同质外延论文

4H-SiC外延层中堆垛层错与衬底缺陷的关联性研究
论文摘要本研究探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片表面堆垛层错（SF）的形貌特征和起因。依据表面缺陷检测设备KLA-TencorCS920的光致发光（PL）通道和形貌通道的特点...