导读:本文包含了表面再构论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:表面,外延,原子,还原法,相图,分子,倒装。
表面再构论文文献综述
郭婧,邹德恕,高伟,秦园,刘自可[1]（2010）在《新型表面再构的倒装AlGaInP LED》一文中研究指出研究一种表面再构的具有全方位反光镜(ODR)结构的倒装AlGaInP半导体发光二极管(LED)。通过湿法腐蚀方法再构N-AlGaInP盖层表面,形成类金字塔的表面结构,使不同角度入射的光有更多的机会出射。比较了表面再构LED与常规LED的电、光学特性,在注入电流为20 mA时,经过表面再构LED的轴向光强和输出光功率是常规LED的1.5倍,表面再构后大大提高了LED的外量子效率,减少了LED内部热量的积累,提高了LED芯片的可靠性。(本文来源于《光电子.激光》期刊2010年08期）
李云[2]（2006）在《3C-SiC（111）和6H-SiC（0001）表面再构的原子结构和电子结构的理论研究》一文中研究指出在本论文中，我们用第一性原理密度泛函理论研究了3C-SiC(111)表面和6H-SiC(0001)表面的(3×3)再构和(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))R30°再构的原子结构和电子结构。针对(3×3)再构，我们提出了一个新的结构模型(fluctuant-trimer模型)。这个模型比之前的Starke模型更符合x射线衍射实验的Patterson图、光电子谱和反光电子谱实验、电子能量损失谱实验和扫描隧道显微镜(STM)实验的结果。接下来，我们分别针对最近在实验上新发现的岛状3C-SiC(111)表面和6H-SiC(0001)表面上出现的结构不同的(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))R30°再构提出了两个si原子覆盖度不同的结构模型(double-trimer模型和single-trimer模型)。我们模拟的这两个模型的STM图像与实验中观察到的STM图像吻合得很好，而且这两个模型在能量上也比之前提出的DV模型和Tri-Ad模型更稳定。在论文的第一章中，首先我们全面地介绍了SiC材料的力学、化学和电子学性质以及与这些性质相关的应用前景并简要地介绍了SiC材料的几种制备方法。接下来介绍了SiC体材料的原子结构和电子结构。最后，我们系统地回顾了SiC表面各种再构的原子结构和电子结构的研究现状，其中包括Si端SiC(111)面和SiC(0001)面上的(3~(1／2)×3~(1／2))R30°、(3×3)和(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))R30°再构、C端SiC(001)表面(2×2)再构以及Si端SiC(001)表面的(2×1)、c(4×2)和c(3×2)再构等。论文的第二章简要叙述了密度泛函理论及其相关理论，包括绝热近似、密度泛函理论、布洛赫定理、交换关联能的LDA、GGA近似。然后简述了能带计算中用到的赝势方法、电子和离子驰豫的计算过程和处理表面的超原胞方法。在论文的第叁章中，针对3C-SiC(111)表面和6H-SiC(0001)表面的(3×3)再构，我们提出了一个新的结构模型(fluctuant-trimer模型)。在这个模型中，在Si端衬底上每个(3×3)单元包含一个无缺陷的Si原子吸附层和其上的在高度上相差约0.4和0.5(?)的叁聚物Si原子。我们根据这个模型的表面原子结构和电荷分布做出的Patterson图与x射线衍射实验的Patterson图完全吻合。电子结构计算表明在fluctuant-trimer模型的表面存在四个表面态能级，这与光电子谱和反光电子谱以及电子能量损失谱实验所测得的结果一致。模拟的fluctuant-trimer模型的表面的STM图像也与以往实验中观察到STM图像基本吻合。总之，在目前(3×3)再构的所有的结构模型中，我们提出的fluctuant-trimer模型与众多的实验结果吻合的最好。在论文的第四章中，我们分别针对岛状3C-SiC(111)表面和6H-SiC(0001)表面上出现的结构不同的(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))R30°再构提出了两个Si原子覆盖度不同的结构模型(double-trimer模型和single-trimer模型)。在double-trimer模型中，在SiC衬底的Si端上每个(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))单元包含一个无缺陷的Si原子吸附层和其上的两个不等高的Si原子叁聚物，共18个吸附Si原子。另外，分属不同叁聚物的临近的Si原子形成了Si原子二聚物。Double-trimer模型的吸附Si原子的覆盖度高于(3×3)再构，这与实验观察到的结果一致。模拟的double-trimer模型表面的STM图像与实验观察到的STM图像非常吻合。计算的电子结构表明double-trimer模型表面二聚物Si原子上的悬挂键形成了π键并在体能隙里诱导出了两个子能带。在single-trimer模型中，在SiC衬底的Si端上每个(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))单元包含一个无缺陷的Si原子吸附层和其上的一个Si原子叁聚物，共15个吸附Si原子。其吸附Si原子的覆盖度低于(3×3)再构，这也与实验观察到的结果一致。模拟的single-trimer模型表面的STM图像以及(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))再构和(3×3)再构共存表面的STM图像都与实验中的STM图像吻合。计算的电子结构表明single-trimer模型的表面是半导体性的而之前的Tri-Ad模型的表面是金属性的。这为以后实验鉴别6H-SiC(0001)表面上(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))再构single-trimer模型和Tri-Ad模型的正确性提供了一个简便的判据。最后，表面能的计算表明double-trimer模型和single-trimer模型在能量上比之前提出的DV模型和Tri-Ad模型更稳定。(本文来源于《复旦大学》期刊2006-04-13）
张立新,王恩哥[3]（2006）在《Mn/GaAs(001)的表面再构与Mn的磁矩研究》一文中研究指出通过第一性原理计算,系统地研究了Mn/GaAs(001)表面的各种再构和相应的局域电子态密度分布,以及表面上Mn的磁矩与各种再构间的对应关系.结果发现,Mn的行为类似电荷施主,将向GaAs表面提供电子,数量依表面的需求而定;直接与Mn的磁矩相联系的d轨道,既可以向GaAs表面施予电子,以弥补Mn的s电子的不足,又可以吸纳因GaAs表面饱和而富余的s电子.这些概念可有效地简化对金属引起的半导体表面再构的理论描述.(本文来源于《物理学报》期刊2006年01期）
牛晨亮[4]（2006）在《表面再构对GaAs分子束外延薄膜生长的影响》一文中研究指出由于GaAs(111)B材料具有强压电效应、高发光效率等材料特性,可以制备高性能器件,因此近年来吸引了器件应用和基础研究等方面工作者广泛的注意力。但分子束外延(MBE)生长GaAs(111)B外延层是非常困难的,这是由于同质外延层的生长对工艺条件极其敏感,外延层表面上极易出现金字塔结构使形貌发生恶化。 在分子束外延生长过程中,结合在表面上的原子通过形成二聚物或叁聚物来降低表面自由能,随着生长条件的变化,二聚物或叁聚物在表面上形成不同类型的表面再构,而且在不同的表面再构相内进行生长得到外延薄膜的电学特性和晶体质量都有明显的差别。因此本论文系统地研究了生长参数对外延表面的生长过程以及对外延薄膜质量的影响,确定了减少金字塔形缺陷的优化工艺,利用反射式高能电子衍射(RHEED)系统原位实时监控MBE生长,在正晶向GaAs(111)B衬底上获得了无金字塔结构的镜像外延薄膜。 由于GaAs(001)的MBE工艺比较成熟,本论文首先系统地进行了GaAs(001)外延,分析了生长条件对外延质量特性的影响,研究发现(2×4)再构相内(温度范围为450～580"C)获得外延薄膜的表面形貌最好,而在(2×4)再构不同的叁个态内得到外延薄膜的表面粗糙度近似相等,而且生长温度为515℃时得到晶体质量最好的外延薄膜;随表面As覆盖度的增加,所得外延薄膜的空穴迁移率越来越低,并且在c(4×4)相内生长的外延为n型半导体材料。 衬底腐蚀的质量直接影响外延生长的表面形貌,以及光刻等GaAs集成电路制造工艺的质量,另外GaAs材料的(111)B面对腐蚀条件的要求比(001)面的严格,本论文对GaAs(111)B面化学腐蚀进行了研究,确定了适合腐蚀的窗口,得到镜像GaAs(111)B腐蚀表面。 利用RHEED系统的监控在正晶向GaAs(111)B衬底上进行了外延生长,发现在静态和动态生长中,GaAs(111)B-(√19×√19)再构的衍射强度最大,因此在(√19×√19)相内进行生长可提高外延表面质量,减少表面金字塔结构的尺寸与密度:由于Ga和As束流密度较低时Ga原子在表面上的扩散相对较强,因此低生长速率和低As束流密度有利于得到镜像外延(本文来源于《河北工业大学》期刊2006-01-01）
赵德华,马志广,臧雅茹,潘荫明,赵学庄[5]（1995）在《控制脉冲还原法研究氧化物Bi_3FeMo_2O_（12）的表面再构》一文中研究指出本文采用控制脉冲还原法研究了丙烯选择氧化催化剂Ｂｉ３Ｆ３ＭＯ２Ｏ１２在还原过程中的表面再构作用存在一个还原度阀值．对表面再构的机理提出了一些看法．(本文来源于《化学物理学报》期刊1995年02期）
贺仲卿,侯晓远,丁训民[6]（1992）在《GaSb(100)的表面再构》一文中研究指出用低能电子衍射(LEED),光电子能谱(XPS和UPS)研究GaSb(100)表面的各种再构:c(2×6),(1×3)和(2×3)。所有这叁种再构表面都以有失列的Sb原子结尾。在Sb气氛中退火可使分子束外延(MBE)制备的、表面Sb原子形成二聚物的c(2×6)再构和离子轰击加退火(IBA)制备的、表面存在Ga岛的(2×3)再构均变为简单的(1×3)再构。(本文来源于《物理学报》期刊1992年08期）
李哲吟,刘惠周[7]（1991）在《Ge在Si上外延中表面再构的作用》一文中研究指出本文综述了表面再构对Ge在Si上生长所起的作用。(本文来源于《半导体情报》期刊1991年06期）
刘惠周,李哲吟[8]（1991）在《Ge/Si应变外延薄膜的表面再构》一文中研究指出根据有相互作用结构件的概念,讨论了Ge/Si应变外延薄膜的表面再构,并对Ge_(0.5)Si_(0.5)合金上Si薄膜为5×5的结构,提出了一种可能解释。(本文来源于《半导体情报》期刊1991年06期）
胡兹莆,潘必才,范伟成[9]（1990）在《倍层法计算碱金属诱导的Cu(110)-(1×2)表面再构》一文中研究指出本文介绍了低能电子衍射动力学计算中的倍层法,并用之计算了碱金属诱导的Cu(110)-(1×2)再构表面结构。计算结果表明,顶层原子向内收缩至1.13A的失排结构为最可靠结构。(本文来源于《物理学报》期刊1990年06期）
陈可明,周国良,盛篪,蒋维栋,张翔九[10]（1990）在《Ge/Si(111)与Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构研究》一文中研究指出本文利用RHEED和AES对Ge/Si(111)和Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构进行了研究。由此提出了其生长模式,并讨论了应力对生长特性、界面特性和表面再构的作用。(本文来源于《物理学报》期刊1990年04期）
表面再构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在本论文中，我们用第一性原理密度泛函理论研究了3C-SiC(111)表面和6H-SiC(0001)表面的(3×3)再构和(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))R30°再构的原子结构和电子结构。针对(3×3)再构，我们提出了一个新的结构模型(fluctuant-trimer模型)。这个模型比之前的Starke模型更符合x射线衍射实验的Patterson图、光电子谱和反光电子谱实验、电子能量损失谱实验和扫描隧道显微镜(STM)实验的结果。接下来，我们分别针对最近在实验上新发现的岛状3C-SiC(111)表面和6H-SiC(0001)表面上出现的结构不同的(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))R30°再构提出了两个si原子覆盖度不同的结构模型(double-trimer模型和single-trimer模型)。我们模拟的这两个模型的STM图像与实验中观察到的STM图像吻合得很好，而且这两个模型在能量上也比之前提出的DV模型和Tri-Ad模型更稳定。在论文的第一章中，首先我们全面地介绍了SiC材料的力学、化学和电子学性质以及与这些性质相关的应用前景并简要地介绍了SiC材料的几种制备方法。接下来介绍了SiC体材料的原子结构和电子结构。最后，我们系统地回顾了SiC表面各种再构的原子结构和电子结构的研究现状，其中包括Si端SiC(111)面和SiC(0001)面上的(3~(1／2)×3~(1／2))R30°、(3×3)和(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))R30°再构、C端SiC(001)表面(2×2)再构以及Si端SiC(001)表面的(2×1)、c(4×2)和c(3×2)再构等。论文的第二章简要叙述了密度泛函理论及其相关理论，包括绝热近似、密度泛函理论、布洛赫定理、交换关联能的LDA、GGA近似。然后简述了能带计算中用到的赝势方法、电子和离子驰豫的计算过程和处理表面的超原胞方法。在论文的第叁章中，针对3C-SiC(111)表面和6H-SiC(0001)表面的(3×3)再构，我们提出了一个新的结构模型(fluctuant-trimer模型)。在这个模型中，在Si端衬底上每个(3×3)单元包含一个无缺陷的Si原子吸附层和其上的在高度上相差约0.4和0.5(?)的叁聚物Si原子。我们根据这个模型的表面原子结构和电荷分布做出的Patterson图与x射线衍射实验的Patterson图完全吻合。电子结构计算表明在fluctuant-trimer模型的表面存在四个表面态能级，这与光电子谱和反光电子谱以及电子能量损失谱实验所测得的结果一致。模拟的fluctuant-trimer模型的表面的STM图像也与以往实验中观察到STM图像基本吻合。总之，在目前(3×3)再构的所有的结构模型中，我们提出的fluctuant-trimer模型与众多的实验结果吻合的最好。在论文的第四章中，我们分别针对岛状3C-SiC(111)表面和6H-SiC(0001)表面上出现的结构不同的(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))R30°再构提出了两个Si原子覆盖度不同的结构模型(double-trimer模型和single-trimer模型)。在double-trimer模型中，在SiC衬底的Si端上每个(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))单元包含一个无缺陷的Si原子吸附层和其上的两个不等高的Si原子叁聚物，共18个吸附Si原子。另外，分属不同叁聚物的临近的Si原子形成了Si原子二聚物。Double-trimer模型的吸附Si原子的覆盖度高于(3×3)再构，这与实验观察到的结果一致。模拟的double-trimer模型表面的STM图像与实验观察到的STM图像非常吻合。计算的电子结构表明double-trimer模型表面二聚物Si原子上的悬挂键形成了π键并在体能隙里诱导出了两个子能带。在single-trimer模型中，在SiC衬底的Si端上每个(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))单元包含一个无缺陷的Si原子吸附层和其上的一个Si原子叁聚物，共15个吸附Si原子。其吸附Si原子的覆盖度低于(3×3)再构，这也与实验观察到的结果一致。模拟的single-trimer模型表面的STM图像以及(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))再构和(3×3)再构共存表面的STM图像都与实验中的STM图像吻合。计算的电子结构表明single-trimer模型的表面是半导体性的而之前的Tri-Ad模型的表面是金属性的。这为以后实验鉴别6H-SiC(0001)表面上(2 3~(1／2)×2 3~(1／2))再构single-trimer模型和Tri-Ad模型的正确性提供了一个简便的判据。最后，表面能的计算表明double-trimer模型和single-trimer模型在能量上比之前提出的DV模型和Tri-Ad模型更稳定。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
表面再构论文参考文献
[1].郭婧,邹德恕,高伟,秦园,刘自可.新型表面再构的倒装AlGaInPLED[J].光电子.激光.2010
[2].李云.3C-SiC（111）和6H-SiC（0001）表面再构的原子结构和电子结构的理论研究[D].复旦大学.2006
[3].张立新,王恩哥.Mn/GaAs(001)的表面再构与Mn的磁矩研究[J].物理学报.2006
[4].牛晨亮.表面再构对GaAs分子束外延薄膜生长的影响[D].河北工业大学.2006
[5].赵德华,马志广,臧雅茹,潘荫明,赵学庄.控制脉冲还原法研究氧化物Bi_3FeMo_2O_（12）的表面再构[J].化学物理学报.1995
[6].贺仲卿,侯晓远,丁训民.GaSb(100)的表面再构[J].物理学报.1992
[7].李哲吟,刘惠周.Ge在Si上外延中表面再构的作用[J].半导体情报.1991
[8].刘惠周,李哲吟.Ge/Si应变外延薄膜的表面再构[J].半导体情报.1991
[9].胡兹莆,潘必才,范伟成.倍层法计算碱金属诱导的Cu(110)-(1×2)表面再构[J].物理学报.1990
[10].陈可明,周国良,盛篪,蒋维栋,张翔九.Ge/Si(111)与Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构研究[J].物理学报.1990
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