导读:本文包含了欧姆接触论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:合金,晶体管,低温,电阻,半导体,表面,电阻率。
欧姆接触论文文献综述
王尘,许怡红,李成,林海军,赵铭杰[1]（2019）在《基于两步退火法提升Al/n~+Ge欧姆接触及Ge n~+/p结二极管性能》一文中研究指出锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n~+Ge的欧姆接触以及Ge n~+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n~+Ge的欧姆接触以及Ge n~+/p结二极管的性能,测试结果表明:低温预退火可初步修复注入损伤,并降低激光退火时杂质的扩散深度;结合离子注入工艺和两步退火工艺,Al/n~+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61×10~(-6)Ω·cm~2,Ge n~+/p结二极管在±1V的整流比提高到8.35×10~6,欧姆接触及二极管性能均得到了显着提升.(本文来源于《物理学报》期刊2019年17期）
杨凯,刁华彬,赵超,罗军[2]（2019）在《β-Ga_2O_3欧姆接触的研究进展》一文中研究指出近年来,随着氧化镓(Ga_2O_3)晶体生长技术取得突破性进展,氧化镓材料及器件的研究与应用成为国际上超宽禁带半导体领域的研究热点。综述了β-Ga_2O_3衬底的一些优点以及面临的挑战,重点介绍了如何实现良好的欧姆接触。围绕采用低功函数金属、表面预处理、衬底掺杂和引入中间层的方法,阐述了目前国际上金属/β-Ga_2O_3欧姆接触的最新研究进展。总结了不同实验条件下可以获得的比接触电阻,目前可以获得的最低比接触电阻是4.6×10~(-6)Ω·cm~2。最后,预测未来金属/β-Ga_2O_3欧姆接触的主要研究方向是提高欧姆接触的热稳定性。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2019年09期）
黄玲琴,夏马力,谷晓钢[3]（2019）在《p型SiC欧姆接触理论及研究进展》一文中研究指出碳化硅(SiC)具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异特性,是制备高温、高频、大功率器件最理想的半导体材料之一。然而,制备良好的SiC欧姆接触尤其是p型SiC欧姆接触仍然是SiC器件研制中亟需攻克的关键技术难题。首先对p型SiC欧姆接触的形成机制及金属/SiC接触势垒理论进行了深入分析。然后,对近年来p型SiC欧姆接触的重要研究进展进行了综述,包括形成欧姆接触的金属体系,制备工艺条件,获得的比接触电阻率等,并重点讨论了p型SiC欧姆接触的形成机理。最后,对未来p型SiC欧姆接触的研究方向进行了展望。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年06期）
赵世彬[4]（2019）在《P型GaP欧姆接触性质研究》一文中研究指出以GaN、GaP、GaAs等为代表的化合物半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高、漂移速度大、本征电阻率大等优点,在军事雷达、航空航天、光纤通讯、照明显示等领域应用广泛。在实际的半导体器件制作过程中,除了半导体材料本身外,常常需要在半导体的P端和N端制作合适的金属电极来传递电流信号,因此如何获得性质稳定,电阻率小的接触电极是制约半导体器件性能的因素之一。过去对GaN、GaAs等半导体的欧姆接触进行了广泛的研究,目前使用的反极性红光系列LED的P型GaP的接触电极及反射金属普遍采用金铍(AuBe)合金,AuBe不但价格昂贵,而且Be是剧毒元素,环境不友好,为了解决目前反极性红光LED存在的上述问题,本文主要研究成本、环境友好性、反射率比AuBe有优势的Ag、Cu与P型GaP如何形成欧姆接触及形成机理,主要的工作和结果如下:1、介绍了半导体材料与金属形成欧姆接触的理论机制,分析了常见的测量比接触电阻率的模型的优缺点,并据此确定了适合本实验的测量比接触电阻率的模型。2、参照主流的金属电极制作工艺,在P型磷化镓表面制作了Ag、Ni/Ag、Cu、Ni/Cu、Au、Ni/Au电极,通过退火工艺来得到良好的欧姆接触,研究了退火温度和退火时间、金属镍、半导体表面态(材料前处理)等因素对比接触电阻率的影响,得到了环境友好,比接触电阻率低,电性能优于传统AuBe电极的镍银电极。3、利用SIMS、XPS、SEM、AES等测量仪器对部分退火前后的接触电极和半导体材料的物化性质进行了表征,对GaP退火形成欧姆接触的机制和退火前后比接触电阻率的变化规律进行了解释。(本文来源于《闽南师范大学》期刊2019-06-01）
[5]（2019）在《一种新型大直径半导体芯片与钼片键合式欧姆接触加工方法》一文中研究指出专利申请号:CN201510597500. 2公开号:CN105304511A申请日:2015. 09. 18公开日:2016. 02. 03申请人:西安派瑞功率半导体变流技术有限公司本发明提供了一种新型大直径半导体芯片与钼片键合式欧姆接触技术加工方法,包括半导体芯片、钼片、半导体芯片与钼片之间的接触层分别有AL电极层、Ti/Pt/Au金属过渡层、Ag层焊料层,本发明引入多层金属过渡层和焊料层,通过金属原子微扩(本文来源于《中国钼业》期刊2019年02期）
张静,吕红亮,倪海桥,牛智川,张义门[6]（2018）在《InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触（英文）》一文中研究指出为了得到较低的接触电阻,研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275℃和20s时,InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128Ω·mm.TEM观察发现经过快速热退火后Pd已经扩散到半导体中有利于高质量欧姆接触的形成.研究表明经过Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触后Rc有明显减小,适用于InAs/AlSb异质结的应用.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2018年06期）
李祈昕,周泉斌,刘晓艺,王洪[7]（2018）在《GaN基低温无金欧姆接触电极制备及应用》一文中研究指出制备了一种与Si-CMOS工艺线兼容的AlGaN/GaN HEMTs低温无金欧姆接触电极,分析了欧姆前刻槽深度和退火合金条件对Si基AlGaN/GaN异质结无金欧姆接触特性的影响。系统研究了具有不同欧姆前刻槽深度、不同退火条件的AlGaN/GaN异质结的Ti/Al/Ti/TiW无金电极的电流-电压特性、接触电阻率以及电极表面形貌。并利用低温退火的Ti/Al/Ti/TiW无金工艺制备了AlGaN/GaN异质结MISHEMT器件。实验结果表明,采用该无金工艺可得到比接触电阻率为5.44×10-5Ω·cm2、表面形态平整的欧姆接触电极,所制备的AlGaN/GaN异质结MISHEMT器件,在VGS=0V时的源漏饱和电流(IDSS)为345.7mA/mm,对未掺杂AlGaN/GaN HEMTs器件的低温无金欧姆接触的实现具有指导意义。(本文来源于《光学与光电技术》期刊2018年06期）
阳岸恒,裴洪营,邓志明,朱勇,张济祥[8]（2018）在《Ni含量对Au-12Ge合金组织及欧姆接触性能的影响》一文中研究指出研究了Ni含量对Au-12Ge共晶合金组织、欧姆接触性能的影响。结果发现,随着Ni含量增加,合金偏析加剧,最低接触电阻值先减小后增加,对应的欧姆接触热稳定性先变好后变差,Au-12Ge-3Ni/Au在425℃×1min的退火处理后接触电阻率最佳,为5.04×10~(-6)Ω·cm~2,对应的Au-12Ge-3Ni/Au系统稳定性最佳。(本文来源于《特种铸造及有色合金》期刊2018年11期）
林立娜,梁庭,赵丹,杨娇燕,李奇思[9]（2018）在《退火参数对p-Si与Ti/Pt/Au欧姆接触的影响》一文中研究指出针对SOI(Silicon on Insulator,绝缘体上的硅)高温压力传感器,在真空环境下使用退火的热处理方法,减小了p-Si与Ti/Pt/Au的接触电阻,得到了合适的电阻值和小的比接触电阻率。通过单一因素控制法研究了退火时间和退火温度两个关键因素对样品电阻值和接触表面形貌的影响。采用半导体分析仪、扫描电镜(SEM)和高低温探针台等测试设备以及传输线模型测试方法对样品的欧姆接触性能进行分析,得出了不同温度和时间与欧姆接触的关系。实验结果表明:样品在退火条件为570℃,80 min时电阻的I-V(伏安特性)曲线呈线性,阻值符合设计值,比接触电阻率小,在0～400℃测试环境下电阻值比较稳定。(本文来源于《传感技术学报》期刊2018年10期）
蒲晓庆,吴静,郭强,蔡建臻[10]（2018）在《石墨烯与金属的欧姆接触理论研究》一文中研究指出石墨烯材料应用于多种电子器件时不可避免地要与金属电极接触,它们之间的接触电阻直接影响了器件的性能.为了揭示影响金属电极与石墨烯间接触电阻的因素,提出有效地抑制这些影响的措施,本文建立了一种求解接触电阻的物理模型,将载流子的输运分为金属与正下方石墨烯之间、正下方石墨烯与邻近石墨烯之间的两个过程,分别研究各个过程的输运概率;结合金属电极与石墨烯接触对载流子分布的影响分析接触电阻,据此分别探讨了金属电极材料、栅极电压、掺杂浓度、金属与石墨烯原子距离等对接触电阻的影响.为验证理论分析结果的正确性,制作了金与石墨烯接触的实验样品,实验测得的接触电阻与理论分析结果符合.理论分析结果表明,可通过选择与石墨烯功函数接近的金属材料,降低二氧化硅层厚度,增加载流子平均自由程,改进金属材料的表面形态使其更光滑,减小金属与石墨烯耦合长度等方法降低石墨烯与金属电极的接触电阻.(本文来源于《物理学报》期刊2018年21期）
欧姆接触论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近年来,随着氧化镓(Ga_2O_3)晶体生长技术取得突破性进展,氧化镓材料及器件的研究与应用成为国际上超宽禁带半导体领域的研究热点。综述了β-Ga_2O_3衬底的一些优点以及面临的挑战,重点介绍了如何实现良好的欧姆接触。围绕采用低功函数金属、表面预处理、衬底掺杂和引入中间层的方法,阐述了目前国际上金属/β-Ga_2O_3欧姆接触的最新研究进展。总结了不同实验条件下可以获得的比接触电阻,目前可以获得的最低比接触电阻是4.6×10~(-6)Ω·cm~2。最后,预测未来金属/β-Ga_2O_3欧姆接触的主要研究方向是提高欧姆接触的热稳定性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
欧姆接触论文参考文献
[1].王尘,许怡红,李成,林海军,赵铭杰.基于两步退火法提升Al/n~+Ge欧姆接触及Gen~+/p结二极管性能[J].物理学报.2019
[2].杨凯,刁华彬,赵超,罗军.β-Ga_2O_3欧姆接触的研究进展[J].微纳电子技术.2019
[3].黄玲琴,夏马力,谷晓钢.p型SiC欧姆接触理论及研究进展[J].半导体技术.2019
[4].赵世彬.P型GaP欧姆接触性质研究[D].闽南师范大学.2019
[5]..一种新型大直径半导体芯片与钼片键合式欧姆接触加工方法[J].中国钼业.2019
[6].张静,吕红亮,倪海桥,牛智川,张义门.InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触（英文）[J].红外与毫米波学报.2018
[7].李祈昕,周泉斌,刘晓艺,王洪.GaN基低温无金欧姆接触电极制备及应用[J].光学与光电技术.2018
[8].阳岸恒,裴洪营,邓志明,朱勇,张济祥.Ni含量对Au-12Ge合金组织及欧姆接触性能的影响[J].特种铸造及有色合金.2018
[9].林立娜,梁庭,赵丹,杨娇燕,李奇思.退火参数对p-Si与Ti/Pt/Au欧姆接触的影响[J].传感技术学报.2018
[10].蒲晓庆,吴静,郭强,蔡建臻.石墨烯与金属的欧姆接触理论研究[J].物理学报.2018
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