导读:本文包含了方形量子线论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电场,量子,杂质,谐振子,激发态,函数,截面。
方形量子线论文文献综述
屈双惠,李琳艳,杨志宏[1]（2012）在《波函数对有限深方形量子线中电子及杂质能量的影响》一文中研究指出以一维线性谐振子的波函数为基展开而成的波函数作为单电子的波函数,分别讨论了单电子及类氢杂质的能量,并将所得结果与波函数取作一维有限深量子阱中波函数的乘积的情况进行了比较.结果表明:已有文献选取的波函数,在计算单电子的能量及杂质的束缚能时只在阱宽较大时适用;在计算单电子的振子强度时,带来较大误差.(本文来源于《宁夏大学学报(自然科学版)》期刊2012年01期）
谢红献[2]（2005）在《电场下方形量子线中的激子态》一文中研究指出近叁十年来,半导体量子阱和量子线中的激子态引起人们很大兴趣。在垂直于量子阱平面的方向加电场可以显着地改变半导体量子阱结构的光学性质(如吸收,反射,光致发光等),这种效应被称为量子约束斯塔克效应,在过去二十年中已经得到了充分的研究并应用到光学转换器和调制器上。 近来,电场作用下量子阱和量子线中的激子态的研究引起了人们的很大关注。他们在有效质量近似下用变分法计算了外加电场下量子阱和量子线中激子的束缚能。前人在研究时许多人引入了Airy函数,通过求解Airy函数组成的超越方程得到体系的能量本征值。可是求解由Airy函数组成的超越方程以期得到体系的能量本征值是比较复杂的。 本文采用变分法研究了外加电场下无限深方形量子线中重空穴激子的束缚能,我们用平面波展开的方法求解在电场作用下无限深方形量子线中电子和空穴的基态能和基态波函数及低激发态的能量和波函数,并用所得到的波函数进一步计算激子的基态及低激发态的束缚能,最后计算了激子的Stark能移。 经过计算我们得到如下结论: (1)外电场下,电子和空穴的基态能量降低,但激发态的能量要升高。 (2)对于基态激子,当阱宽不变时电场强度越大,激子的基态结合能就越小;在相同的电场强度下阱的宽度越大,电场引起结合能的变化就越大;基态的Stark能移表现为红移。 (3)加电场后,激子的第一第二激发态能级分别分裂成两支,其中一支结合能随电场的增大而减小,另一只结合能随电场的增大而增大;第叁激发态不发生分裂,它的结合能随电场的增大而增大。(本文来源于《河北师范大学》期刊2005-04-25）
李琳艳[3]（2003）在《有限深方形量子线中波函数的研究》一文中研究指出本文通过计算有限深方形量子线中单电子的基态能、第一激发态能和振子强度研究了以二维谐振子本征函数为基展开的波函数以及它在这些问题中的应用，此波函数的显着优点是：在边界处满足波函数的连续性条件和粒子流的守恒条件，并且展开项数少，计算方便。 选取一种合理的波函数对计算量子阱线中的所有物理量都有重要意义。对有限深方形量子线，前人所取波函数主要有叁种形式，总结如下： 1．1985年，Takeshi Kodama等人在计算激子的束缚能时把单电子的波函数φ(x，y)取为一维有限深方形量子阱中波函数的乘积，这种取法在边界上不满足波函数的连续性条件及粒子流(1/m~*)φ'(x,y)的守恒条件。 2．1997年和1999年，A.Sali,M.Fliyou等人在发表的两篇论文中选取的波函数在边界上满足波函数的连续性条件，但是不满足粒子流(1/m~*)φ'(x,y)的守恒条件。 3．1996年，S.Gangopadhyay等人将波函数用二维傅立叶级数展开，这种取法满足波函数的连续性条件及粒子流(1/m~*)φ'(x,y)的守恒条件，但是当考查单量子线时，需要展开的项数很多，计算量很大。 前两种波函数形式比较简单，但由于在边界处波函数的河北师范大学硕士学位论文连续性条件和粒子流的守恒条件存在问题，这必将对某些物理量的计算产生影响;第叁种波函数在边界处满足波函数的连续性条件和粒子流的守恒条件，但是对于单量子线需要展开的项数很多，计算量太大。 本文选取了以二维谐振子本征函数为基展开的波函数，并且考虑了有效质量的失配性，计算了有限深方形量子线中单电子的基态能，激发态能和振子强度。 通过对计算结果的讨论和分析，得到以下结论: 1.对有限深方形量子线中单电子的基态能和第一激发态能，前人〔’2一’‘’所取波函数只适合计算宽阱时的情况，对有限深方形量子线中单.电子的振子强度，不适合采用前人所取波函数。 2.由于本文所取波函数满足波函数的连续性条件和粒子流的守恒条件，并且计算有限深方形量子线中单电子的能量时需要展开的项数较少，故此波函数也可选为有限深方形量子线中杂质态、激子等问题的包络函数。(本文来源于《河北师范大学》期刊2003-06-01）
李葵花[4]（2003）在《外加电场下方形量子线中杂质态》一文中研究指出自80年代以来，低维半导体材料中杂质态的各种性质引起了人们的广泛关注，杂质对于材料中的电子输运及光学性质都有重要影响。而在垂直于量子阱平面的方向外加电场可以显着的改变半导体量子阱结构的光学性质(如吸收、反射、光致发光等)。这种效应被称为量子约束斯塔克效应，在过去的十年中已经得到了充分的研究并应用到光学转换器和调制器。 最近，无论在实验上还是在理论上都一定程度的研究了外加电场下量子阱线的电学特性和光学特性。Benner和Huang假设了抛物线形的约束势，观测了量子阱线中的量子约束斯塔克效应。Brown和Spector得到了有限深和无限深GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs圆形量子阱线中杂质的束缚能。Weber等人在不考虑外场的情况下讨论了矩形量子阱线中类氢杂质的DOIS和能谱。外加电场对矩形量子阱线中浅施主杂质束缚能的效应是由Montes等人提出的，他们采用变分法讨论了无限深势阱的量子线结构。 前人虽然对外加电场下量子阱线中的杂质态做了较为详细的讨论，但是他们所选取的矩形量子阱线仅仅局限在无限深的情况。在前人工作的基础上，我们在有效质量近似下讨论了外加电场下有限深方形GaAs／Ga_(0.63)Al_(0.37)As量子阱线的杂质态和杂质的Stark能移，并把我们的结果与前人的结果进行了比较。另外，我们还讨论了施主离子位于不同位置的情河北师范大学硕士毕业论文况及结构的不对称和质量不匹配对Stark能移的影响。 在不考虑有效质量不匹配的条件下得出如下结论: (1)外加电场下电子第一能级的能量降低。 (2)当施主离子位于势阱中心时，杂质的束缚能随着电场强度的增大而减小。 (3)当施主离子位于势阱中不同位置时，零电场下量子阱线中的杂质态是关于施主离子位置中心对称的简并态，在外加电场作用下发生能级分裂，这种简并不再存在;杂质的Stark能移由于施主离子位置的不同表现为红移或蓝移。 (4)相同电场的作用下，量子阱线具有不同的长宽比时，杂质的Stark能移明显不同，而且电场越强这种结构的不对称性的影响越大。 有效质量失配对杂质Stark能移的影响不显着。(本文来源于《河北师范大学》期刊2003-05-01）
屈双惠[5]（2003）在《有限深方形量子线中杂质态的研究》一文中研究指出自80年代以来，低维半导体材料中杂质态的各种性质引起了人们的广泛关注，杂质对于材料中的电子输运及光学性质都有重要影响。在实验上已经用分子束外延和金属有机化学气相沉积等技术对其物理性质进行了广泛的研究，而理论上的研究主要集中于尺寸对杂质束缚能的影响、外加电场或磁场的作用以及杂质的光致电离效应。 本文在前人工作的基础上，研究了方形截面GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子线中类氢杂质体系的性质，采用变分技术计算了此体系的束缚能及其光致电离截面。与以往工作不同的是，以前选用的x，y方向电子的包络函数F(x，y)是一维有限深量子阱中波函数的乘积，在边界上波函数的连续性和粒子流的守恒条件存在问题；而在理论计算中，波函数的选取与杂质的物理性质有密切关系，本文选取的电子的包络函数是用一维线性谐振子的波函数展开而成的，在边界上能够同时满足波函数的连续性及粒子流(1/m~*)F'(x,y)的守恒条件，从而使得波函数和束缚能的精确度得到了改进。本文由两部分组成。 在第一部分，我们按照文献[27]中的方法，得到了包络函数的表达式，并利用变分法计算了类氢杂质的束缚能，其中考虑了阱垒中电子有效质量的失配性。 在第二部分，我们采用第一部分所选的变分波函数和得到的束缚能进一步计算了类氢杂质体系的光致电离截面。考虑了两种不同情况：①辐射光沿阱线的轴线方向偏振(z方向)；②辐射光 ·河北师范大学硕士研究生学位论文平行于轴截面偏振(设为x方向)。根据偶极跃迁的选择定则，将使得体系从基态分别跃迁到电子的第一子带和第二子带，二者的光电离截面随光子能量的变化截然不同。 最后对结果进行了详细的讨论，并将所得结果与包络函数以x沙)取作一维有限深量子阱中波函数的乘积的两种情况进行了比较。我们发现:在窄阱时，由我们选取的包络函数计算得到的束缚能比前人的结果要大一些;在阱宽较大时，由于量子线趋于GaA、体材料，叁种情况计算得到的束缚能几乎重合。这说明，前人选取的包络函数，在计算杂质束缚能时，只在阱宽较大时适用。在计算光电离截面时，我们发现:随光子能量的变化，前人选取的包络函数计算得到的光电离截面的变化范围比我们的结果小很多。这说明，由于前人选取的包络函数在边界上不能同时满足波函数的连续性及粒子流的守恒条件，在计算光电离截面时并不适用。(本文来源于《河北师范大学》期刊2003-04-01）
方形量子线论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近叁十年来,半导体量子阱和量子线中的激子态引起人们很大兴趣。在垂直于量子阱平面的方向加电场可以显着地改变半导体量子阱结构的光学性质(如吸收,反射,光致发光等),这种效应被称为量子约束斯塔克效应,在过去二十年中已经得到了充分的研究并应用到光学转换器和调制器上。 近来,电场作用下量子阱和量子线中的激子态的研究引起了人们的很大关注。他们在有效质量近似下用变分法计算了外加电场下量子阱和量子线中激子的束缚能。前人在研究时许多人引入了Airy函数,通过求解Airy函数组成的超越方程得到体系的能量本征值。可是求解由Airy函数组成的超越方程以期得到体系的能量本征值是比较复杂的。 本文采用变分法研究了外加电场下无限深方形量子线中重空穴激子的束缚能,我们用平面波展开的方法求解在电场作用下无限深方形量子线中电子和空穴的基态能和基态波函数及低激发态的能量和波函数,并用所得到的波函数进一步计算激子的基态及低激发态的束缚能,最后计算了激子的Stark能移。 经过计算我们得到如下结论: (1)外电场下,电子和空穴的基态能量降低,但激发态的能量要升高。 (2)对于基态激子,当阱宽不变时电场强度越大,激子的基态结合能就越小;在相同的电场强度下阱的宽度越大,电场引起结合能的变化就越大;基态的Stark能移表现为红移。 (3)加电场后,激子的第一第二激发态能级分别分裂成两支,其中一支结合能随电场的增大而减小,另一只结合能随电场的增大而增大;第叁激发态不发生分裂,它的结合能随电场的增大而增大。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
方形量子线论文参考文献
[1].屈双惠,李琳艳,杨志宏.波函数对有限深方形量子线中电子及杂质能量的影响[J].宁夏大学学报(自然科学版).2012
[2].谢红献.电场下方形量子线中的激子态[D].河北师范大学.2005
[3].李琳艳.有限深方形量子线中波函数的研究[D].河北师范大学.2003
[4].李葵花.外加电场下方形量子线中杂质态[D].河北师范大学.2003
[5].屈双惠.有限深方形量子线中杂质态的研究[D].河北师范大学.2003
论文知识图
