导读:本文包含了多层膜的效应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:Co,Ni多层膜,反常霍尔效应,霍尔电阻,垂直各向异性
多层膜的效应论文文献综述
向萍萍,王伟,程鹏,李宝河,崔派[1]（2016）在《Bi/Pt底层对Co/Ni多层膜反常霍尔效应的影响》一文中研究指出采用直流磁控溅射法在玻璃基片上制备了一系列分别以Pt和Bi/Pt为底层的Co/Ni多层膜样品。通过研究Bi的厚度、周期层数、周期层中的Co和Ni的厚度以及退火温度对样品反常霍尔效应的影响,最终获得了霍尔效应最强、良好的霍尔曲线矩形度,同时具有良好的垂直各向异性的最佳样品Bi(1nm)/Pt(5nm)/[Co(0.3nm)Ni(0.5nm)]1/Co(0.3nm)/Pt(1nm)。实验表明,退火处理有利于增强反常霍尔效应。(本文来源于《磁性材料及器件》期刊2016年02期）
俱海浪,李宝河,刘帅,于广华[2]（2015）在《Ta/Pt双底层Co/Ni多层膜的反常霍尔效应》一文中研究指出通过JGP560A型磁控溅射仪制备了一系列以Ta/Pt为底层的Co/Ni多层膜样品,研究了多层膜中Pt缓冲层厚度、周期层中Co与Ni厚度以及多层膜周期数对样品反常霍尔效应和磁性的影响。结果发现:逐渐增厚的Pt层可以使样品的矫顽力增加,但是分流作用会导致样品的霍尔电阻降低,通过比较确定Pt缓冲层的厚度为2nm;磁性层中Co和Ni都处于一定厚度范围内时,多层膜的霍尔回线才能具有良好的矩形度,当厚度超出其特定范围时,多层膜的矩形度会变差,经过分析确定磁性层中Co和Ni的厚度为均0.4nm;磁性层的周期数对样品的性能也有着显着的影响,最终通过对周期数优化获得的最佳样品结构为Ta(2nm)Pt(2nm)Co(0.4nm)Ni(0.4nm)Co(0.4nm)Pt(1nm),该样品的霍尔回线矩形度非常好,霍尔信号明显,该样品总厚度在7nm以内,可进一步研究其在垂直磁纳米结构中的应用。(本文来源于《材料工程》期刊2015年11期）
张咪,王海[3]（2015）在《NiFe/Cu多层膜的结构与层间耦合效应》一文中研究指出用直流磁控溅射方法在玻璃基片上制备了[Ni_(80)Fe_(20)/Cu]_(20)多层膜,其中采用了靶表磁场强度不同的靶腔沉积铜层,利用X射线衍射和振动样品磁强计对Cu(100nm)/[Ni_(80)Fe_(20)(0.9nm)/Cu(tCu)]_(20)两个系列样品的结构和磁性进行了表征。靶表磁场较弱时沉积的多层膜具有良好的层间耦合振荡行为,而靶表磁场较强时制备的多层膜没有出现反铁磁耦合。依据上述事实,我们推测靶表磁场强度的不同会影响Ni Fe/Cu界面扩散,进而对多层膜样品的磁性产生影响。用靶表磁场较弱的靶腔沉积中间层铜能够有效减小界面互溶程度,改善镍铁与铜的成层质量。而靶表磁场较强的靶腔溅射出的铜原子具有较高能量,在界面处扩散并与镍铁层互溶,破坏了层状结构。(本文来源于《磁性材料及器件》期刊2015年05期）
韩灵生,赵之铎,周丽娟,赵崇军,李明华[4]（2016）在《退火对MgO/NiFe/MgO多层膜平面霍尔效应的影响》一文中研究指出采用磁控溅射的方法制备了结构为Ta(5 nm)/Mg O(6 nm)/Ni Fe(t_(NiFe))/Mg O(4 nm)/Ta(3 nm)的磁性多层膜,Ni Fe的厚度t_(NiFe)从5 nm增加到100 nm,之后在真空退火炉中经过400℃,1 h的退火处理并且进行随炉冷却,整个过程中沿着薄膜易轴方向施加大约4378 A·m-1的磁场。采用四探针的方法来测量平面霍尔电压(PHE)和相对电阻变化率,通过X射线衍射(XRD)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)来分析多层膜退火前后的微结构变化。研究结果表明:对于制备态和退火态的Ta/Mg O/Ni Fe/Mg O/Ta纳米磁性多层膜结构,当t_(NiFe)<40 nm时,霍尔输出电压骤减,随着t_(NiFe)的继续增加,霍尔电压基本保持不变。然而,所有的制备态同一厚度的样品经过退火处理之后,霍尔电压都有一定程度的提高,当t_(NiFe)=5 nm时,平面霍尔输出电压增加最大。随着Ni Fe厚度的继续增加,退火处理所导致的输出电压的提高幅度逐渐减小,当t_(NiFe)=100 nm时,霍尔电压退火之后几乎保持不变。不同Ni Fe厚度的样品,霍尔电压经退火处理后之所以提高幅度不同,主要与两个因素有关,一是Mg O/Ni Fe异质界面会增强电子自旋相关散射提高PHE输出电压,二是Ni Fe层因分流也会导致PHE输出电压下降。(本文来源于《稀有金属》期刊2016年06期）
俱海浪,李宝河,陈晓白,刘帅,于广华[5]（2016）在《不同底层对Co/Pt多层膜反常霍尔效应影响的研究》一文中研究指出采用直流磁控溅射法在玻璃基片上制备了Au,Cu,Pt和Ta底层的Co/Pt多层膜样品,对周期层中Co和Pt进行了调制,获得了各底层的最佳多层膜结构,研究了各底层对Co/Pt多层膜的反常霍尔效应的影响。经研究发现,当底层厚度均为3 nm、周期层中Pt厚度为1.5 nm,多层膜中Co层的厚度均为0.4 nm时,样品霍尔回线的矩形度最好,对应样品具有更好的垂直磁各向异性(PMA)。在相同厚度条件下,Au和Cu作为Co/Pt多层膜的底层在保持样品的垂直磁各向异性方面的作用远不如Pt和Ta底层,而且样品的霍尔电阻比Pt和Ta做底层时要小很多。在研究的4种不同金属底层多层膜中,Pt底层可以使多层膜周期层以更薄的Pt厚度获得垂直磁各向异性,从而使得Co/Pt多层膜的磁矩垂直于膜面,但由于Pt层对样品的分流作用过大,导致样品的霍尔电阻有所降低;而Ta作为底层的Co/Pt多层膜既可以周期层以较薄的Pt保持样品的垂直磁各向异性,又可使得样品具有大得多的霍尔电阻,可研究其与互补金属氧化物半导体(CMOS)的集成。(本文来源于《稀有金属》期刊2016年01期）
刘帅,俱海浪,于广华,李宝河,陈晓白[6]（2014）在《Co/Pt多层膜反常霍尔效应的研究》一文中研究指出通过磁控溅射方法制备了一系列以Pt为底层的Co/Pt多层膜样品,研究了周期层中Co层厚度、周期层中Pt层厚度、底层厚度和多层膜周期数对样品霍尔效应和磁性的影响。结果表明,多层膜中各层的厚度及周期数对样品的霍尔效应和磁性有重要的影响。通过对样品测试结果的分析发现多层膜的界面效应是影响其宏观性能的主要因素,样品的霍尔电阻和矫顽力随着膜厚和周期数的变化均体现了这一效应。通过优化多层膜各层厚度参数及周期数,获得了最佳样品结构为Pt 1.0 nm/(Co 0.4 nm/Pt 0.8 nm)3,周期层中Co和Pt的最佳厚度分别为0.4和0.8 nm,最佳周期数为3,该样品的霍尔电阻最大,同时样品霍尔曲线的矩形度最好,且矫顽力也较小,通过磁性测量得到其磁各向异性能为2.0×105J·m-3,具有良好的垂直磁各向异性。(本文来源于《稀有金属》期刊2014年05期）
张鹏[7]（2013）在《垂直磁各向异性Co/Pt、Co/Ni多层膜中的异常霍尔效应》一文中研究指出本论文的工作主要在具有垂直磁各向异性的Co/Pt和Co/Ni多层膜体系中,研究了具有垂直磁各向异性的多层膜体系的磁学性质,并采用霍尔回路模型研究了金属多层膜中的异常霍尔效应。利用磁控溅射方法制备了垂直易磁化的Pt/Co/Pt叁层薄膜,以及Co/Ni多层膜,并使用VSM、SQUID、XRD等设备对其磁性以及结构参数等进行了测量。随后,使用霍尔回路模型对两个体系的异常霍尔效应进行了深入的研究。对于Pt/Co/Pt体系,首先,改变覆盖层Pt厚度的,在不同的温度条件下,研究了样品在其他结构参数不变的情况下Co层异常霍尔系数的变化规律,结合自旋霍尔效应,提出了Pt中自旋霍尔效应对Co层中极化状况以及异常霍尔效应的影响。第二,通过改变叁层膜结构中上下两层Pt的厚度,验证了霍尔回路模型的一致性；利用变温的异常霍尔效应测量,以霍尔回路模型为基础,得到了Co层异常霍尔系数随温度的变化关系。而将得到的异常霍尔系数与相关文献进行对比,可以从中得到一些关于Pt/Co/Pt体系中非磁层Pt,以及Co/Pt界面在该体系中异常霍尔效应中所起的作用。对于Co/Ni多层膜体系,采用的霍尔回路模型,将样品中的铁磁部分[Co/Ni]N对于异常霍尔效应的贡献从测量信号中提取出来。根据实验结果,对具有垂直磁各向异性的Co/Ni多层膜样品中[Co/Ni]N铁磁层中的异常霍尔系数进行了计算,得到了[Co/Ni]N铁磁层的异常霍尔系数Rs随温度以及铁磁层电阻率的上升呈而增大的结论。对此进行进一步的拟合计算,又得到了Rs随温度以及电阻率变化的各项参数,例如其零温异常霍尔系数、散射无关项等。由铁磁层中Co/Ni多层膜的周期数变化与零温异常霍尔系数的关系,导出了Co/Ni界面等效异常霍尔系数与薄膜内部异常霍尔系数之间的关系,得到了二者对于整个样品的异常霍尔效应的贡献是相反的这一结论。此外,通过对两个体系中横向霍尔电流的计算,得到了霍尔电流大小与测量温度、非磁层厚度、铁磁层周期数等参数之间的关系。我们的结果对于研究以Co/Pt体系为代表的强自旋-轨道耦合体系,以及以Co/Ni多层膜为代表的3d-3d铁磁多层膜体系中的异常霍尔效应是有意义的。(本文来源于《南京大学》期刊2013-11-01）
李景侠,马凤仙[8]（2013）在《紫外光谱研究PDDA/PSS多层膜组装盐效应》一文中研究指出以阳离子聚电解质聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDDA)与阴离子聚苯乙烯磺酸钠(PSS)通过逐层组装,在石英表面构建了多层膜,并用紫外-可见光谱仪(UV-Vis)跟踪监测,考察聚电解质中添加NaCl的浓度变化对组装过程的影响。结果显示:PDDA/PSS组装膜在前7层均呈现较好的指数关系,由所得回归方程可知,自组装膜的增长量主要与回归参数q=exp(1/t_1)有关,而q与盐的浓度呈正比,说明随着盐度的增加,所得多层膜的组装量也相应增加;PDDA/PSS组装多层膜在8—13层呈现较好的线性增长模式。随着盐度的增加,回归直线的斜率越大。但当盐度足够大时,所得回归直线斜率增速减慢,表明此时盐度对组装膜的影响减弱。(本文来源于《光谱实验室》期刊2013年02期）
缪秀平[9]（2012）在《多层膜中法拉第磁光效应的增强》一文中研究指出运用传输矩阵的方法研究由法拉第旋光金属和电介质交替组成的多层膜的法拉第磁光效应。数值计算的结果显示,由于表面等离子的激励,在金属和电介质之间界面会出现很强的光局域性,法拉第旋转角和透射率在高频区都出现了共振峰。同时可通过调节多层膜的周期重迭数和法拉第旋光金属层的厚度来控制法拉第磁光特性。(本文来源于《科技通报》期刊2012年12期）
夏鹏,陈磊,雷剑,王韬,周勇[10]（2011）在《曲折型叁明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究》一文中研究指出采用微机电系统(MEMS)技术在玻璃基片上制备了曲折型叁明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,在电流频率1~40 MHz范围内研究了FeNi/Cu/FeNi多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应,并分别通过改变FeNi薄膜的宽度、厚度和Cu薄膜的宽度,研究了尺寸对巨磁阻抗效应的影响。当磁场Ha施加在薄膜的纵轴时,巨磁阻抗变化率随磁场强度的增加而增大,在某一磁场强度下达到最大值,然后随磁场强度的增加而下降到负值。在电流频率为2 MHz,磁场强度为2 kA.m–1时,巨磁阻抗变化率达到最大值169.85%。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2011年10期）
多层膜的效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过JGP560A型磁控溅射仪制备了一系列以Ta/Pt为底层的Co/Ni多层膜样品,研究了多层膜中Pt缓冲层厚度、周期层中Co与Ni厚度以及多层膜周期数对样品反常霍尔效应和磁性的影响。结果发现:逐渐增厚的Pt层可以使样品的矫顽力增加,但是分流作用会导致样品的霍尔电阻降低,通过比较确定Pt缓冲层的厚度为2nm;磁性层中Co和Ni都处于一定厚度范围内时,多层膜的霍尔回线才能具有良好的矩形度,当厚度超出其特定范围时,多层膜的矩形度会变差,经过分析确定磁性层中Co和Ni的厚度为均0.4nm;磁性层的周期数对样品的性能也有着显着的影响,最终通过对周期数优化获得的最佳样品结构为Ta(2nm)Pt(2nm)Co(0.4nm)Ni(0.4nm)Co(0.4nm)Pt(1nm),该样品的霍尔回线矩形度非常好,霍尔信号明显,该样品总厚度在7nm以内,可进一步研究其在垂直磁纳米结构中的应用。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多层膜的效应论文参考文献
[1].向萍萍,王伟,程鹏,李宝河,崔派.Bi/Pt底层对Co/Ni多层膜反常霍尔效应的影响[J].磁性材料及器件.2016
[2].俱海浪,李宝河,刘帅,于广华.Ta/Pt双底层Co/Ni多层膜的反常霍尔效应[J].材料工程.2015
[3].张咪,王海.NiFe/Cu多层膜的结构与层间耦合效应[J].磁性材料及器件.2015
[4].韩灵生,赵之铎,周丽娟,赵崇军,李明华.退火对MgO/NiFe/MgO多层膜平面霍尔效应的影响[J].稀有金属.2016
[5].俱海浪,李宝河,陈晓白,刘帅,于广华.不同底层对Co/Pt多层膜反常霍尔效应影响的研究[J].稀有金属.2016
[6].刘帅,俱海浪,于广华,李宝河,陈晓白.Co/Pt多层膜反常霍尔效应的研究[J].稀有金属.2014
[7].张鹏.垂直磁各向异性Co/Pt、Co/Ni多层膜中的异常霍尔效应[D].南京大学.2013
[8].李景侠,马凤仙.紫外光谱研究PDDA/PSS多层膜组装盐效应[J].光谱实验室.2013
[9].缪秀平.多层膜中法拉第磁光效应的增强[J].科技通报.2012
[10].夏鹏,陈磊,雷剑,王韬,周勇.曲折型叁明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究[J].电子元件与材料.2011