导读:本文包含了电子发射过程论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电子,电荷,离子,表面,射线,额数,效应。
电子发射过程论文文献综述
殷明,翁明,刘婉,王芳,曹猛[1]（2019）在《利用探针法研究二次电子发射过程中介质材料的表面电位》一文中研究指出为研究介质材料二次电子发射过程中表面电位的测量手段及相关规律,以拒斥场会影响二次电子出射为基础,提出了能够原位测量介质材料表面电位的探针法。首先,利用专业电磁仿真软件对探针法原理进行了研究,计算了探针附近电位分布和探针偏压对二次电子发射系数的影响曲线,此曲线拐点处对应的探针偏压即为样品的表面电位;其次,用铜样品进行了实验研究,验证了探针法测量样品表面电位的可行性;最后,将探针法应用于介质材料聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),对其表面电位进行了实验测量和研究。结果表明:栅网偏压和入射电子能量对PMMA表面电位有直接的影响,PMMA表面电位总是高于栅网偏压,两者呈线性关系;随着入射电子能量的增加,PMMA表面电位呈现先升高后下降的趋势。实验结果与理论分析相一致,验证了探针法测量介质材料表面电位的可行性。该方法操作简便、成本低廉,而且实现了原位在线测量,减小了实验中的不稳定性,对介质材料二次电子发射机理的研究有一定的参考价值。(本文来源于《西安交通大学学报》期刊2019年01期）
朱伟伟[2]（2018）在《热电子发射能量转化传热过程的数值模拟和实验研究》一文中研究指出热电子发射能量转换器是一种将热能直接转换成电能的电真空器件,是基于高温下电子会从发射极表面蒸发的热电子发射现象发展而来的。它依靠发射极的热电子发射以及收集极对发射极的正接触电位差输出电流。这样的器件可以将加热发射极的能量变成低压大电流的直流电输出。一个简单的热电子发射能量转换器的结构仅需要包括一个发射极和一个收集极。当具有较高功函数的发射极被加热,电子就从金属表面发射,并被收集极即阳极捕获,此时负载连接发射极和收集极就可以产生电流。理想热电子发射能量转换效率受到以下叁个过程影响:对于热电子发射能量转换器的研究一般是从两个方向展开,一是提高发射极的温度,二是在保证效率的情况下,降低发射极工作温度,以扩展热电子的应用范围。为了在较低温度下获得较高效率,可以通过寻找低逸出功的发射极材料,减少两电极间距和引入正铯离子以中和空间电荷效应。从传热角度分析热电子发射能量转换器输出特性,分析导热、对流换热、辐射换热等对热电子发射能量转换器输出特性的影响。建立两种不同的热电子发射能量转换器模型,对热电子发射能量转换器做出改进。通过数值模拟,研究分析影响发射极温度和热电子发射能量转换器输出特性的因素。结果表明,接收极直径和保温材料导热系数越小,加热功率越大,反光膜反光率越大,发射极温度、输出电流密度和效率越高;在各部分传热过程中影响发射极温度和效率的主要因素是固体间的导热。总的来说,充足的光照,合理的接收极尺寸和做好保温措施可以有效改善热电子发射能量转换器的输出特性。对于TEC而言,发射极温度对其输出功率和效率有重要影响,针对发射极加热建立真空辐射绝热系统进行实验研究。实验装置主要分为叁个部分,激光加热器和吸热装置和测温部分。实验通过改变激光器输出功率和真空绝热装置的真空度探究不同因素对发射极温度的影响。结果表明,加热功率越大,发射极温度越高,但随着加热功率的不断增大,其对发射极温度的升高影响越来越小;在中真空度下,真空度越高,发射极温度越高,因为通过气体导热散失的能量减少,但影响并不明显。以氧化物阴极和六硼化镧薄膜为两极,建立热电转化实验系统,通过改变输入功率和外加电压,探究系统特性。实验证明,随着加热功率增大,热电转化系统输出电流及转化效率也增大,且趋势越来越明显;在一定范围内,改变外加电压会影响系统的输出电流和效率,但存在临界值。(本文来源于《东南大学》期刊2018-05-01）
曾利霞[3]（2017）在《近玻尔速度高电荷态离子轰击SiC陶瓷过程中电子发射的温度效应研究》一文中研究指出高电荷态离子(Highly Charged Ions,HCIs)与固体表面相互作用的研究是近年来原子与分子物理中的一个重要研究方向,相关的研究已拓展到等离子体物理、核探测器、离子注入改性与加工等领域。其中,高电荷态离子引起的电子发射研究具有重要的科学研究价值及广阔的应用前景,因而受到世界上许多着名实验室及科研人员的高度重视。这是因为在靶电子与入射粒子之间只有很小的动量传输,入射离子反向散射可(本文来源于《咸阳师范学院学报》期刊2017年02期）
牟致栋,魏琦瑛[4]（2014）在《Fe~(24+)离子双电子复合以及和H_2 碰撞的共振转移与激发X射线发射过程的研究》一文中研究指出以准相对论Hartree-Fock理论为基础,对Fe~(24+)离子KLn(n=L,M,N,O,P)共振激发态可能辐射衰变通道的双电子复合过程的共振强度进行了系统的理论计算研究,计算了KLL共振激发态谱项能级电偶极允许跃迁的共振强度和截面,在此基础上,根据已有H_2分子的实验Compton轮廓,进一步计算了能量在300—800 MeV范围内,抛射体Fe~(24+)离子俘获H_2分子靶电子的KLn(n=L,M,N,O,P)共振电荷转移与激发X射线发射截面,计算结果与最新实验值或者其他理论计算结果做了对比分析,研究表明,对于Fe~(24+)离子KLn(n=L,M,N,O,P)的双激发态,Kα辐射衰变通道对双电子复合过程的共振强度贡献最大,是起主导性作用的重要通道,Kα辐射衰变X射线的波长范围λ为1.850—1.880A,而非Kα辐射衰变的波长范围λ为1.460—1.601 A,两者共振X射线的波长位置并不重迭。(本文来源于《物理学报》期刊2014年08期）
冯娜,杨生胜,陈益峰,高欣,张雷[5]（2013）在《空间材料二次电子发射过程的理论研究》一文中研究指出航天器充放电效应故障大多都会引起卫星灾难性事故,对航天器在轨安全运行产生较大的影响。空间材料的二次电子发射系数是决定卫星表面带电速率和充电平衡电位水平的重要材料特征参数,对于卫星表面带电的预测及卫星带电设计选材具有重要的意义。基于蒙特卡洛方法,从理论上分析了材料二次电子的产生、转移及逃逸过程,获得了材料二次电子发射系数的计算方法。实验结果表明该方法能较好地拟合材料二次电子发射系数随入射电子能量的变化趋势,为航天器充放电效应数值模拟和防护设计提供数据支持。(本文来源于《真空与低温》期刊2013年03期）
沈志华,王晓,刘婷,吴胜利[6]（2013）在《表面传导电子发射电子源电形成过程分析》一文中研究指出本文针对表面传导电子发射显示器件制备中,在导电膜上加电形成纳米级裂缝的这一过程从电压、电流变化方面进行分析。实验中发现在形成裂缝过程中,由于焦耳热效应作用,导电膜结构发生变化,电流电压特性上表现出明显的负阻效应。在整个形成过程中,电流变化明显,最后趋于稳定。本文中关于加电形成过程的分析对于形成理想的纳米裂缝有一定指导意义。(本文来源于《中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会论文集（下册）》期刊2013-08-22）
蒲昱东,黄天晅,缪文勇,张继彦,赵宗清[7]（2010）在《利用时间分辨Ar的K壳层发射光谱诊断内爆靶丸芯区电子温度的时间演化过程》一文中研究指出在神光Ⅱ装置上的内爆实验中,通过在充氘气(D2)的靶丸中掺入氩(Ar)元素,利用晶体谱仪配条纹相机测量得到了内爆停滞阶段Ar的K壳层发射光谱随时间的变化。在实验中,观测到Ar的Heα,Heβ以及Lyα线发射,持续时间大约200ps。用Heα线与Lyα线强度比值来推断靶丸芯区电子温度。利用碰撞辐射模型,从理论上计算出Heα线与Lyα线强度比值随电子温度、数密度的变化。通过将实验上观测到的Heα线与Lyα线强度比与理论计算值相比较,获得了芯区电子温度随时间的演化。并计算比较了不同电子密度条件下推断出来的电子温度的差异,证明诊断电子温度的方法对电子数密度的变化不敏感。利用逃逸因子修正了自吸收效应,从计算的结果可以看出在目前的实验中Heα线和Lyα线是光学薄的。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2010年09期）
顾建刚[8]（2007）在《空心Ar原子在Au表面退激过程中X射线和电子的发射》一文中研究指出高电荷态离子与固体表面相互作用时形成的空心原子因其寿命极短而难以精确地分析其具体衰变过程，但还是可以通过其在衰变过程中发射的慢电子、软X射线以及快俄歇电子等信息加以研究。本文通过对现有物理模型的整理以及对“promotion loss”模型的改进，编写了Monte Carlo模拟程序研究了高电荷态Ar~(q+)(q=5--17)离子与金属Au的相互作用过程。通过对空心原子的形成和衰变过程的跟踪，得到了整个作用过程中低能电子产额随入射离子初始电荷态变化的规律以及随入射速度变化的规律，同时，还得到了Ar~(17+)离子在金属Au上发射的K_αX射线KL~x伴线谱。以上模拟结果均与相应实验结果符合得较好。通过对模拟结果的深入分析，阐述了产生上述现象的物理机理。本文有助于人们在微观角度更好地理解高电荷态离子与金属表面相互作用时空心原子的形成和退激过程，为高电荷态离子的实际应用提供理论参考。(本文来源于《兰州大学》期刊2007-05-01）
买胜利,王立,李凯,秦晓刚[9]（2006）在《材料二次电子发射特性对表面充电过程影响的数值模拟研究》一文中研究指出使用PIC方法,实现了地球同步轨道恶劣亚暴环境材料表面充电过程的数值模拟。从最大二次电子发射系数δm和δm对应的能量Em这2个方面,比较了不同二次电子发射特性下表面充电过程及最终平衡电位的异同。(本文来源于《真空与低温》期刊2006年02期）
郭滨刚,胡文波,郑德修,何锋,刘纯亮[10]（2005）在《老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO薄膜二次电子发射系数的影响》一文中研究指出在Paschen定律基础上,使用计算出的表面放电型ACPDP的击穿电压数据,拟合实验测得的ACPDP显示屏内Ne+Xe混合气体的击穿电压特性曲线(Ub~pd),从而确定了击穿电压(Ub)和MgO介质保护膜有效二次电子发射系数(γeff)之间函数关系式中的相关参数,并由此关系研究了老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO介质保护膜γeff的影响。结果表明,老炼开始时,击穿电压随着老炼时间的延长迅速降低,2 h后击穿电压逐渐趋于稳定。与此对应,MgO介质保护膜的γeff会随着老炼时间的延长迅速增大并在2 h后趋于稳定。当Xe的含量从0.5%升高到4%时,击穿电压会随着Xe的含量升高而升高,而γeff会随着Xe的含量升高而降低。本文使用的计算γeff的方法可以用于计算ACPDP屏内介质保护膜的γeff。(本文来源于《真空电子技术》期刊2005年05期）
电子发射过程论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
热电子发射能量转换器是一种将热能直接转换成电能的电真空器件,是基于高温下电子会从发射极表面蒸发的热电子发射现象发展而来的。它依靠发射极的热电子发射以及收集极对发射极的正接触电位差输出电流。这样的器件可以将加热发射极的能量变成低压大电流的直流电输出。一个简单的热电子发射能量转换器的结构仅需要包括一个发射极和一个收集极。当具有较高功函数的发射极被加热,电子就从金属表面发射,并被收集极即阳极捕获,此时负载连接发射极和收集极就可以产生电流。理想热电子发射能量转换效率受到以下叁个过程影响:对于热电子发射能量转换器的研究一般是从两个方向展开,一是提高发射极的温度,二是在保证效率的情况下,降低发射极工作温度,以扩展热电子的应用范围。为了在较低温度下获得较高效率,可以通过寻找低逸出功的发射极材料,减少两电极间距和引入正铯离子以中和空间电荷效应。从传热角度分析热电子发射能量转换器输出特性,分析导热、对流换热、辐射换热等对热电子发射能量转换器输出特性的影响。建立两种不同的热电子发射能量转换器模型,对热电子发射能量转换器做出改进。通过数值模拟,研究分析影响发射极温度和热电子发射能量转换器输出特性的因素。结果表明,接收极直径和保温材料导热系数越小,加热功率越大,反光膜反光率越大,发射极温度、输出电流密度和效率越高;在各部分传热过程中影响发射极温度和效率的主要因素是固体间的导热。总的来说,充足的光照,合理的接收极尺寸和做好保温措施可以有效改善热电子发射能量转换器的输出特性。对于TEC而言,发射极温度对其输出功率和效率有重要影响,针对发射极加热建立真空辐射绝热系统进行实验研究。实验装置主要分为叁个部分,激光加热器和吸热装置和测温部分。实验通过改变激光器输出功率和真空绝热装置的真空度探究不同因素对发射极温度的影响。结果表明,加热功率越大,发射极温度越高,但随着加热功率的不断增大,其对发射极温度的升高影响越来越小;在中真空度下,真空度越高,发射极温度越高,因为通过气体导热散失的能量减少,但影响并不明显。以氧化物阴极和六硼化镧薄膜为两极,建立热电转化实验系统,通过改变输入功率和外加电压,探究系统特性。实验证明,随着加热功率增大,热电转化系统输出电流及转化效率也增大,且趋势越来越明显;在一定范围内,改变外加电压会影响系统的输出电流和效率,但存在临界值。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电子发射过程论文参考文献
[1].殷明,翁明,刘婉,王芳,曹猛.利用探针法研究二次电子发射过程中介质材料的表面电位[J].西安交通大学学报.2019
[2].朱伟伟.热电子发射能量转化传热过程的数值模拟和实验研究[D].东南大学.2018
[3].曾利霞.近玻尔速度高电荷态离子轰击SiC陶瓷过程中电子发射的温度效应研究[J].咸阳师范学院学报.2017
[4].牟致栋,魏琦瑛.Fe~(24+)离子双电子复合以及和H_2碰撞的共振转移与激发X射线发射过程的研究[J].物理学报.2014
[5].冯娜,杨生胜,陈益峰,高欣,张雷.空间材料二次电子发射过程的理论研究[J].真空与低温.2013
[6].沈志华,王晓,刘婷,吴胜利.表面传导电子发射电子源电形成过程分析[C].中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会论文集（下册）.2013
[7].蒲昱东,黄天晅,缪文勇,张继彦,赵宗清.利用时间分辨Ar的K壳层发射光谱诊断内爆靶丸芯区电子温度的时间演化过程[J].强激光与粒子束.2010
[8].顾建刚.空心Ar原子在Au表面退激过程中X射线和电子的发射[D].兰州大学.2007
[9].买胜利,王立,李凯,秦晓刚.材料二次电子发射特性对表面充电过程影响的数值模拟研究[J].真空与低温.2006
[10].郭滨刚,胡文波,郑德修,何锋,刘纯亮.老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO薄膜二次电子发射系数的影响[J].真空电子技术.2005
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