Zn2+浓度对Zn:Ce:Cu:LiNbO3晶体缺陷结构的影响

论文摘要

采用单晶提拉法生长了不同Zn2+（1,3,5,7 mol%）离子浓度的Zn:Ce:Cu:LiNbO3单晶,为了研究Zn2+离子浓度对Zn:Ce:Cu:LiNbO3单晶缺陷结构的影响,采用光致散射光强阈值方法来测定晶体的抗光损伤能力,用电感耦合等离子原子发射光谱（ICP-AES）测试Zn:Ce:Cu:LiNbO3晶体中不同掺杂离子的有效分凝系数。试验结果表明:随着晶体中掺杂Zn2+离子浓度的增加,晶体的抗光损伤能力增强,Zn2+离子分凝系数随着晶体中Zn2+浓度增加呈现先升高后降低的趋势,在Zn2+浓度为5 mol%时达到最高点;Ce3+和Cu2+离子的分凝系数随着Zn2+离子浓度的增加逐渐降低,结合LiNbO3晶体的占位机制和锂空位缺陷解释了相关实验结果。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 王路平,代丽,韩县博,邵瑀

关键词: 锌铈铜铌酸锂晶体,抗光损伤能力,有效分凝系数

来源: 哈尔滨理工大学学报 2019年01期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学

单位: 哈尔滨理工大学材料科学与工程学院,哈尔滨理工大学理学院

基金: 黑龙江省自然科学基金(QC2015061)

分类号: O77

DOI: 10.15938/j.jhust.2019.01.017

页码: 103-107

总页数: 5

文件大小: 415K

下载量: 65

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本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/e90d4315ec4573dd9ae726c6.html