导读:本文包含了氮化镓论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:氮化,半导体,半导体材料,盘锦,功率,死区,器件。
氮化镓论文文献综述
张梦然[1]（2019）在《氮化镓逆变器成功应用于电动汽车》一文中研究指出科技日报北京10月27日电（记者张梦然）日本一研究团队近日宣布，他们利用半导体材料氮化镓（GaN）研发的逆变器，已首次成功应用在电动汽车上，有望让电动汽车节能20%以上。该研究团队由2014年诺贝尔物理学奖得主之一、日本名古屋大学教授天野浩领导。(本文来源于《科技日报》期刊2019-10-28）
[2]（2019）在《银纳米粒子增强了氮化镓红色发光二极管》一文中研究指出日本大阪大学已将银纳米颗粒(Ag NPs)与掺euro的氮化镓(GaN:Eu)发光二极管相结合,以将红色电致发光的强度提高了2倍。(物理学,Express,第12卷,p095003,2019)。输出功率的提高归因于Ag NP上的局部表面等离子体激元(LSP)自由电子振荡与产生红色光子的Eu离子中的电子跃迁之间的耦合。GaN:Eu LED在Eu3+离子的电子状态下通过～620nm的波长跃迁工作,而不是氮化铟镓(InGaN)器件的带间跃迁,对于这些器件,绿色波长约为520nm很难获得有效率的。(本文来源于《半导体信息》期刊2019年05期）
[3]（2019）在《PI布局氮化镓市场稳站电源领域领军地位》一文中研究指出近日深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations发布了其InnoSwitch~(TM)3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC的新成员——基于氮化镓的InnoSwitch3 AC-DC变换器IC,可满载情况下实现95%的高效率,并且在密闭适配器内不使用散热片的情况下可提供100W的功率输出。(本文来源于《半导体信息》期刊2019年05期）
[4]（2019）在《Power Integrations交付第一百万颗基于氮化镓的InnoSwitch3 IC》一文中研究指出2019年9月30日讯-深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations宣布交付采用该公司PowiGaN氮化镓技术的第一百万颗InnoSwitch3开关电源IC。在安克创新深圳总部的活动现场,Power Integrations公司CEO Balu Balakrishnan亲手将第一百万颗氮化镓IC交到了安克CEO阳萌手中。安克是业界知名的充电器和适配器生产厂商,致力于为全球零售商提供紧凑、强大的USB PD适配器,以及适用于笔记本电脑、智能移动设备、机顶盒、显示器、家电、网络设备和游戏产品的各种充电器和适配器。(本文来源于《半导体信息》期刊2019年05期）
[5]（2019）在《氮化镓(GaN):5G时代提高射频前端和无线充电效率的新元素》一文中研究指出5G为GaN打开应用的"闸门"5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化,无论是硅衬底还是碳化硅衬底,氮化镓(GaN)都将获得快速发展。从2G到5G,通信频率在不断地向高频发展,因此基站及通信设备对射频器件高频性能的要求也在不断提高。在此背景下,氮化镓(GaN)必将以其独特的高频特性、超高的功率密度,以及优越的集成度成为5G技术的核心器件。(本文来源于《半导体信息》期刊2019年05期）
[6]（2019）在《洛克希德马丁Q-53雷达选择Qorvo的碳化硅基氮化镓技术》一文中研究指出Qorvo日前宣布洛克希德·马丁公司选择其氮化镓(GaN)技术功率放大器,作为美国陆军Q-53雷达系统的GaN模块。将GaN技术引入多任务的移动雷达应用中,将比目前系统中广泛使用的砷化镓(GaAs)放大器实现更高的效率,功率密度,可靠性和生命周期总成本。Qorvo利用碳化硅(SiC)基GaN开发了S波段MMIC高功率放大器(HPA),与前一代GaAs材料相比,GaN HPA的饱和输出功率提高了两倍以上,功率附加效率(PAE)提高了15个百分点。(本文来源于《半导体信息》期刊2019年05期）
[7]（2019）在《郝跃院士团队实现最高性能的氮化镓微波二极管》一文中研究指出9月,CASA技术委员会委员、西安电子科技大学微电子学院郝跃院士的团队在国际权威顶级期刊IEEE Transactions on Industrial Electronics和IEEE Transactions on Power Electronics上相继报道了团队研制的国际最高性能氮化镓微波二极管、2.45GHz微波整流模块、5.8GHz微波整流模块及其高效率微波无线传能演示系统。(本文来源于《半导体信息》期刊2019年05期）
李辉,张永杰[8]（2019）在《氮化镓项目落户盘锦高新区》一文中研究指出本报讯（李辉 记者张永杰）10月14日，记者从兴隆台区获悉，辽宁百思特达半导体科技有限公司投资的氮化镓项目落户盘锦高新区。这个项目计划占地440亩，总投资15亿元，以氮化镓半导体材料为主，相关配套辅助产业为辅，并在盘锦建立新材料闭环产业园。(本文来源于《盘锦日报》期刊2019-10-15）
[9]（2019）在《浅谈氮化镓在半导体上的应用(二)》一文中研究指出(紧接上期本版)目前经过测试发现,用氮化镓材料代替传统的MOSFET后,电源的驱动损耗、开关损耗会更小,死区也缩小(缩短优化开关转换时的死区时间)。而更高的电子迁移率使得反向恢复时间极短,也就不存在反向损耗。不过虽然氮化镓的优点多,物理性能优异,(本文来源于《电子报》期刊2019-10-06）
程亮亮,刘争晖,徐耿钊,钟海舰,张春玉[10]（2019）在《超薄氮化镓制备及其光学性质》一文中研究指出超薄氮化镓(GaN)是一种厚度在纳米尺度的少层GaN薄片,相对于GaN体材料,量子限域效应会使超薄GaN的禁带宽度增大,超薄GaN有望应用于深紫外电子器件。通过使用微机械剥离法将制备出的少层硒化镓(GaSe)薄片(厚度为1～10 nm)与块状GaSe作为前驱体,氨气作为氮源,在管式炉中不同温度下退火进行氨化,得到超薄GaN及块状GaN。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、光致发光光谱及拉曼光谱对氨化后样品的形貌、成分、光学特性进行了表征。结果表明,超薄GaN的光学带隙比块状GaN大0.16 eV,拉曼光谱中的纵模光学峰也会随着超薄GaN的厚度减小发生蓝移。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年10期）
氮化镓论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
日本大阪大学已将银纳米颗粒(Ag NPs)与掺euro的氮化镓(GaN:Eu)发光二极管相结合,以将红色电致发光的强度提高了2倍。(物理学,Express,第12卷,p095003,2019)。输出功率的提高归因于Ag NP上的局部表面等离子体激元(LSP)自由电子振荡与产生红色光子的Eu离子中的电子跃迁之间的耦合。GaN:Eu LED在Eu3+离子的电子状态下通过～620nm的波长跃迁工作,而不是氮化铟镓(InGaN)器件的带间跃迁,对于这些器件,绿色波长约为520nm很难获得有效率的。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氮化镓论文参考文献
[1].张梦然.氮化镓逆变器成功应用于电动汽车[N].科技日报.2019
[2]..银纳米粒子增强了氮化镓红色发光二极管[J].半导体信息.2019
[3]..PI布局氮化镓市场稳站电源领域领军地位[J].半导体信息.2019
[4]..PowerIntegrations交付第一百万颗基于氮化镓的InnoSwitch3IC[J].半导体信息.2019
[5]..氮化镓(GaN):5G时代提高射频前端和无线充电效率的新元素[J].半导体信息.2019
[6]..洛克希德马丁Q-53雷达选择Qorvo的碳化硅基氮化镓技术[J].半导体信息.2019
[7]..郝跃院士团队实现最高性能的氮化镓微波二极管[J].半导体信息.2019
[8].李辉,张永杰.氮化镓项目落户盘锦高新区[N].盘锦日报.2019
[9]..浅谈氮化镓在半导体上的应用(二)[N].电子报.2019
[10].程亮亮,刘争晖,徐耿钊,钟海舰,张春玉.超薄氮化镓制备及其光学性质[J].半导体技术.2019
论文知识图
