导读:本文包含了光致发光光谱论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:光谱,吸收光谱,参量,表面,酸牛奶,光谱仪,声光。
光致发光光谱论文文献综述
严雪俊,严俊,方飚,陶金波,盛嘉伟[1]（2019）在《钻石的紫外-可见-近红外光谱与光致发光光谱温敏特性及其鉴定指示意义》一文中研究指出以液氮温度(约77 K)至室温渐变的样品测试温度,通过紫外-可见-近红外(UV-Vis-NIR)吸收光谱、405 nm激发光源的光致发光(PL)光谱,结合傅里叶变换红外光谱与钻石观测仪(DiamondView~(TM)),分别对典型的经后期高温高压或辐照处理的天然钻石、高温高压合成钻石和化学气相沉积合成钻石进行光谱学特征研究。结果表明:在不同激发光源或检测环境温度下,钻石的UV-Vis-NIR吸收光谱与PL光谱中具有指向性的特征吸收与已有文献报道结果存在一定的差异。钻石的指纹及其经优化处理的特征吸收较多出现明显的温敏特性,随着样品温度的升高,吸收峰的强度逐渐降低,部分吸收峰消失。钻石吸收光谱中的温敏特征吸收可为其检测、筛选提供指向性依据,同时对开拓新的钻石功能化应用有借鉴意义。(本文来源于《光学学报》期刊2019年09期）
闫冰[2]（2019）在《GaAsBi半导体带边电子结构的光致发光光谱研究》一文中研究指出光致发光(Photoluminescence,PL)光谱作为半导体电子结构表征的有力手段,因其非接触、高灵敏而被广泛运用于禁带宽度、带边能级和带尾态等特性的研究。基于傅里叶变换红外(Fourier Transform Infrared,FTIR)光谱仪的PL光谱方法充分利用了FTIR光谱仪多通道、高通量优势,由此显着提高PL光谱信噪比(Signal-to-noise Ratio,SNR)和谱分辨率,从而为半导体的微弱电子跃迁信号的获取和定量分析提供了有效的实验手段。GaAsBi半导体因其显着Bi致带隙收缩、低温度敏感性以及俄歇复合受抑制等特性,在红外光电器件方面具有广阔的应用前景,因而获得广泛国际关注。为提高Bi的有效等电位掺入,GaAsBi的分子束外延生长温度通常比GaAs的低,这就会引入缺陷和杂质相关的局域能级/带尾态,从而限制了稀Bi半导体的光电特性及其器件应用。因此,澄清GaAsBi的局域能级/带尾态对其电子结构的影响,无论是对于材料的机理认识还是光电特性的工程应用,都极为重要。本工作针对不同Bi组分的GaAsBi带边电子能态问题,在实验室的FTIR-PL方法的基础上,通过针对性解决极弱激发功率密度条件下材料带尾态电子跃迁PL光谱的低SNR技术难题,优化光谱质量,藉此开展不同组分GaAsBi带边PL特性的激发功率、磁场强度以及温度的依赖关系探究。具体工作和取得主要进展表现在以下叁方面:(i)针对弱激发功率密度PL的低SNR对GaAs_(1-x)Bi_x带尾缺陷能级研究的限制,对两个GaAs_(1-x)Bi_x外延膜开展变光斑尺寸PL测试分析。结果表明:激发功率保持不变时,光斑尺寸的增加导致PL能量的红移,其原因在于等效激发功率密度的降低;而当保持激发功率密度不变,PL线型不依赖于光斑尺寸,但光斑尺寸增加显着提高了PL的SNR,有利于光谱的定量拟合分析。(ii)利用多变条件PL研究GaAs_(1-x)Bi_x带边电子能级。变激发功率PL实验分析发现,(1)不同激发下均表现出非对称性的PL光谱包含叁个跃迁过程,特征峰均随功率增大而蓝移;(2)在较低功率区间,叁个特征峰的积分强度随激发功率呈线性关系,由此排除PL特征来自自由激子复合的可能;(3)半高宽随功率的演化规律表明PL随激发功率增大的蓝移来自于载流子的填充效应而非施主-受主对复合;(4)另外发现Bi组分对GaAs_(1-x)Bi_x的带尾态态密度具有调控作用。通过液氦磁光-PL实验,发现PL线型不随磁场变化,由此排除导带参与的可能。通过以上分析澄清了不同文献报道的Bi致带隙收缩率显着偏差的疑虑。另外,利用变温PL研究GaAs_(1-x)Bi_x的温度演化,证实Bi对半导体温度敏感性的影响;GaAs_(1-x)Bi_x变温透射测试结果与上述结论相符。(iii)开展GaAs_(1-x)Bi_x作为InAs QDs应变层时QDs的PL光谱演化探索,初步结果表明,InAs QDs的PL光谱随GaAs_(1-x)Bi_x的SBL/SRL的Bi组分/厚度的增加所产生的红移/蓝移是由于应变和势垒高度共同影响造成。(本文来源于《上海师范大学》期刊2019-05-01）
李泽朋,刘波,刘冰冰[3]（2016）在《高压下Y_2O_3/Eu~(3+)/Mg~(2+)纳米棒Raman和光致发光光谱研究（英文）》一文中研究指出The study on Raman and Photoluminescence spectra of Y_2O_3/Eu~(3+)and Y_2O_3/Eu~(3+)/Mg~(2+)nanorods was carried out under high pressure.The amorphous transition occurs from initial cubic phase at higher than 24GPa for Y_2O_3/Eu~(3+)and Y_2O_3/Eu~(3+)/Mg~(2+)nanorods.Y_2O_3/Eu~(3+)and Y_2O_3/Eu~(3+)/Mg~(2+)nanorods exhibits distinct distorted states after 8GPa.Analysis of intensity ratios I_(0-2)/I_(0-1) of ~5D_0–~7F_2 to ~5D_0–~7F_1(本文来源于《第十八届中国高压科学学术会议缩编文集》期刊2016-07-25）
乔晓粉,李晓莉,刘赫男,石薇,刘雪璐[4]（2016）在《悬浮二维晶体材料反射光谱和光致发光光谱的周期性振荡现象》一文中研究指出研究了在二氧化硅/硅衬底上制备的悬浮石墨烯以及二硫化钼的反射光谱以及悬浮二硫化钼的光致发光光谱.研究发现:悬浮多层石墨烯的反射光谱表现出明显的振荡现象,并且该振荡具有一定的周期性;振荡周期的大小不依赖于悬浮多层石墨烯的层数,而是随着衬底上沉孔深度(空气层厚度)的增加而减小.利用多重光学干涉模型可以解释这种振荡现象以及振荡周期随沉孔深度改变的变化趋势.该模型计算结果表明,只有当沉孔深度达到微米量级时这种振荡现象才会显着出现;并且可由振荡周期定量地确定出沉孔深度.对于悬浮的二硫化钼样品,其反射光谱和光致发光光谱也出现了类似的振荡现象.这表明这种振荡现象是在各种衬底上悬浮二维材料反射光谱和光致发光光谱的一种普遍性结果,也预示悬浮二维材料器件的电致发光光谱也会出现类似的振荡现象,对悬浮二维晶体材料的物理性质和器件性能研究具有一定的参考价值.(本文来源于《物理学报》期刊2016年13期）
刘严,陆太进,兰延[5]（2015）在《多功能光谱仪测量光致发光光谱在彩色宝石鉴定的应用》一文中研究指出光致发光测量可以获得有色宝石和钻石的许多特殊的光谱特征,这些特殊的光致发光光谱特征可以用于快速准确鉴定彩色宝石,无色钻石和彩色钻石。专利的多功能光谱仪具有光致发光测量的放大功能和光谱处理功能,可以在室温下快速测量钻石和彩色宝石的光致发光光谱。经高达一千倍的放大,多功能光谱仪可以测量非常微弱的彩色宝石的光致发光特征光谱峰。通过测量翡翠的光致发光光谱,可以快速准确鉴别B类翡翠。其它彩色宝石也可以用光致发光光谱鉴定,例如红宝石和尖晶石可以很容易地由其光致发光光谱加以分辨。(本文来源于《珠宝与科技——中国珠宝首饰学术交流会论文集（2015）》期刊2015-11-30）
潘葳[6]（2015）在《石墨烯量子点的光致发光光谱研究》一文中研究指出近几年,石墨烯量子点,由于良好的水溶性、生物低毒性、稳定而明亮的荧光等特点,而被广泛关注和研究。但不同制备方法得到的荧光石墨烯量子点展现出不同的的发光机理,使得石墨烯量子点的发光机制存在着很大的争议[1-2]。本文利用水热法获得高质量的荧光石墨烯量子点,并采用光致发(本文来源于《第十八届全国光散射学术会议摘要文集》期刊2015-10-22）
尹永琦[7]（2014）在《表面修饰ZnO纳米棒光致发光和表面增强光谱效应研究》一文中研究指出表面增强光谱技术是纳米科学技术与光学技术交叉融合形成的前沿科学领域。金(Au)、银(Ag)以及其他贵金属纳米粒子的表面增强光谱效应研究激发了全球的研究热情,并在生物分子和生物细胞探测领域有着重大的应用价值。近年来,一维氧化锌(Zn O)纳米材料优异的光、电、传感、生物兼容性等诸多物理和化学性能和易制备、低成本等巨大应用潜力使之成为生物探测领域的研究热点。其中,基于Zn O纳米材料的表面增强光谱研究也受到了广泛关注,但其增强机制和应用有待进一步研究和拓展。并且,Zn O纳米材料经其他纳米结构材料表面修饰后可以结合不同材料形貌和特性优势用以实现表面增强光谱的协同增益,在增强光谱研究领域具有极大的科学意义和应用价值,但目前尚无相关报道。本论文研究了Zn O纳米棒、Ag(Au)-Zn O和Zn O-二氧化硅(Si O2)等纳米棒形貌、结构以及光致发光特性的调制,并着重对样品的表面增强光谱效应进行系统研究,讨论了经表面修饰后的Zn O纳米棒表面增强荧光和表面增强拉曼散射的机理,以荧光素分子、生物细胞和分子为探测对象,实现了荧光和拉曼信号的有效增强和高灵敏度探测。主要内容概括如下:采用籽晶层辅助的水热法在Si衬底上实现了Zn O纳米棒的控制制备和发光特性的调控。本研究发现通过改变前驱体浓度或对籽晶层后处理可实现对纳米棒的形貌及发光的调控。通过研究后处理的籽晶层对纳米棒的作用机制发现,籽晶层不但可以决定纳米棒的直径和密度,其表面氧富集缺陷直接影响纳米棒沿c轴的生长速度和发光特性;控制制备了多种异质结构的Zn O-Si O2纳米棒,深入研究了介质层修饰对纳米棒发光特性的作用机制并探索了核壳结构Zn O-Si O2纳米棒的增强荧光效应。本研究发现对不同前驱体浓度的纳米棒进行Si O2包覆可获得核壳结构Zn O-Si O2纳米棒和一种新型的Zn O纳米点-Si O2纳米棒,通过控制前驱体用量可以实现对Si O2壳层厚度、发光特性和发光稳定性的调制,而Si O2壳可有效提高Zn O纳米棒的增强荧光效应,相应实验现象的机制被深入分析;对Ag(Au)-Zn O异质结构纳米棒对荧光素分子的表面增强荧光效应进行系统研究。首先,设计制备Zn O纳米棒/Ag薄膜作为一种新型的增强荧光衬底,同未引入金属薄膜的Zn O纳米棒/Si衬底相比实现一个数量级以上的增强荧光效果,并研究了Ag薄膜的光反射特性和纳米棒的光波导特性对于增强荧光的作用机制。其次,对叁维结构的Ag纳米粒子-Zn O纳米棒表面增强荧光效应进行了系统研究,实现了皮摩尔量级以下的生物荧光素荧光信号的增强与探测,提出叁明治结构Si O2介质层-Ag纳米粒子-Zn O纳米棒可进一步提升荧光探测的灵敏度和适用性。此外,还对Au纳米粒子-Zn O纳米棒阵列体现出的增强荧光和荧光淬灭现象的机理进行了讨论;系统研究了Au(Ag)纳米粒子-Zn O纳米棒的表面增强拉曼散射(SERS)效应。以罗丹明等荧光素分子为研究对象对Au纳米粒子-Zn O纳米棒和Ag纳米粒子-Zn O纳米棒的SERS效应进行了深入研究。进而利用Au纳米粒子-Zn O纳米棒为增强衬底分别实现了单个血红细胞、大肠杆菌(革兰氏阴性菌)和金黄色葡萄球菌(革兰氏阳性菌)的SERS探测,所得单细胞的拉曼峰强度大、峰宽窄,并且不同体系的细胞的谱线具有显着差异性。以Ag纳米粒子-Zn O纳米棒为增强衬底为分别实现了葡萄糖、人血清白蛋白(HSA)和肝癌细胞特征蛋白磷脂酰肌醇蛋白聚糖3(GPC3)的非标记性SERS检测。而且采用时域有限差分法(FDTD)对Au(Ag)纳米粒子-Zn O纳米棒的SERS增强机制进行详细讨论。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2014-12-01）
王玉超,吴天准,张权林,陈明明,苏龙兴[8]（2013）在《MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究》一文中研究指出用分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上生长得到高质量Mg x Zn1-x O薄膜。X射线衍射显示,当Mg摩尔分数在0~32.7%范围内时,薄膜保持六方结构,(002)衍射峰半高宽为0.08°~0.12°,薄膜结晶质量与现有报道的最高水平相当。随着薄膜中Mg含量的增加,紫外发光峰由378 nm蓝移至303 nm。对Mg0.108Zn0.892O薄膜变温光致发光光谱的研究发现,束缚激子发光随温度变化存在两个不同的猝灭过程。对不同Mg含量薄膜共振拉曼光谱的研究发现,A1(LO)声子模频移与Mg含量在一定范围内呈线性关系,这为确定Mg x Zn1-x O薄膜中的Mg含量提供了一种简单高效的方法。通过拉曼光谱与X射线衍射对比研究发现,拉曼光谱在确定MgZnO材料相变时具有更高的灵敏度。最后,研究了Mg0.057Zn0.943O薄膜的变温共振拉曼光谱,对A1(LO)和A1(2LO)声子模随温度而变化的现象给出了一定的理论解释。(本文来源于《发光学报》期刊2013年09期）
杨琴[9]（2013）在《酸牛奶变质过程的激光光致发光光谱分析》一文中研究指出介绍了一种研究酸牛奶变质过程的新方法。采用绿光激光器(532nm)对酸牛奶样品进行照射,所得激光光致发光光谱分别在752nm和851nm附近均有较强的峰,而伴随着酸牛奶的变质过程,851nm附近的光谱峰呈较有规律的变化。结合酸牛奶的物理化学性质对试验结果进行了讨论,测量了变质过程中物化参量粘度、pH值和菌落总数等指标,利用最小二乘法原理对光致发光强度分别与粘度、pH值和菌落总数进行比较分析,建立了两者的拟合曲线,其相关系数分别为0.9833、0.9726和0.9866,表明变质过程与光致发光光谱之间存在密切联系。(本文来源于《长江大学学报(自科版)》期刊2013年19期）
赵鹏程[10]（2013）在《光声光谱技术在光致发光材料中的应用研究》一文中研究指出光声光谱(PAS)技术是基于光声效应建立和发展起来的一种无损检测技术,光声光谱技术适用性广,对于传统吸收光谱难于处理的高反射、高散射、不透明的固体或粉末样品同样可以方便测定。由于光声光谱具有灵敏度高、低检出限、操作简单快捷、对样品不需要进行预处理进行直接测量等优点,在物理、材料科学、环境监测、生物医药等领域展现出其广阔的应用前景。本文简要回顾了光声理论和光声技术的发展过程和应用现状,对单光束光声检测系统与双光束光声检测系统之间的优缺点进行了比较。介绍了一维固体光声理论(R-G理论),系统地论述了固体中光声信号的产生机理,给出了光声信号的幅值和相位的表达式及一些特殊情况下前激发光声信号的特解。搭建了一套可实现光化学反应速率监测的光声光谱检测系统,利用氧化饵(Er203)的光声光谱特征峰完成对系统的定标,讨论了光声振幅谱与光声相位谱的测量方法。论文针对光声光谱在光致发光材料中的应用开展了以下几个方面的研究：1.利用光声光谱法对稀土发光材料BaY2Si3O10:Ce3+进行研究,通过对调制频率与光声信号强度关系的分析,表征了试样的光学与热学性质。此外,结合吸收光谱、激发发射光谱和光声光谱对材料中能级跃迁情况进行了讨论。2.研究了稀土掺杂浓度对发光效率的影响,提出了一种利用光声振幅谱结合光声位相谱测量不同掺杂浓度稀土材料相对发光效率的方法,并通过荧光光谱证明了此方法的可行性。3.通过半导体发光材料氯氧化铋(BiOCl)的光声光谱确定它的禁带宽度和所属半导体类型,并与同属卤氧化物的溴氧化铋(BiOBr)的光声谱特征进行比较分析。白色氯氧化铋受到紫外光照射会产生氧缺位变黑而使自身的光吸收系数增大,实验结果表明可通过测量在紫外线照射不同时间下氯氧化铋的光声光谱及光声信号强度与紫外光照射时间之间的关系,来检测氧缺位在产生过程中的行为。(本文来源于《浙江师范大学》期刊2013-04-01）
光致发光光谱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
光致发光(Photoluminescence,PL)光谱作为半导体电子结构表征的有力手段,因其非接触、高灵敏而被广泛运用于禁带宽度、带边能级和带尾态等特性的研究。基于傅里叶变换红外(Fourier Transform Infrared,FTIR)光谱仪的PL光谱方法充分利用了FTIR光谱仪多通道、高通量优势,由此显着提高PL光谱信噪比(Signal-to-noise Ratio,SNR)和谱分辨率,从而为半导体的微弱电子跃迁信号的获取和定量分析提供了有效的实验手段。GaAsBi半导体因其显着Bi致带隙收缩、低温度敏感性以及俄歇复合受抑制等特性,在红外光电器件方面具有广阔的应用前景,因而获得广泛国际关注。为提高Bi的有效等电位掺入,GaAsBi的分子束外延生长温度通常比GaAs的低,这就会引入缺陷和杂质相关的局域能级/带尾态,从而限制了稀Bi半导体的光电特性及其器件应用。因此,澄清GaAsBi的局域能级/带尾态对其电子结构的影响,无论是对于材料的机理认识还是光电特性的工程应用,都极为重要。本工作针对不同Bi组分的GaAsBi带边电子能态问题,在实验室的FTIR-PL方法的基础上,通过针对性解决极弱激发功率密度条件下材料带尾态电子跃迁PL光谱的低SNR技术难题,优化光谱质量,藉此开展不同组分GaAsBi带边PL特性的激发功率、磁场强度以及温度的依赖关系探究。具体工作和取得主要进展表现在以下叁方面:(i)针对弱激发功率密度PL的低SNR对GaAs_(1-x)Bi_x带尾缺陷能级研究的限制,对两个GaAs_(1-x)Bi_x外延膜开展变光斑尺寸PL测试分析。结果表明:激发功率保持不变时,光斑尺寸的增加导致PL能量的红移,其原因在于等效激发功率密度的降低;而当保持激发功率密度不变,PL线型不依赖于光斑尺寸,但光斑尺寸增加显着提高了PL的SNR,有利于光谱的定量拟合分析。(ii)利用多变条件PL研究GaAs_(1-x)Bi_x带边电子能级。变激发功率PL实验分析发现,(1)不同激发下均表现出非对称性的PL光谱包含叁个跃迁过程,特征峰均随功率增大而蓝移;(2)在较低功率区间,叁个特征峰的积分强度随激发功率呈线性关系,由此排除PL特征来自自由激子复合的可能;(3)半高宽随功率的演化规律表明PL随激发功率增大的蓝移来自于载流子的填充效应而非施主-受主对复合;(4)另外发现Bi组分对GaAs_(1-x)Bi_x的带尾态态密度具有调控作用。通过液氦磁光-PL实验,发现PL线型不随磁场变化,由此排除导带参与的可能。通过以上分析澄清了不同文献报道的Bi致带隙收缩率显着偏差的疑虑。另外,利用变温PL研究GaAs_(1-x)Bi_x的温度演化,证实Bi对半导体温度敏感性的影响;GaAs_(1-x)Bi_x变温透射测试结果与上述结论相符。(iii)开展GaAs_(1-x)Bi_x作为InAs QDs应变层时QDs的PL光谱演化探索,初步结果表明,InAs QDs的PL光谱随GaAs_(1-x)Bi_x的SBL/SRL的Bi组分/厚度的增加所产生的红移/蓝移是由于应变和势垒高度共同影响造成。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光致发光光谱论文参考文献
[1].严雪俊,严俊,方飚,陶金波,盛嘉伟.钻石的紫外-可见-近红外光谱与光致发光光谱温敏特性及其鉴定指示意义[J].光学学报.2019
[2].闫冰.GaAsBi半导体带边电子结构的光致发光光谱研究[D].上海师范大学.2019
[3].李泽朋,刘波,刘冰冰.高压下Y_2O_3/Eu~(3+)/Mg~(2+)纳米棒Raman和光致发光光谱研究（英文）[C].第十八届中国高压科学学术会议缩编文集.2016
[4].乔晓粉,李晓莉,刘赫男,石薇,刘雪璐.悬浮二维晶体材料反射光谱和光致发光光谱的周期性振荡现象[J].物理学报.2016
[5].刘严,陆太进,兰延.多功能光谱仪测量光致发光光谱在彩色宝石鉴定的应用[C].珠宝与科技——中国珠宝首饰学术交流会论文集（2015）.2015
[6].潘葳.石墨烯量子点的光致发光光谱研究[C].第十八届全国光散射学术会议摘要文集.2015
[7].尹永琦.表面修饰ZnO纳米棒光致发光和表面增强光谱效应研究[D].哈尔滨工业大学.2014
[8].王玉超,吴天准,张权林,陈明明,苏龙兴.MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究[J].发光学报.2013
[9].杨琴.酸牛奶变质过程的激光光致发光光谱分析[J].长江大学学报(自科版).2013
[10].赵鹏程.光声光谱技术在光致发光材料中的应用研究[D].浙江师范大学.2013
论文知识图
