界面态电荷论文

SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究
论文摘要碳化硅/二氧化硅（SiC/SiO2）界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会...