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基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析

论文摘要

较之于传统硅器件,新出现的增强型氮化镓晶体管GaN HEMTs(gallium nitride high electron mobility transistors)具有很高的开关速度和高功率密度的特性,可以为直流变换器提供有效的改进。为了解决GaN HEMT在硬开关应用场合下的波形振荡并提高功率密度和效率,采用半桥LLC谐振变换器为本次应用的拓扑结构。以减小损耗为目的,优化了LLC的谐振参数和死区时间。在400 V输入电压、开关频率300 kHz和输出电压18 V电流12 A的测试条件下,效率达到95.59%。最后对变换器的损耗来源进行分析,损耗的理论计算值接近实际测量值,证明了方法具有一定的实用性。

论文目录

  • 1 半桥LLC分析
  • 2 谐振元件的优化设计
  • 3 损耗分析
  • 4 实验结论
  • 5 结语

    • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 姚盛秾,韩金刚,李霞光,范辉,汤天浩

    关键词: 增强型氮化镓晶体管,半桥,软开关,损耗分析

    来源: 电源学报 2019年03期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑

    专业: 电力工业

    单位: 上海海事大学物流工程学院,上海电机学院电气学院

    分类号: TM46

    DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.83

    页码: 83-90

    总页数: 8

    文件大小: 1259K

    下载量: 198

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    本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/7a6cdef5fa98be649aaccc85.html