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富硅氮化硅薄膜论文

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    氮气流量对非晶SiNx到含有Si3N4晶粒的富硅-SiNx薄膜转变的影响

    论文摘要基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,应用高纯硅烷和氮气为反应气体,通过设置氮气流量分别为100sccm、200sccm、300sccm和400sccm四个梯...
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