金刚石热管理技术提高了氮化镓晶体管的功率

金刚石热管理技术提高了氮化镓晶体管的功率

论文摘要

<正>据《今日半导体》2019年5月2日报道,美国海军研究实验室(NRL)的一组研究人员声称,他们记录了氮化铝镓(AlGaN)势垒高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流功率密度。研究人员用金刚石替换外延生长III族氮化物器件层的硅衬底,来实现晶体管的高功率,增强热管理能力。该团队的目标是实现商用和军用电子产品所需的高频率性能和高功率密度。由于金刚石优异的导热特性,先前已用来传导高频和高功率应用中产生的

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类型: 期刊论文

来源: 半导体信息 2019年06期

年度: 2019

分类: 信息科技

专业: 无线电电子学

分类号: TN386

页码: 10-11

总页数: 2

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