论文摘要基于微纳米级无机粉体磨料能够在其他材料中均匀分散的特性,以不同磨料的水基抛光液为代表,介绍了提高氧化铈、氧化铝和纳米金刚石3种抛光液分散性的方法,以及分散性的研究方法。...
论文摘要化学机械抛光(CMP)技术是集成电路制造中获得全局平坦化的一种重要手段,化学机械抛光液是影响抛光质量和抛光效率的关键因素之一,而抛光液中的磨粒和氧化剂决定了抛光液的各项...
论文摘要为提高CMP的抛光效果,配制了一种混合磨粒CMP抛光液,用于对不锈钢的抛光。实验结果表明:硅溶胶和铝溶胶配比为4∶1,使用十二烷基硫酸钠为阴离子表面活性剂,调节pH值为...
李智[1]2016年在《组合磁流变抛光的关键技术研究》文中提出随着3C电子行业的蓬勃发展,铝合金、蓝宝石、氧化锆陶瓷等材料在手持设备、智能穿戴设备、武器装备等领域得到了广泛应用。由于用户群体数量庞大,外观要求精益求精,因此3C零部件需求量巨大,表面质量要求日益提高。传统的平面研磨抛光方法可以实现平面...
王毅[1]2003年在《CCOS技术中磨头工作函数优化设计及工件去除量函数曲线的模拟》文中进行了进一步梳理本文首先论述了计算机控制非球面抛光的基本原理—Preston方程,对影响计算机数控抛光表面误差收敛速度的主要因素—磨头工作函数进行了详细的讨论。提出了以趋近因子作为评价磨头参数优化的参量。对目前...