较...

论文摘要SiC@SiO2纳米电缆作为一种新型的功能性纳米复合材料,以其优异的性能和广泛的应用前景受到了广泛关注。因此,开发一种有效、经济、方便,SiC@SiO2纳米电缆的制备方...

论文摘要采用原位生成钡长石为烧结助剂,研究BAS/SiC复相陶瓷的低温无压液相烧结工艺,制备高致密度的陶瓷材料。通过XRD、SEM及力学试验机等研究烧结温度、BAS含量对复相碳...

论文摘要采用双螺杆挤出、模压成型的方法以聚醚醚酮（PEEK）为基体,零维粒状碳化硅（SiC）和二维片状氮化硼（BN）为导热填料制备了导热PEEK/SiC-BN复合材料,研究了S...

论文摘要采用真空热压法制备了体积分数为20%的界面非晶相SiO2–B2O3–Na2O的SiC/Cu[V(SiC):V(Cu)=35:65]复合材料。烧结温度为650、700、7...

论文摘要以碳化硼为基体,碳化硅为增强相,氧化铝和氧化钇为烧结助剂,在常压条件下通过液相烧结工艺制备了B4C-SiC复合材料。测试了其力学性能,并借助SEM对烧结体进行断口形貌观...

论文摘要碳/碳(C/C)复合材料广泛应用于高超声速飞行器,其表面有碳化硅(SiC)基的保护涂层,旨在将氧气与底层基体C/C隔离。涂层中存在的孔隙成为氧气直达底层C/C材料的通道...

论文摘要本研究探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片表面堆垛层错（SF）的形貌特征和起因。依据表面缺陷检测设备KLA-TencorCS920的光致发光（PL）通道和形貌通道的特点...

论文摘要基于碳化硅的原料特点,分析了反应烧结、热压烧结、无压烧结、热等静压烧结碳化硅陶瓷的工艺特点和物性参数,介绍了碳化硅材料在有色冶金领域的传统应用及新应用情况。论文目录文章...

论文摘要陶瓷行业的快速发展带来了陶瓷废料污染问题。对如何合理综合利用陶瓷废料,很多人做了大量的研究。本文通过总结,得出一些有用的结论:(1)虽然抛光废渣的成分波动比较大,但只要...