潜在损伤论文

瞬态闭锁试验在0.13μm大规模集成电路中引起的潜在损伤
论文摘要瞬态剂量率辐射试验会引起集成电路发生损伤或失效,其原因至少有两种:闭锁大电流引起的电路内部金属互连熔融;累积电离总剂量引起的氧化层电荷造成阈值电压偏移。本文以一种0.1...