导读:本文包含了负阻特性论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:特性,器件,晶体管,光电,表面,结晶体,晶闸管。
负阻特性论文文献综述
蔡沛峰[1]（2015）在《表面传导电子发射显示器件的负阻特性研究》一文中研究指出表面传导电子发射显示器件(SED)在能耗、分辨率、视角等方面较其他平板显示(LCD/PDP)存在明显的优势。但是,表面传导电子发射显示器件的阴极电子发射阵列的发射效率以及寿命阻碍了其发展,并且有研究者发现表面传导电子发射显示器件在电形成时,其传导电流与器件电压呈现重复的压控负阻(VCNR)现象。而且VCNR与器件的发射电流存在某种联系——不出现VCNR则没有发射电流。因此,揭示VCNR的形成机理且理清VCNR现象与电子发射特性的内在规律可以为制备出性能优异的SED提供理论基础。本文以颗粒膜AlN/Al作为表面传导电子发射显示器件的阴极发射极材料,通过真空电形成,研究VCNR特性及其形成机理。采用磁控溅射和光刻技术制备发射阴极为AlN/Al材料的表面传导显示原理器件,研究了电形成次数、颗粒膜制备工艺、器件结构、电形成环境、外加电场以及颗粒膜材料成份等,对器件的电学特性影响,根据电学特性的演变规律,探讨了颗粒膜的电子发射机理以及器件VCNR特性,主要获得以下结论：研究了不同电形成环境对VCNR的影响。实验表明在低真空和高真空两种不同真空环境下,给器件加载相同的电压电形成所呈现的现象不相同。具体表现为在低真空下,器件的传导电流达到电流源额定上限且VCNR现象不可重复,传导电流变化剧烈且在薄膜阴极形成一条远大于2μm的狭缝：在高真空下,器件传导电流很稳定且VCNR现象可重复,并在薄膜表面形成一条狭缝且宽度为952nm。研究了不同外加电场模式下器件电学特性的影响,对以Al-AlN为阴极发射极薄膜的基底上的背电极分别加载不同电压(-5V、0V、+5V)。研究其对电子发射效率的影响以及对VCNR现象的影响。实验发现加载-5V电压时,器件的VCNR现象较明显,器件的发射电流和发射效率增加。相反加载+5V时,器件的发射电流和发射效率下降。研究了不同器件结构对电学特性的影响,即制备不同膜层结构的器件1(先制备铜电极后制备发射阴极)、器件2(先制备发射阴极再制备铜电极)。实验表明器件1的传导电流低于器件2,出现VCNR现象时对应的器件电压大于器件2,且传导电流稳定,形成的狭缝尺寸适合表面电子发射。研究了材料成份对器件电学特性的影响。在气体流量N2：Ar为3:90sccm的前提下,利用磁控溅射设备分别在工作气压为0.85Pa和1Pa下,制备了两种不同性质的发射极薄膜(颗粒膜),然后在真空中进行电形成。结果表明0.85Pa下制备的颗粒膜导电性良好,但是传导电流比较大且电形成后狭缝大于2μm,且观测不到发射电流。其出现了VCNR现象较1Pa的早许多(相对于器件电压)。但是1Pa下制备的器件与其相反,传导电流比较稳定且形成的狭缝较为理想在2μm以内,出现了明显的发射电流。利用扫描式电子显微镜X光微区分析(SEM-EDS)研究了电形成之后器件的颗粒膜元素含量的变化,结果发现器件颗粒膜电形成后,A1元素发生了改变且其含量增加了4.29%。结合以上不同条件下器件宏观电学特性以及颗粒膜的变化,确定器件VCNR特性和器件颗粒膜中导电元素A1含量直接相关。(本文来源于《西安工业大学》期刊2015-05-25）
罗贤亮,董晨民,王永顺[2]（2010）在《基于双基区晶体管的负阻特性静态随机存储单元电路的设计》一文中研究指出双基区晶体管是一种硅基叁端压控型负阻器件,它的Ic—Vbe曲线具有双稳态特性。利用双基区晶体管的负阻、高速特性构成的静态随机存储电路,结构简单、器件数量少、噪声容限大抗干扰能力强、速度快。将4v时钟信号作为器件的驱动电源,降低了电路功耗。(本文来源于《电脑知识与技术》期刊2010年09期）
杨玉淮[3]（2009）在《认识玻璃的“负阻”特性》一文中研究指出在物理课本中有这样一个实验:给玻璃加热到红炽状态,本来是绝缘体的玻璃变成了导体。这个实验可以说明"绝缘体到导体并没有绝对的界限,在一定条件下,绝缘体可以转化成导体"。实验电路如下图:(本文来源于《农村青少年科学探究》期刊2009年04期）
李建丰,孙硕,张春林,李海蓉,欧谷平[4]（2008）在《有机反转电致发光器件的负阻特性》一文中研究指出对结构为Si/Al/Alq_3/PVK:TPD/PTCDA/ITO的有机反转电致发光器件I-V特性的测量发现,其电压出现了峰值的负阻现象.分析表明:高电压注入时,器件内形成了高浓度的等离子体;载流子寿命和迁移率随注入电压变化;特别是体内出现了严重的电导调制效应使得器件由高阻区变为低阻区,这些是形成负阻特性的主要原因.通过引入双极迁移率和双极扩散系数将空穴和电子的电流连续性方程联合起来,解释了具有负阻区段的I-V特性曲线.(本文来源于《兰州大学学报(自然科学版)》期刊2008年02期）
杨军,蒋孟衡,杨定宇,涂小强[5]（2006）在《静电感应晶闸管负阻特性的数值模拟》一文中研究指出运用半导体器件数值模拟中的漂移-扩散模型,对静电感应晶闸管(SITH)的负阻转折特性进行了模拟和分析.通过对器件内场和载流子分布的模拟,揭示了SITH的负阻转折特性是源于高电平下双注入的加强以及伴随的耗尽层的收缩.模拟结果与实验结果吻合较好,对器件的设计与优化具有指导意义.(本文来源于《西南民族大学学报(自然科学版)》期刊2006年05期）
张世林,李建恒,郭维廉,齐海涛,梁惠来[6]（2006）在《薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析》一文中研究指出采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大减少了器件数目．讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负阻特性及其物理机制．器件负阻特性的产生与其结构密切相关,包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应．推出了物理公式,并且使用PSPICE模拟软件建立了电路模型．模拟结果符合制作器件的测量结果．(本文来源于《天津大学学报》期刊2006年01期）
周立新,缪江平,陈维,吴宗汉,孙承休[7]（2002）在《利用分子轨道理论对MIM隧道结负阻特性的讨论》一文中研究指出首次从轨道杂化的角度探讨了 MIM隧道结负阻特性的成因 ,结合化学上的计算 ,并与实际测量结果进行对比分析 ,提出了 MIM隧道结负阻特性的理论解释(本文来源于《应用科学学报》期刊2002年03期）
张万荣,李志国,王立新,汪东,崔福现[8]（2001）在《Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性》一文中研究指出同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,并对这一现象进行了新的解释 ,认为这是由于大电流下耗散功率增加 ,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果 .这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力 ,证明Si/SiGe/HBT适于大功率应用(本文来源于《电子学报》期刊2001年08期）
郭维廉,郑元芬,沙亚男,张培宁,张世林[9]（2000）在《SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系》一文中研究指出文章对电阻为负载时 ,硅光电负阻器件 (SPNRD)的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析。定义了描述静态光学双稳态特性的 7个基本参数 ,并分析了负载电阻 (RL)和电源电压 (V0 )对这些参数的影响 ,理论分析结果与实测结果相一致。所得出的结论适用于由负阻特性产生双稳态特性的所有情况。(本文来源于《半导体光电》期刊2000年02期）
张欣,吕鹏程,许毓春[10]（2000）在《掺铜氧化铁陶瓷负阻特性的研究》一文中研究指出研究了掺铜氧化铁陶瓷的负阻特性，并从相结构入手，探讨了负阻机理，分析了该类材料在一定温区内呈现负阻性能的原因。(本文来源于《压电与声光》期刊2000年02期）
负阻特性论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
双基区晶体管是一种硅基叁端压控型负阻器件,它的Ic—Vbe曲线具有双稳态特性。利用双基区晶体管的负阻、高速特性构成的静态随机存储电路,结构简单、器件数量少、噪声容限大抗干扰能力强、速度快。将4v时钟信号作为器件的驱动电源,降低了电路功耗。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
负阻特性论文参考文献
[1].蔡沛峰.表面传导电子发射显示器件的负阻特性研究[D].西安工业大学.2015
[2].罗贤亮,董晨民,王永顺.基于双基区晶体管的负阻特性静态随机存储单元电路的设计[J].电脑知识与技术.2010
[3].杨玉淮.认识玻璃的“负阻”特性[J].农村青少年科学探究.2009
[4].李建丰,孙硕,张春林,李海蓉,欧谷平.有机反转电致发光器件的负阻特性[J].兰州大学学报(自然科学版).2008
[5].杨军,蒋孟衡,杨定宇,涂小强.静电感应晶闸管负阻特性的数值模拟[J].西南民族大学学报(自然科学版).2006
[6].张世林,李建恒,郭维廉,齐海涛,梁惠来.薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析[J].天津大学学报.2006
[7].周立新,缪江平,陈维,吴宗汉,孙承休.利用分子轨道理论对MIM隧道结负阻特性的讨论[J].应用科学学报.2002
[8].张万荣,李志国,王立新,汪东,崔福现.Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性[J].电子学报.2001
[9].郭维廉,郑元芬,沙亚男,张培宁,张世林.SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系[J].半导体光电.2000
[10].张欣,吕鹏程,许毓春.掺铜氧化铁陶瓷负阻特性的研究[J].压电与声光.2000
论文知识图
