量子阱混杂论文

Cu/SiO2逐层沉积增强无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP量子阱混杂
论文摘要研究了Cu/SiO2逐层沉积增强的无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP多量子阱混杂（QWI）行为。在多量子阱（MQW）外延片表面,采用等离子体增强的化学气相沉积...