导读:本文包含了表面态论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:表面,薄膜,绝缘体,拓扑,效应,量子,显微镜。
表面态论文文献综述
孔德芬[1](2019)在《不同表面态结构钒酸铋的制备及其光催化性能研究》一文中研究指出钒酸铋(BiVO_4)是一种可见光响应的光催化剂,在降解有机污染物的应用方面显示出良好的光催化性能。本论文通过采用改变实验方法、增加表面缺陷态、金属离子改性等手段来构筑不同表面态性质的BiVO_4,研究了其光催化性能。采用X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、荧光光谱仪和紫外-可见漫反射光谱仪等多种分析技术对样品进行了表征,并进一步探究了不同形貌样品的表面态性质与光催化性能之间的关系。本论文的主要内容包括以下叁部分:a)采用两步合成法,制备具有高比表面积和高吸附性能的BiVO_4纳米纤维。乙二醇(EG)和NaOH溶液对其形成起重要作用。用该方法制备出的BiVO_4纳米纤维比普通的BiVO_4样品具有更高的比表面积,吸附性能大大增加。同时BiVO_4纳米纤维的酸性表面态性质有助于染料的降解。此外,我们以高吸附性能BiVO_4纳米纤维为基底,通过掺杂金属离子M~(n+)制备了具有高催化性能的M_xV_yO_z-BiVO_4光催化剂。实验结果表明Ce~(3+)的加入抑制了钒酸铋的晶型转变,进而提高了其光催化活性。b)通过碱刻蚀处理,构建缺陷表面态,制备不同形貌和晶相的BiVO_4光催化剂。用低浓度NaOH处理后,BiVO_4多面体的表面经过缓慢蚀刻并变得粗糙。当NaOH浓度增加到一定值时,多面体BiVO_4样品可完全转变成其它相,例如正四面体状的Bi_2O_3、片状和棒状的Bi_7VO_(13)、以及叁角块状和立方体状的Bi_(25)VO_(40)。特别是,当NaOH的浓度为0.1 M时,所得样品是具有粗糙表面的多面体状BiVO_4和规则的四面体状Bi_2O_3的复合物。该复合材料在几种有机污染物的降解过程中均表现出最佳的光催化活性。通过对复合材料降解机理的探索,结果表明:BiVO_4与Bi_2O_3的复合大大提高了光生电子-空穴对的转移速率,进而产生了h~+等高活性物种。此外,不同晶相的钒酸铋光催化剂还显示出对大肠杆菌的抗菌活性,极大地抑制了细菌的生长和增殖,在生物领域具有潜在的应用。c)以纳米纤维状、多面体状、珊瑚状和球状的单斜相BiVO_4光催化剂为研究对象,研究不同表面态对光催化性能的影响机制。通过多种检测技术研究结果如下:具有最高比表面积的纳米纤维状BiVO_4对有机物有最佳的吸附性能;多面体状BiVO_4样品的光催化降解有机物的活性高于球状BiVO_4样品的光催化活性,这是由于多面体状BiVO_4样品的光生电子-空穴对的分离效率比珊瑚状和球状的分离效率高。利用酸碱滴定、Zeta电势等方法测定,发现不同形貌BiVO_4样品表面均存在表面羟基,但多面体状BiVO_4样品的表面酸性羟基数目比珊瑚状和球状BiVO_4样品的多,较多的表面羟基与空穴反应形成较多的活性物种羟基自由基(·OH),有效地降解了水中的有机污染物。本论文旨在为开发其它高效的可见光响应光催化剂提供基础数据和理论支持,并且这些结果对正确、清晰地认识降解机理具有重要意义。(本文来源于《曲阜师范大学》期刊2019-03-01)
王小卡,汤富领,薛红涛,司凤娟,祁荣斐[2](2018)在《H,Cl和F原子钝化Cu_2ZnSnS_4(112)表面态的第一性原理计算》一文中研究指出采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统研究了Cu_2ZnSnS_4体相的晶格结构、能带、态密度及表面重构与H,Cl和F原子在Cu_2ZnSnS_4(112)表面上的吸附和钝化机理.计算结果表明:表面重构出现在以金属原子Cu-Zn-Sn终止的Cu_2ZnSnS_4(112)表面上,并且表面重构使表面发生自钝化;当单个H,Cl或F原子吸附在S原子终止的Cu_2ZnSnS_4(112)表面上时,相比于桥位(bridge)、六方密排(hcp)位和面心立方(fcc)位点,叁种原子均在特定的顶位(top)吸附位点表现出最佳稳定性.当覆盖度为0.5 ML时,无论H,Cl还是F原子占据Cu_2ZnSnS_4(112)表面的2个顶位均具有最低的吸附能.以S原子终止的Cu_2ZnSnS_4(112)表面在费米能级附近的电子态主要由价带顶部Cu-3d轨道和S-3p轨道电子贡献,此即表面态.当H,Cl或F原子在表面的覆盖度达0.5 ML时,费米能级附近的表面态降低,其中H原子钝化表面态的效果最佳,Cl原子的效果次之,F原子的效果最差.表面态降低的主要原因在于吸附原子从S原子获得电子致使表面Cu原子和S原子在费米能级处的态密度峰几乎完全消失.(本文来源于《物理学报》期刊2018年16期)
刘媛媛[3](2018)在《MWNTs表面态对聚酰亚胺基复合薄膜微观结构及阻变特性影响》一文中研究指出信息技术的快速发展要求电存储器件具有非易失性、存储容量高、响应速度快和制造成本低等特性。聚合物存储器具有运行速度快、存储密度高、功耗低、结构灵活、制造工艺简单、成本低等特点,成为新一代存储器件重要发展方向。由于碳纳米管的碳原子以s p~2杂化方式成键,每个碳原子以σ键与其它三个碳原子相连接,π电子与其它碳原子的π电子形成离域π键,使其具有独特的电学特性。近年,碳纳米管/聚合物复合材料存储器件引起人们广泛关注,开展相关研究,取得显着进展。通常,高表面能的碳纳米管易于团聚,且与聚合物相容性差,导致碳纳米管掺杂在聚合物基体中分散性较差,改善碳纳米管在聚合物中的分散性,是聚合物基存储器件的重要研究课题之一。目前,普通碳纳米管/聚合物基存储器件存储形式相对单一、开关电流比小。为了提高存储器件开关电流比和电流稳定性,实现多种形式存储,本文通过官能团修饰及纺丝炭化处理碳纳米管表面,制备不同表面态碳纳米管/聚酰亚胺基复合薄膜及电学存储器件,研究多壁碳纳米管(MWNTs)表面态对聚酰亚胺基复合薄膜微观结构及其存储器件阻变特性影响。采用原位聚合法制备不同组分掺杂的MWNTs/PI、端基化M WNT s/P I及纺丝炭化S C-M WNT s/P I叁种类型复合薄膜,通过X射线衍射、红外光谱、扫描电镜、同步辐射小角X射线散射、透射电镜表征复合薄膜的微观结构,研究不同MWNTs表面态对复合薄膜微观结构的影响。研究结果表明,端基化及纺丝炭化MWNTs表面态影响界面层及分子轨道能级分布,复合薄膜分子轨道能级分为叁种类型:单能级型、双能级型和单双混合型;纯MWNTs及羟基MWNTs与PI基体间形成界面层和单能级型分子轨道能级;羧基化MWNTs与PI基体间形成界面层,具有双能级型分子轨道能级;纺丝炭化S C-M W N T s与P I基体间形成双界面层,具有单双混合型分子轨道能级。利用电化学分析仪、宽频介电谱、电双稳态等测试方法研究不同MWNTs表面态对聚酰亚胺基复合薄膜介电性能及其存储器件阻变特性的影响。研究结果表明,单能级型实现二级阶变存储,高导态下符合空间电荷限制电流(SCLC)I~V~2特性;双能级型实现叁级阶变存储,高导态下符合I~V欧姆电流特性,开关电流比小;单双混合型实现叁级阶变存储,高导态下符合SCLC的I~V~2电流特性,开关电流比大;叁级阶变存储器件的复合薄膜均呈现负介电特性,具有双能级结构和深、浅陷阱。根据实验结果,本文依据不同表面态MWNTs/聚酰亚胺复合薄膜分子轨道能级及界面层分布特点,分别建立单能级型、双能级型和单双混合型叁种存储器件界面电荷传输模型,分析存储器件单、双界面层作用及电荷传输机理,为制备不同存储形式的聚酰亚胺基存储器件提供理论依据。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2018-06-01)
王夏烘[4](2018)在《量子自旋霍尔绝缘体的结构设计与拓扑表面态的调控》一文中研究指出拓扑绝缘体有很多的新颖的性质。这些性质可能在拓扑量子计算和自旋电子学上有巨大的应用。拓扑绝缘体的表面上的电子的自旋和角动量是垂直锁定的,这会受到时间反演对称性的保护。电子在表面上运输时,电子的能量是无耗散的,这在电子器件上有很大的潜在应用。在第一章,本文主要介绍了霍尔效应,量子自旋霍尔绝缘体以及叁维拓扑绝缘体的研究进展和理论知识。在第二章,本文介绍了密度泛函理论,声子谱计算的理论推导过程,同时介绍了VASP计算软件包的功能。在第叁章,本文介绍了我们的量子自旋霍尔绝缘体的研究结果。在理论上和实验上预言和发现稳定的大带隙的量子霍尔绝缘体是非常重要的。根据第一性原理计算,我们发现未经化学修饰的As(110)和Sb(110)薄膜是呈现金属态的,它们没有带隙。我们用H原子和卤族元素(Cl和Br)来化学修饰As(110)和Sb(110)薄膜。化学修饰后,X-D薄膜(X=As Sb和D=H Cl Br)变成了稳定的大带隙的量子霍尔绝缘体。计算时加入自旋轨道耦合后,这些X-D薄膜的带隙的范围是0.121eV到0.304eV。大带隙使量子霍尔绝缘体材料可以应用到室温的器件中,这个带隙是来源于自旋轨道耦合相互作用。当调节自旋轨道耦合强度时,可以发现所有这些薄膜的带隙和自旋轨道耦合强度呈线性关系。计算X-D薄膜的纳米带的能带结构时,观察到了这些材料的边界态。波函数的实空间的投影的计算结果表明所有这些X-D薄膜的边界态的穿透深度都大约是1nm。通过计算发现这六种X-D薄膜的_(Z2)的拓扑不变量(ν)为1,这进一步表明X-D薄膜是量子自旋霍尔绝缘体。在第四章,本文介绍了磁性元素对拓扑绝缘体表面电子态的磁调控。为了实现拓扑磁电效应,需要引入时间反演对称性破缺,打开表面态的带隙。我们用磁性原子Mn和Eu替换中Pb_2Bi_2Se_5的Pb原子,然后把X_2Bi_2Se_5与Bi_2Se_3结合形成异质结。通过这样方式,可以打开Bi_2Se_3的表面态的带隙。通过第一性原理计算,发现磁性超晶格X_2Bi_2Se_5是大带隙的反铁磁结构。在有SOC的情况下,Mn_2Bi_2Se_5和Eu_2Bi_2Se_5的带隙分别为0.249eV和0.189eV。通过计算两种异质结的能带结构,可以发现Mn_2Bi_2Se_5与Bi_2Se_3结合形成的异质结的带隙被打开了,带隙为0.016eV。异质结Eu_2Bi_2Se_5/Bi_2Se_3的带隙为0.012eV。(本文来源于《上海交通大学》期刊2018-06-01)
邵林那[5](2018)在《金属硫化物半导体的表面态调控及在臭氧检测中的应用》一文中研究指出用于监测气态污染物(如臭氧(O_3)和二氧化氮(NO_2))的气体传感器最重要的是制造传感器阵列。影响半导体气敏传感器选择性的关键有特异性吸附、材料表面状态(吸附位点、反应位点、氧化活性、酸碱特性等)和选择性改进策略(基体材料筛选、负载与掺杂、表面修饰、工作温度调控等)叁大要素。金属硫化物半导体的表面态密度很低,对表面电性能的变化十分敏感,具有作为高灵敏电阻型气敏材料的潜力。所以,我们将通过使用Zn~(2+)掺杂MoS_2超薄纳米片(UNs)和对MoS_2 UNs进行表面改性的方法来提高半导体的识别功能、敏感体利用,开发具有不同的响应和识别不同分析物的模式的化学感应传感器阵列。(1)将1mmol的钼酸铵和30mmol的硫脲溶于35mL蒸馏水中,分别加入0,0.01,0.03,0.05,0.09和0.15mmol乙酸锌,通过水热法制备含有Zn~(2+)掺杂的MoS_2 UNs,用薄刷子将MoS_2 UNs的糊剂涂覆在陶瓷基板上以形成传感膜,制造出基于MoS_2 UNs的传感器。通过研究发现,与纯MoS_2传感器相比,含5%Zn~(2+)的MoS_2传感器对O_3和NO_2五种分析物的响应提高了160%以上,表明Zn~(2+)掺杂成功地适应了MoS_2基体的传感性能。通过掺杂不同的金属离子并且改变它们在MoS_2中的掺杂量的方法来构建一个多功能的传感器阵列。此外,含5%Zn~(2+)的MoS_2传感器对O_3和NO_2的检测限分别为17和215 ppb。传感器阵列在现实生活中的检测14秒内就能识别O_3,NO_2和其他分析物。(2)将1mmol的钼酸铵和30mmol的硫脲制成MoS_2 UNs,再与0.1mmol/L S1-4(注:S1-L-半胱氨酸,S2-DL-赖氨酸,S3-Nε-叁氟乙酰基-L-赖氨酸,S4-8-羟基喹啉)分别均匀混合制得表面改性后的MoS_2 UNs。最后制得MoS_2 UNs传感器阵列。通过对O_3,C_2H_6O,CH_2O,N_2-NO_2气体检测的研究发现,不同传感器对同一目标气体的响应随着不同药品参与表面改性的变化而明显变化,同一传感器对不同目标气体的响应变化较大,表明掺杂S1-4对MoS_2 UNs的传感性能具有明显的剪裁效应和良好判别性能。(本文来源于《新疆大学》期刊2018-05-21)
李启立[6](2018)在《表面态对近藤效应的调控:实验和理论研究》一文中研究指出在凝聚态物理中,近藤效应由于其电子关联现象而被广泛研究。它描述了磁性杂质在非磁宿主中与周围传导电子发生自旋相关的相互作用。在低温下,一个多体非磁单态会形成,在宿主电子的费米能级附近产生一个谱特征,即近藤或Abrikosov-Suhl共振。现在,这个共振能用低温扫描隧道谱很方便地探测,并且可以实现单个原子或分子的探测。其中,有一个特征温度叫做近藤温度(TK),它与费米能处态密度ρ(EF)和交换常数J有关。当有表面态穿过费米能时,它也被期望会对TK有影响。然而,关于表面态是否且怎么影响TK仍处于激烈的争论中。通过利用低温扫描隧道显微镜并结合原子操纵术,我们对Co单体在Ag(1 11)表面的近藤共振进行了系统的研究,并且找到强有力的证据表明表面态的确影响近藤温度。Co吸附原子近藤温度的振荡幅值在以下叁种情形依次增加:(i)放在另一个Co原子附近;(ii)在台阶边附近;(iii)量子限制在纳米围栏内。我们的发现能用一个解析模型来理解,在该模型中体态和表面态的贡献是以它们分别与Co吸附原子之间的交换值Jb和Js来计权重的。利用该模型得到的Jb和Js在叁种情形下是一致的。我们的发现也表明通过对表面态局域态密度的局域改变可以实现对近藤效应的调控。与之前的方法相比,在我们的方法中近藤效应可以被连续大幅度的调控,因而为自旋电子学和基于自旋的量子信息处理提供了一个新的研究方向。我们的实验观测表明Co原子放置搭建在Ag(111)表面上的纳米围栏中心,其近藤温度作为围栏半径的函数而强烈振荡。对这个效应的理解需要一个理论方法能处理包含多个吸附原子的近藤效应。为了能够处理多个吸附磁性杂质吸附在贵金属表面的复杂情形,我们构造了一个基于安德森杂质模型的强弱耦合极限理论方法。该方法的主要思想是,在表面上的多个吸附原子间的耦合可以通过重整化得到。我们的计算不仅能重现近藤共振宽度作为围栏尺寸的振荡行为,并且还预测了它也将作为到围栏中心间距的函数振荡。我们进一步进行了低温扫描隧道谱测量,发现能和预测一一对应起来。理论和实验之间符合得很好,表明我们的方法对包含多杂质的近藤问题是有效的。(本文来源于《南京大学》期刊2018-05-01)
谢克学[7](2018)在《超结构表面态密度对近藤效应的影响》一文中研究指出近藤效应作为一个强关联体系在固体物理中有着很重要的位置。近藤效应来源于非磁性金属的传导电子被磁性杂质所散射。当系统的温度降到一个特征温度(近藤温度)以下时,杂质原子的费米能级处会出现一个共振峰(近藤共振)。而近藤共振的峰宽可以表征近藤效应的强弱且可以很方便被STM探测到。控制电子和磁性原子的相互作用对未来的纳米磁性器件或者量子信息存储有着重要的意义,所以,近藤效应的研究近些年吸引了很多人的注意。最近Li et al.的文章证明了通过量子围栏调控的表面态可以对近藤效应进行调制。单层的Ag生长在Cu(111)表面可以形成超结构。对于形成超结构的1ML-Ag/Cu(111)表面,电子态密度也会随着空间发生变化。所以在1ML-Ag/Cu(111)表面上我们期望也会出现近藤效应被调制的现象。之前的文献报道在1ML-Ag/Cu(111)表面研究Co原子的近藤效应,他们只给出单个的数据点但没有对在不同位置近藤效应进行讨论。在这篇论文中,我们研究了 Co原子在1ML-Ag/Cu(111)表面的不同位置的近藤效应。利用原子操纵,我们可以把单个Co原子放置在1ML-Ag/Cu(111)超结构表面的不同位置进而可以研究Co原子在不同位置的近藤效应。我们发现近藤共振的峰宽在1ML-Ag/Cu(111)表面的不同位置会有变化:在hcp/fcc边界(hcp/fcc boundary),Co原子的近藤峰宽几乎和态密度变化无关;但对于fcc区域,我们发现近藤效应的变化和局域态密度的变化有着很强的关联性,即近藤效应是随着位置变化的。为了去理解随着态密度变化而变化的近藤效应,我们进一步利用紧束缚近似去计算1ML-Ag/Cu(111)表面的局域态密度(LDOS)。通过对比实验和计算得出的局域态密度,我们发现1ML-Ag/Cu(111)表面态密度的空间变化的主要来自于表面态的贡献。在1ML-Ag/Cu(111)体系中不仅表面态电子,体态电子也同样贡献近藤效应,我们利用最近报道的近藤模型去拟合我们的数据。最后我们定量的给出体态和表面态的贡献大小,即磁性原子和体态电子的耦合系数(Jb)和磁性原子和表面态电子的耦合系数(Js)。这些结果表明了超结构对近藤效应的影响,也进一步证明了表面态对近藤效应的贡献。(本文来源于《南京大学》期刊2018-05-01)
祁荣斐[8](2018)在《黄铜矿结构Cu-Ⅲ-Ⅵ_2族光电、热电材料表面态钝化及掺杂性质的计算研究》一文中研究指出光电、热电材料作为清洁、绿色的新型能源材料,发展潜力巨大,应用前景广阔。它们都能将不同形式的能量直接转换为环保、高效、廉价的电能。其中,光电材料可将自然界中源源不断的太阳光能转化为电能;热电材料可将工业余热、汽车尾气等环境废热直接转化为电能。太阳能电池是将光能转换为电能的器件,其中Cu In_(1-x)-x Ga_x Se_2(CIGS)薄膜太阳能电池具有转化效率高、制造成本低和电池性能比较稳定等优势,受到国内外的广泛关注。然而,CIGS材料表面表面态(大量表面缺陷引起)的存在致使少数载流子在CIGS背表面发生复合,严重降低电池的光电转换效率。因此,研究如何钝化(消除)CIGS材料表面态对于提高光伏性能具有重要意义。热电材料通常用于热电器件中,可提高能量利用效率,在解决能源危机和环境污染问题等方面具有极大的应用潜力。近年来,人们在实验中发现Cu_(0.714)Ga Te_2(CGT)半导体材料具有优良的热电性能。但是,目前相应的理论计算研究滞后于实验研究。为此,本论文采用理论计算方法研究了Sb原子间隙掺杂对CGT热电材料结构-性能的影响,可以为实验提高CGT的塞贝克系数、改善热电性能提供理论依据和指导。本文采用第一性原理计算方法系统研究了太阳能电池材料Cu In_(0.75)Ga_(0.25)Se_2(CIGS)体相的晶格结构、能带结构和电子态密度,CIGS(112)表面的重构现象、表面态以及Cl、F和H元素对CIGS(112)表面的钝化作用。以Cu-In-Ga(CIG)原子为终端的CIGS(112)表面模型在费米能级附近无态密度出现。分析发现,这是由于表面层原子位置变化较大、部分原子重构引起表面边缘发生自钝化导致的。以Se原子为终端的CIGS(112)表面模型在费米能级附近则出现了新的电子态密度峰(表面态)。新态密度峰主要源自Cu原子的3d轨道电子和Se原子的4p轨道电子贡献,其存在会降低CIGS太阳能电池的转换效率。为了消除表面态、提升电池性能,我们尝试采用Cl、F和H原子对以Se为终端的CIGS(112)表面进行钝化处理。计算结果表明,当覆盖度为0.5 ML的Cl、F和H原子吸附在CIGS(112)表面时,相较于桥位、密排六方(hcp)和面心立方(fcc)位点,这些原子优先占据表面的顶部位置,即顶位是相对稳定的吸附位置。稳定吸附结构的电子态密度表明,在表面添加Cl、F和H原子后费米能级附近的电子态密度均明显降低。这说明Cl、F、H元素在表面吸附后,均能有效钝化表面态。相比之下,H原子的钝化效果最佳、Cl原子的钝化效果次之、F原子的最弱。通过计算不同Sb掺杂浓度下热电材料Cu_(0.714)Ga Te_2(CGT)的晶格结构、能带和电子态密度,本文发现,Sb原子掺杂CGT后(间隙位置掺杂),Sb原子周围晶格的畸变程度较大,但CGT的晶格常数却保持不变;在晶胞内Sb原子与其周围紧邻原子形成稳定的键合,具有相对稳定的晶格结构;掺杂后CGT的禁带宽度变窄或消失,且在费米能级附近出现新的尖锐的电子态密度,这些电子态主要源自Sb原子的5p轨道电子贡献。上述结果表明,在CGT中掺杂Sb原子后,体系的电子性质有较大变化,提高了体系费米能级附近态密度;增大了塞贝克系数,有利于改善CGT材料的热电性能。(本文来源于《兰州理工大学》期刊2018-03-12)
陈实[9](2018)在《少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜电子结构和表面态耦合作用的理论研究》一文中研究指出本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜的电子结构、磁性和光学性质及其厚度依赖性,主要研究内容和结果包括两方面:1.厚度为1~8QL的Bi_2Se_3薄膜的表面态之间耦合相互作用的空间和厚度依赖性,以及对输运性质和光学性质的影响。本部分首先研究了拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜的几何参数和结构稳定性,其次对各体系的电子结构和光学性质进行了计算和分析。发现薄膜上下表面耦合作用表现出明显的空间和厚度依赖性,从表面态之间的杂化对这种依赖性进行了分析,据此解释了实验报道的输运性质对厚度依赖的非均匀性。另外,发现基于电子结构得到的光学性质同样具有明显的厚度依赖性。计算结果发现随着厚度的增加,虚介电函数在低能区和高能区产生的多峰结构分别发生红移和蓝移。红移趋势与最近报道的实验观察一致,而蓝移首次被研究。本研究结果对基于Bi_2Se_3薄膜器件的输运和光学特性给出了详细的理解。2.厚度为1QL的Bi_2Se_3薄膜体系中不同类型的Se空缺和Mn替代对电子结构的影响以及Se空缺和Mn替代之间的相互作用。本部分针对1QL的Bi_2Se_3薄膜,计算了Se/Bi空缺、磁性原子Mn替代Bi/Se、多Se空缺、Mn替代Bi与Se空缺同时存在的四类情况下的电子结构。计算结果包括形成能、电子结构以及磁矩。计算发现Se缺陷将导致轨道杂化并引入间隙态,但不会引入磁性;相反Bi缺陷将引入磁矩,但不会引入间隙态。Mn替代Bi后与Bi空缺情况下电子结构类似,但前者的费米能级更接近价带顶。对于Se空缺比较集中与比较分散两种情况下,前者可能对电子结构影响更大。当替代Bi的Mn和Se缺陷同时存在时,由于Se缺陷影响到Mn和Se的成键,Se空位与Mn不相邻时,空缺对体系的影响较小,费米能级则更接近禁带。本文工作获得了Bi_2Se_3薄膜和掺杂Bi_2Se_3薄膜计算的电子结构、光学和磁学性质,所得结果与部分实验结果一致,加深了对相关实验结果的理解。(本文来源于《合肥工业大学》期刊2018-03-01)
郑家伟,姜玲,丁勇,莫立娥,丁有才[10](2017)在《Au掺杂对TiO_2薄膜表面态及电荷传输性能的影响》一文中研究指出采用两步法合成了不同Au掺杂量的TiO_2薄膜材料,并通过循环伏安(CV)和电化学阻抗谱(EIS)探究了不同Au掺杂量TiO_2薄膜的表面态数量及其在禁带中的分布情况.借助强度调制光电流/电压谱(IMPS/IMVS)研究了薄膜内电子传输时间和寿命及界面电荷转移性能等.结果表明,适量Au(摩尔分数0.2%)的掺入可有效降低薄膜的表面态数量,优化表面态分布情况,提高电子在TiO_2/染料/电解质界面的电阻,从而改善电子的传输性能,提升太阳电池的光电转换效率.(本文来源于《高等学校化学学报》期刊2017年11期)
表面态论文开题报告
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统研究了Cu_2ZnSnS_4体相的晶格结构、能带、态密度及表面重构与H,Cl和F原子在Cu_2ZnSnS_4(112)表面上的吸附和钝化机理.计算结果表明:表面重构出现在以金属原子Cu-Zn-Sn终止的Cu_2ZnSnS_4(112)表面上,并且表面重构使表面发生自钝化;当单个H,Cl或F原子吸附在S原子终止的Cu_2ZnSnS_4(112)表面上时,相比于桥位(bridge)、六方密排(hcp)位和面心立方(fcc)位点,叁种原子均在特定的顶位(top)吸附位点表现出最佳稳定性.当覆盖度为0.5 ML时,无论H,Cl还是F原子占据Cu_2ZnSnS_4(112)表面的2个顶位均具有最低的吸附能.以S原子终止的Cu_2ZnSnS_4(112)表面在费米能级附近的电子态主要由价带顶部Cu-3d轨道和S-3p轨道电子贡献,此即表面态.当H,Cl或F原子在表面的覆盖度达0.5 ML时,费米能级附近的表面态降低,其中H原子钝化表面态的效果最佳,Cl原子的效果次之,F原子的效果最差.表面态降低的主要原因在于吸附原子从S原子获得电子致使表面Cu原子和S原子在费米能级处的态密度峰几乎完全消失.
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
表面态论文参考文献
[1].孔德芬.不同表面态结构钒酸铋的制备及其光催化性能研究[D].曲阜师范大学.2019
[2].王小卡,汤富领,薛红涛,司凤娟,祁荣斐.H,Cl和F原子钝化Cu_2ZnSnS_4(112)表面态的第一性原理计算[J].物理学报.2018
[3].刘媛媛.MWNTs表面态对聚酰亚胺基复合薄膜微观结构及阻变特性影响[D].哈尔滨理工大学.2018
[4].王夏烘.量子自旋霍尔绝缘体的结构设计与拓扑表面态的调控[D].上海交通大学.2018
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