导读:本文包含了自旋极化论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:量子,霍尔,涡旋,磁电,子类,色心,单层。
自旋极化论文文献综述
刘立华,曹萌,徐仕翀,华中[1]（2019）在《自旋极化电流驱动下磁涡旋的旋转回归运动和手征性反转》一文中研究指出将方向为(-1,1,-1)的3个自旋极化电流通入纳米盘,用OOMMF(object oriented micromagnetic framework)软件分析自旋极化电流大小和位置分布对磁涡旋动力学行为的影响.结果表明:磁涡旋核做旋转回归运动时,最大速度在轨迹上的位置相对固定,利用该性质,可在最大速度处引入缺陷,使磁涡旋核运动到缺陷处被钉扎并发生反转,从而实现磁涡旋核极性的可控反转;通过改变极化电流的大小或位置,可调节磁涡旋核旋转回归运动频率的大小;在高电流密度区域,可实现磁涡旋手征性反转,且反转时间较短;与极化电流位置对称分布相比,其手征性反转的电流范围变大,达到暂态构型的时间变短.(本文来源于《吉林大学学报(理学版)》期刊2019年04期）
张洪瑞[2]（2019）在《氧化物界面自旋极化二维电子气》一文中研究指出氧化物LaAlO_3/SrTiO_3(LAO/STO)界面二维电子气自发现以来引起了人们广泛关注。在这个体系中发现了大量新奇的物理现象,如电场可调的Rashba型自旋-轨道耦合、巨热电效应、界面超导电性以及高效的电荷流和自旋流之间的相互转化等。传统半导体GaAs基的二维电子气是s、p电子导电。与其相比,氧化物二维电子气最大的特点是d电子导电。由于强电子关联,人们预期d电子二维电子气将呈现磁相关效应。研究人员尝试用各种手段证明LAO/STO界面存在磁性,但到目前为止都只能观察到具有磁性的迹象。特别地,磁输运行为中的磁滞后行为鲜有报道。因此,如何得到自旋极化的二维电子气是目前氧化物二维电子气的核心问题。本论文通过合理的材料设计,成功地在绝缘的氧化物界面获得了自旋极化的二维电子气,为相关氧化物自旋电子学的进一步发展奠定了基础。本文的主要研究内容和结论包括:1.通过在LAO/STO界面中间插入不同厚度的La_(1/8)Sr_(7/8)MnO_3(LSMO)薄膜,利用界面Mn离子的扩散,在LAO/STO体系中获得了自旋极化的二维电子气。当LSMO薄膜的厚度在1 nm以下时,界面呈现金属导电性。在LSMO厚度是1nm的样品中,发现了反常霍尔效应,其温度可以达到30 K,并且可以保持高迁移率。进一步研究发现,外加电场可以调控反常霍尔效应和高导电性。界面的快载流子在磁输运过程中起到决定性作用。当快载流子浓度超过7×10~(12) cm~(-2)时,反常霍尔效应出现,反常霍尔电阻随着快载流子浓度的增加而增加;当快载流子浓度远小于7×10~(12) cm~(-2)时,近藤效应逐渐出现。通过对负磁电阻的分析,确定界面存在磁性散射。其磁性可能来源于扩散到界面导电SrTiO_3(STO)中的Mn离子。2.利用超顺磁的Fe掺杂STO衬底,取代LAO/STO中的STO得到了高居里温度的自旋极化二维电子气。界面呈现金属导电性,在低温下观察到了近藤效应,且近藤效应不随生长氧气压变化,证明Fe掺杂引起了近藤效应。此外,在这个界面上发现了反常霍尔效应。在10~-66 mbar氧压下生长的样品反常霍尔效应可以持续到室温。随着载流子浓度的增加,居里温度和反常霍尔电阻增加。界面发现了负磁电阻,可以用Khosla和Fischer提出的经验公式完美拟合。证明此界面是稀磁二维电子气,其产生磁性的原因是局域磁矩与巡游电子之间相互作用。3.在铁磁绝缘体EuO和5d过渡金属氧化物KTaO_3界面发现了自旋极化的二维电子气,且二维电子气具备高导电性。控制生长温度可以调节界面载流子浓度,温度越高载流子浓度越大。在2 K温度下最高的迁移率达到111.6 cm~2/Vs。通过磁电阻测量发现了具有明显磁滞后的磁电阻效应。磁滞后是铁磁有序的强有力的证据。霍尔效应测试发现其存在反常霍尔效应且同样具有磁滞后行为,温度可以到达70 K。理论计算表明其磁性来源于Eu的d电子与Ta的d电子相互作用,使Ta的d电子自旋极化。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
赵娟[3]（2019）在《基于固态电子自旋极化的矢量磁场测量机理研究》一文中研究指出近年来,氮空位(NV)中心作为优异的固态电子自旋量子体系,其电子自旋在室内温度下具有较长的相干时间,被激光辐射易读出的特性,使其在量子调控和量子传感领域获得突破性进展。同时,利用微波和射频技术调控NV色心自旋态可以实现量子精密磁探测,结合其结构对称性,采用多频微波脉冲同步控制NV色心的不同晶轴还可以提高其矢量磁测量灵敏度。因此基于固态电子自旋的精准操控实现高灵敏度磁探测成为了我们的研究目标。主要研究内容如下:首先简要介绍了固态电子自旋极化及矢量磁场测量当前的研究水平和研究手段,从本质上介绍了NV色心的基本性质:包括物理、电子、能级结构及其自旋极化机理,同时介绍了NV色心的加工工艺及光谱特性。重点分析了基于光学检测磁共振技术的几种自旋调控方法及原理。总结了矢量磁测量原理及灵敏度的测量方法。其次,为了实现固态电子自旋极化,我们以产生高精度同步时序脉冲为研究目标,设计了基于Labview和spincore的脉冲序列发生模块和数据采集、存储、运算模块,实现了不同仪器间的同步运行。同时设计了实现自旋调控实验的脉冲序列,结合自主搭建的软硬件系统,测量了系综NV色心拉比振荡周期为300ns。通过实验还测试了NV色心的自旋回声和退相干时间,并对实验调控参数进行了优化。最后,根据NV色心的结构对称性对矢量磁场测量进行空间数学建模,从理论上推导了磁场大小和方向与NV轴之间的关系,通过实验进行了验证。同时研究了矢量磁场与调控关键参数如拉比振荡的关系。实验通过利用微波、激光技术实现了固态电子自旋极化及矢量磁场的测量,为未来延长退相干时间,提高磁检测灵敏度提供了良好实验平台。(本文来源于《中北大学》期刊2019-05-30）
曾柏魁,谢征微[4]（2019）在《以铁磁绝缘体和铁磁半导体为势垒层的隧道结中的隧穿时间与自旋极化率》一文中研究指出基于Winful的隧穿时间模型,对普通金属/铁磁绝缘体/普通金属(NM/FI/NM)、普通金属/铁磁半导体/普通金属(NM/FS/NM) 2种隧道结中的隧穿时间(居留时间和相位时间)和自旋极化率进行了研究.NM/FI/NM结中隧穿电子的自旋极化源于FI层的自旋过滤效应.而NM/FS/NM结中隧穿电子的自旋极化则源于FS层中磁性和Rashba自旋轨道耦合效应的共同作用.计算结果表明:在NM/FI/NM隧道结中,随着铁磁绝缘体层势垒厚度的增加,自旋极化率变化逐渐增加到趋于饱和并始终保持为正值.与之相应的自旋上下电子的居留时间和相位时间也随着增加,但自旋向下电子的隧穿时间总是大于自旋向上电子.铁磁绝缘体层中分子场的增加会导致自旋极化率逐渐增大并始终为正,相应的自旋向下电子的居留时间和相位时间总是大于自旋向上电子,但自旋向上电子的时间逐渐增加而自旋向下电子则相应减少.铁磁绝缘层势垒高度的变化会导致自旋极化率从负到正的转变.当自旋极化率为负时,相应的自旋向上电子的隧穿时间大于自旋向下电子的隧穿时间.在NM/FS/NM结中,由于Rashba自旋轨道耦合作用,自旋向上电子和自旋向下电子的隧穿时间随铁磁半导体层的厚度、分子场和Rashba耦合系数的变化呈现出周期性振荡变化的趋势.与之相应的自旋极化率从正到负,也呈周期性的振荡变化.但当自旋向下电子的隧穿时间大于自旋向上电子的时候,极化率为负,反之为正;这个结果和NM/FI/NM隧道结中的情况刚好相反.(本文来源于《四川师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
李晓腾[5]（2019）在《基于Sn、In新型二维材料光催化和自旋极化性质的理论研究》一文中研究指出以单层石墨烯为代表的二维纳米材料因其丰富的物理化学性质以及在各个领域的广泛应用而备受关注。近年来,二维纳米材料的研究成果层出不穷,涉及到的材料包括石墨烯、硅烯、锗烯、锡烯、磷烯和金属硫族化合物等。这些二维纳米材料丰富了的低维纳米材料体系,其优异的性质在凝聚态物理、材料化学和纳米技术等研究领域均表现出重要的应用价值。目前,二维纳米材料的研究已经成为材料科学的前沿。例如,在半导体应用方面,二维半导体纳米材料通常具有较高的载流子迁移率、超大的比表面积以及外场可控的能带结构和带边位置,为实现新型纳电子器件和高效的光催化等应用提供了新途径。在自旋器件应用方面,二维磁性体系具有较稳定的自旋极化性质,能够满足超高的存储速度、超大容量信息存储和处理能力以及器件尺寸微型化等多种需求,推动了新一代高性能自旋纳米器件的发展。在本论文中,我们采用基于密度泛函理论(DFT)第一性原理计算方法,系统地研究了多种二维纳米材料的结构、电子性质、载流子迁移率、光催化水解和自旋极化等性质,探讨了表面修饰、外部应力、掺杂、吸附等因素对体系物理化学性质的调控,并进一步揭示了其微观物理机制和潜在的应用价值。二维纳米材料在光催化、自旋极化等方面的研究,为能源转换和降低能耗提供了系统的理论指导。论文包含以下章节:第一章,绪论,介绍了二维纳米材料的发展现状及应用,并简要概括了本论文的主要研究内容;第二章,理论方法,着重介绍了密度泛函理论;第叁章,介绍了新型二维材料五元环锡单层的结构设计和电子性质,以及在光解水和纳电子器件中的应用价值;第四章,研究了二维锡的单硫族化合物、二硫族化合物以及由它们构造的双层垂直异质结(VHT)的电子性质及其在光催化水解方面的应用;第五章,研究了空穴掺杂的单层In2Se3磁性的调控及其在自旋器件中的应用,并讨论了空气中小分子对材料性能的影响;第六章,对本论文的研究内容和创新点进行了总结,并对新型二维纳米功能材料的发展做了展望。论文的主要研究内容和结论如下:(1)提出了两种结构稳定的锡单层材料,氢化的五元环锡单层(p-SnH)和部分氟化的五元环锡单层(p-SnHF),发现这两种新结构的形成能比已经生长在Bi2Te3(111)衬底的锡烯的形成能低。同时,我们给出了合适的衬底SiC(100)面,论证了其实验制备的可行性。单层的p-SnH和p-SnHF是由锡的五元环构成的,表面分别用H原子和F原子修饰,所有Sn原子均为sp3杂化。研究表明,单层p-SnH和p-SnHF分别是带隙为2.02 eV和1.88 eV的间接带隙半导体和直接带隙半导体材料,合适的禁带宽度使得它们对可见光具有很强的吸收。它们的载流子迁移率均比较高,分别能够达到769 ccm2 V-11s1和2520 cm2 V-1 s-1,而且,电子和空穴迁移率差别比较大,能够降低体系的载流子复合几率。特别是p-SnHF具有合适的带边位置,能够满足光催化水解对氧化还原电位的要求,因此它是一种极具潜力的光催化材料。而p-SnH在施加较小应力(<5%)时,带边位置也能达到光水解的要求。这些研究结果说明单层p-SnH和p-SnHF在光催化水解制氢和纳电子器件中具有潜在的应用价值。(2)研究了单层锡的硫族化合物SnX(X=S,Se)、SrnX2以及由它们构成的垂直异质结SrnX/SnX2的电子结构及其在光催化水解中的应用。单层SnX和SnX2的形成能远小于MoS2的,因此我们预测它们的单层结构能够通过简单的机械方法制备。单层SnS和SnSe分别是带隙为1.98 eV和1.40 eV的间接带隙半导体和直接带隙半导体;单层SnS2和SnSe2均是间接带隙半导体,禁带宽度分别是2.34 eV和1.41 eV。因此,锡的硫族化合物均是窄带隙半导体材料,能够俘获太阳光的主要波段,在光学材料中具有潜在的应用价值。它们各向异性的载流子迁移率比较高,其中,SnSe和SnS2分别能够达到2486.93 cm2 V-1 s-1和2181.96 cm2 V-1 S-1。而且,它们的光生激子结合能比较低,说明电子和空穴容易分离。施加较小的应力后,SnX的带边位置能够满足光催化水解的要求,因此,它们有望用作光解水材料。此外,单层SnS和SnS2可以通过范德瓦尔斯(VDW)作用构成垂直异质结。SnS和SfnS2的带阶比较大,因此,异质结SnS/SnS2的带隙非常小,约0.08 eV,而且,费米面附近的导带和价带分别是由SnS和SnS2贡献的。构成异质结后,SnS和SnS2各自的带隙都有微弱的减小。这种异质结可以用作光催化水解材料,分别在SnS表而和SnS2表面产生氢气和氧气。并且,由于两层材料的电负性差别较大,在层与层之间能够产生一个有效势场,加速载流子分离和转移,从而有效提高了光催化水解的效率。(3)探索了 Ⅲ-Ⅵ族二维纳米材料α/β-In2Se3的电子结构、可控的磁性以及在自旋器件中的应用。单层α/β-ln2Se3均是由5个原子层构成的结构,其中,α-In2Se3垂直方向的结构对称性被打破,因而它是一种极性二维材料。研究结果表明,单层α/β-In2Se3通过空穴掺杂能够引入磁性,自旋磁矩均能达到1μB/空穴。特别是用砷(As)原子替换Se原子引入空穴时,体系磁性得到加强,同时,α-In2Se3转变为半金属,β-In2Se3变为双极磁性半导体。而且,由于层状In2Se3具有室温面内铁电性,我们预测砷掺杂的In2Se3(In2Se3-As)可能是多铁材料。基于以上特性,我们构造了两种类型的自旋纳米器件,在门电压的调控下,均能实现100%的自旋极化。我们进一步探讨了空气中小分子(O2和H2O)吸附对这两种材料性能的影响。α-II2Se3和β-In2Se3载流子迁移率分别是1.04 x 103 cc12 V-1 s-1和1.39 × 103 ccm2 v1 s-1。当表面吸附氧气分子时,α-In2Se3的电子迁移率会严重降低,而ββ-In2Se3的电子迁移率变化很小,因为吸附氧气后,α-II2Se3导带底(CBM)的电荷密度明显减弱,而β-In2Se3的变化很小。不论吸附氧气还是水,α/β-In2Se3的空穴迁移率总是在x方向降低,但在y方向增加。这是由于吸附分子后,分子与In2Se3之间产生库伦相互作用,使得价带顶(VBM)的电荷密度在xy平面内发生转向,由x方向向y方向旋转,因而电荷密度的交迭在x方向减弱,而在y方向增大。(本文来源于《山东大学》期刊2019-05-15）
杨琴[6]（2019）在《有机—无机杂化钙钛矿表面极化和自旋界面效应》一文中研究指出有机-无机杂化钙钛矿(OIHPs)是同时具有半导体性质、铁电极化、自旋轨道耦合叁大物理属性的新型多功能材料,这叁大属性可使光伏、发光、自旋效应有效的联系起来。综合考虑半导体性质、铁电极化、自旋轨道耦合,将为进一步发展光伏、发光、自旋电子提供创新型思路。本课题以制备有机-无机杂化钙钛矿代表性半导体材料CH3NH3PbI3-xClx的光伏器件和自旋电子器件为基础,主要通过阻抗谱、磁电阻、电子顺磁共振、磁致光电流及相关理论模型来表征和研究电荷载流子以及自旋极化电子在该类器件中的电学输运现象,深入探索CH3NH3PbI3-xClx在光伏体系中的表面极化和复合机理,以及CH3NH3PbI3-xClx在自旋光电子体系中与铁磁材料镍(Ni)所构成的自旋界面。该课题在这两大方面阐明如下关键性科学问题:1.在光伏方面,钙钛矿太阳能器件在稳态和工作状态下,其表面极化和缺陷态诱导电子-空穴复合,以及表面能带间复合对电荷载流子输运和电子-空穴复合有重要影响。同时,钙钛矿界面耗尽层所对应的耗尽层电容(Cdl)在低光强(1×10-3 mW/cm2)下能被抑制,其表面电容(Cs)只能在较低的激发频率下存在。2.在自旋光电子方面,通过磁电阻对Ni/CH3NH3PbI3-xClx/Ni钙钛矿自旋阀进行表征,揭示出Ni与CH3NH3PbI3-xClx界面存在自旋依赖性,利用电容-频率(C-f)表征手段证实界面处自旋聚集,进一步借助电子顺磁光谱(EPR)和磁致光电流阐述Ni/CH3NH3PbIxCl1-x自旋界面的物理属性。这两项课题对推动自旋光电子学基础研究具有重要贡献。(本文来源于《北京交通大学》期刊2019-05-01）
杨凯[7]（2019）在《外场协作调控下类石墨烯材料中的自旋-谷极化输运研究》一文中研究指出近十多年来,以石墨烯(graphene)为代表的二维晶体材料已经成为凝聚态物理学和材料科学等领域的研究热点。继石墨烯后,其它二维晶体材料也相继涌现,如:硅烯(silicene)、单层二硫化钼(MoS_2)等。这些二维材料由于具有与石墨烯类似的结构特征,因此可以将它们统称为类石墨烯材料。类石墨烯材料在构成原子的本身性质、实空间的价键结构及对称性方面与石墨烯存在着显着的差异,这必将导致不同的电子性质。本文在以往研究工作的基础上,着重探究外场协作调控硅烯和单层MoS_2中的自旋-谷极化输运特性,研究结果表明:(1)外加垂直电场可以显着地改变硅烯中有质量Dirac费米子的量子隧穿效应;(2)利用垂直电场、交换场和偏振光场的组合效应可以在正常/铁磁/正常硅烯隧道结中实现对电子不同自旋和谷自由度的选择性输运;(3)在非共振圆偏振光和铁磁邻近效应的协助下,仅通过调节门电压就可以在正常/铁磁/正常单层MoS_2隧道结中实现对电子不同自旋和谷自由度的选择性输运;(4)在非共振圆偏振光、铁磁邻近效应和门电压的协作调控下,可以在基于单层MoS_2的全磁隧道结中同时实现显着的隧道磁电阻效应和自旋-谷过滤效应。我们认为本论文的研究结果将为设计有特殊功能的新型自旋电子学和谷电子学器件提供理论基础。(本文来源于《安徽师范大学》期刊2019-05-01）
李慧,周鸣宇,吴世永[8]（2019）在《自旋极化输运的方法讨论》一文中研究指出电子自旋注入和自旋相关输运是自旋电子学中被广泛研究的课题。本文将介绍在自旋电子学器件上具有广泛应用前景的不同结构中物理原理相关的材料问题,如F/I/S隧穿、F/I/F隧穿、Andreev反射。(本文来源于《教育教学论坛》期刊2019年17期）
王宇鹏[9]（2019）在《与二维电子气耦合的双量子点中的自旋极化输运》一文中研究指出研究磁场作用下与左右两个二维电子气耦合的双量子点系统中的自旋极化输运过程.结果发现当两个量子点靠近时,电导中会出现Dicke效应导致的不对称尖峰.随着量子点间的距离增大,Dicke尖峰变宽并向低能级方向移动.当磁场只施加在二维电子气中时,量子点中的电导是自旋无极化的;但是当量子点的能级发生塞曼分裂时,电导中自旋朝上和朝下电导的尖峰在能量空间向相反方向移动,但保持大小不变.计算结果还发现两个量子点能级的差会在电导的Dicke尖峰附近产生额外的谷,并降低尖峰的高度.所研究的结构有望用于自旋过滤或分离装置.(本文来源于《渤海大学学报(自然科学版)》期刊2019年01期）
高建华,梁作堂,王群[10]（2019）在《宇宙“小爆炸”中的“华尔兹”——高能重离子碰撞中的自旋极化》一文中研究指出宇宙大爆炸(Big Bang)理论认为我们的宇宙诞生于137亿年前的一个致密炽热的奇点,在宇宙的早期,物质都是以基本粒子的等离子体形式而存在。而在我们地球上,能够重现这一宇宙早期物质形态的实验只有高能重离子碰撞,形成夸克胶子等离子体,所以高能重离子碰撞也被人们给予了一个更加形象的名字——宇宙"小爆炸"(Little Bang)。(本文来源于《现代物理知识》期刊2019年01期）
自旋极化论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
氧化物LaAlO_3/SrTiO_3(LAO/STO)界面二维电子气自发现以来引起了人们广泛关注。在这个体系中发现了大量新奇的物理现象,如电场可调的Rashba型自旋-轨道耦合、巨热电效应、界面超导电性以及高效的电荷流和自旋流之间的相互转化等。传统半导体GaAs基的二维电子气是s、p电子导电。与其相比,氧化物二维电子气最大的特点是d电子导电。由于强电子关联,人们预期d电子二维电子气将呈现磁相关效应。研究人员尝试用各种手段证明LAO/STO界面存在磁性,但到目前为止都只能观察到具有磁性的迹象。特别地,磁输运行为中的磁滞后行为鲜有报道。因此,如何得到自旋极化的二维电子气是目前氧化物二维电子气的核心问题。本论文通过合理的材料设计,成功地在绝缘的氧化物界面获得了自旋极化的二维电子气,为相关氧化物自旋电子学的进一步发展奠定了基础。本文的主要研究内容和结论包括:1.通过在LAO/STO界面中间插入不同厚度的La_(1/8)Sr_(7/8)MnO_3(LSMO)薄膜,利用界面Mn离子的扩散,在LAO/STO体系中获得了自旋极化的二维电子气。当LSMO薄膜的厚度在1 nm以下时,界面呈现金属导电性。在LSMO厚度是1nm的样品中,发现了反常霍尔效应,其温度可以达到30 K,并且可以保持高迁移率。进一步研究发现,外加电场可以调控反常霍尔效应和高导电性。界面的快载流子在磁输运过程中起到决定性作用。当快载流子浓度超过7×10~(12) cm~(-2)时,反常霍尔效应出现,反常霍尔电阻随着快载流子浓度的增加而增加;当快载流子浓度远小于7×10~(12) cm~(-2)时,近藤效应逐渐出现。通过对负磁电阻的分析,确定界面存在磁性散射。其磁性可能来源于扩散到界面导电SrTiO_3(STO)中的Mn离子。2.利用超顺磁的Fe掺杂STO衬底,取代LAO/STO中的STO得到了高居里温度的自旋极化二维电子气。界面呈现金属导电性,在低温下观察到了近藤效应,且近藤效应不随生长氧气压变化,证明Fe掺杂引起了近藤效应。此外,在这个界面上发现了反常霍尔效应。在10~-66 mbar氧压下生长的样品反常霍尔效应可以持续到室温。随着载流子浓度的增加,居里温度和反常霍尔电阻增加。界面发现了负磁电阻,可以用Khosla和Fischer提出的经验公式完美拟合。证明此界面是稀磁二维电子气,其产生磁性的原因是局域磁矩与巡游电子之间相互作用。3.在铁磁绝缘体EuO和5d过渡金属氧化物KTaO_3界面发现了自旋极化的二维电子气,且二维电子气具备高导电性。控制生长温度可以调节界面载流子浓度,温度越高载流子浓度越大。在2 K温度下最高的迁移率达到111.6 cm~2/Vs。通过磁电阻测量发现了具有明显磁滞后的磁电阻效应。磁滞后是铁磁有序的强有力的证据。霍尔效应测试发现其存在反常霍尔效应且同样具有磁滞后行为,温度可以到达70 K。理论计算表明其磁性来源于Eu的d电子与Ta的d电子相互作用,使Ta的d电子自旋极化。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
自旋极化论文参考文献
[1].刘立华,曹萌,徐仕翀,华中.自旋极化电流驱动下磁涡旋的旋转回归运动和手征性反转[J].吉林大学学报(理学版).2019
[2].张洪瑞.氧化物界面自旋极化二维电子气[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2019
[3].赵娟.基于固态电子自旋极化的矢量磁场测量机理研究[D].中北大学.2019
[4].曾柏魁,谢征微.以铁磁绝缘体和铁磁半导体为势垒层的隧道结中的隧穿时间与自旋极化率[J].四川师范大学学报(自然科学版).2019
[5].李晓腾.基于Sn、In新型二维材料光催化和自旋极化性质的理论研究[D].山东大学.2019
[6].杨琴.有机—无机杂化钙钛矿表面极化和自旋界面效应[D].北京交通大学.2019
[7].杨凯.外场协作调控下类石墨烯材料中的自旋-谷极化输运研究[D].安徽师范大学.2019
[8].李慧,周鸣宇,吴世永.自旋极化输运的方法讨论[J].教育教学论坛.2019
[9].王宇鹏.与二维电子气耦合的双量子点中的自旋极化输运[J].渤海大学学报(自然科学版).2019
[10].高建华,梁作堂,王群.宇宙“小爆炸”中的“华尔兹”——高能重离子碰撞中的自旋极化[J].现代物理知识.2019
论文知识图
