超高真空化学气相沉积论文

硅缓冲层提高选区外延生长硅基锗薄膜质量
论文摘要研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响。利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO2图形衬底上...