单晶硅论文_记者,李绍波

导读:本文包含了单晶硅论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:单晶硅,反射率,电池,股份有限公司,材料,曲靖市,销售收入。

单晶硅论文文献综述

记者,李绍波[1](2019)在《年产30GW单晶硅棒和切片项目举行签约仪式》一文中研究指出本报讯(记者李绍波)12月6日,曲靖市委、市政府与隆基绿能科技股份有限公司,就年产30GW单品硅棒和切片建设项目(一期)举行签约仪式。该项目落户曲靖经开区南海子工业园区硅晶产业园。曲靖市委副书记、市长李石松,曲靖市政协主席朱德光,云南省工信厅副厅(本文来源于《曲靖日报》期刊2019-12-09)

张雯[2](2019)在《年产30GW单晶硅棒和切片项目在曲靖签约》一文中研究指出本报讯(记者 张雯) 12月6日,曲靖市与隆基绿能科技股份有限公司年产30GW单晶硅棒和切片建设项目(一期)举行签约仪式,该项目落户曲靖经开区南海子工业园区硅晶产业园。该项目计划总投资120亿元,达产后预计年销售收入达150亿元,解决就业8000(本文来源于《云南日报》期刊2019-12-08)

李庆忠,孙苏磊,李强强[3](2019)在《单晶硅同质互抛实验研究》一文中研究指出以材料的去除率和表面粗糙度为评价指标设计对比实验,验证了硬脆材料互抛抛光的可行性,得到了抛光盘转速对硬脆材料互抛的影响趋势和大小。实验结果表明:当抛光压力为48 265 Pa(7 psi)、抛光盘转速为70 r/min时,自配抛光液互抛的材料去除率为672.1 nm/min,表面粗糙度为4.9 nm,与传统化学机械抛光方式的抛光效果相近,验证了硬脆材料同质互抛方式是完全可行的;互抛抛光液中可不添加磨料,这改进了传统抛光液的成分;采用抛光液互抛时,材料去除率随着抛光盘转速的增大呈现先增大后减小的趋势,硅片的表面粗糙度随着抛光盘转速的增大呈先减小后增大的趋势。(本文来源于《中国机械工程》期刊2019年23期)

聂行[4](2019)在《浅谈单晶硅的制绒工艺》一文中研究指出为了提高太阳电池的性能,常在硅片表面制作绒面,有效的绒面结构能使电池片尽可能多的吸收太阳光线,增加光的吸收率,从而提高电池的光电转换效率。(本文来源于《产业创新研究》期刊2019年11期)

高嘉庆,屈小勇,郭永刚[5](2019)在《离子注入技术在单晶硅太阳电池上的应用》一文中研究指出采用Silvaco-TCAD仿真软件模拟了在一定注入能量下离子注入剂量、退火温度和时间对太阳电池表面方块电阻和结深的影响,并通过离子注入机和高温退火炉进行了实验验证。实验结果表明,当离子注入剂量为7×10~(14 )cm~(-2)、注入能量为10 keV、退火时间为20 min、退火温度为870~890℃时,电池表面方块电阻超过130Ω/□,均匀性良好,结深可达0.6μm。当离子注入剂量小于7×10~(14 )cm~(-2)时,方块电阻值过大,且均匀性较差。均匀性良好的高方块电阻可有效降低电池表面的少子复合,进而有助于提升电池效率。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2019年12期)

王中旺,汪帮富,卢金斌,蒋全胜[6](2019)在《超短激光制备单晶硅光栅结构的热积累效应和实验研究》一文中研究指出针对超短激光辐照单晶硅材料制备光栅结构存在表面裂纹的缺陷,采用双温模型数值模拟出热积累效应,并且实验验证不同加工参数下制备的单晶硅表面光栅结构的表面质量。数值模拟出不同超短激光功率下电子温度和晶格温度的变化规律,通过调节不同的加工参数制备出单晶硅表面光栅结构沟槽,采用超景深叁维显微镜对其表面形貌分析。结果表明:当超短激光的输出功率增大时,激光热驰豫时间变大,增大了非平衡状态下激光的烧蚀强度。单晶硅表面的不平整凹坑造成超短激光的反射和散射,从而使得烧蚀后存在凹坑,造成单晶硅表面的损伤溶蚀。当加工速度和加工次数一定时,增大激光的输出功率可以提高超短激光制备光栅结构的加工效率,但过大的激光功率反而造成光栅结构沟槽两侧出现溶蚀凹坑。(本文来源于《激光与红外》期刊2019年11期)

王泽辉,沈鸿烈,魏青竹,倪志春,李树兵[7](2019)在《电注入退火条件对铸造单晶硅PERC电池抗LID效应影响的研究》一文中研究指出铸造单晶硅太阳电池由于性价比高,在晶硅太阳能市场占有越来越重要的地位。文章以B和Ga共掺杂的铸造单晶硅钝化发射和背面(PERC)电池为研究对象,采用现有工业生产的电注入退火方法,分别进行了260和180℃温度下的不同电注入条件退火处理和随后的光致衰减(LID)效应分析。分析表明:经180℃的电注入退火处理,电池效率的变化率为-0.64%,经60kW·h的光照后,电池效率比退火前降低了2.79%。而经过260℃的电注入退火处理后,电池效率提高1.12%,且经60kW·h的光照后,电池效率比退火前仅下降1.96%。这些结果说明,260℃的电注入退火条件更适用于铸造单晶硅电池的抗LID处理。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年06期)

本报记者,宋维东[8](2019)在《神工股份欲做半导体级单晶硅材料领域领先者》一文中研究指出半导体单晶硅材料供应商锦州神工半导体股份有限公司(简称“神工股份”)科创板首发上市申请近日获得通过。神工股份以集成电路刻蚀用单晶硅材料为切入点,进入全球半导体产业链体系,形成了独特竞争优势。公司表示,未来将持续增加研发及产业化投入,逐步进入市场空(本文来源于《中国证券报》期刊2019-11-12)

葛琦,周平,赵林杰,王紫光[9](2019)在《单晶硅磨削表面脆塑转变表征方法》一文中研究指出为了对单晶硅磨削表面脆塑转变特征进行有效的表征,研究了单晶硅脆塑性磨削模式下的表面形貌。首先,基于工件旋转法磨削原理,对单晶硅进行了磨削试验。然后,利用叁维形貌轮廓仪和扫描电子显微镜对不同磨削速度下的单晶硅表面形貌进行了测量和分析。最后,利用表面脆性破碎面积百分比Sbf、表面破碎率Sc、分形维数DL、表面纹理纵横比Str等参数对单晶硅磨削表面脆塑转变特征进行了研究。通过不同表征方法的对比分析,得出了基于参数Str的单晶硅磨削表面脆塑转变特征的有效表征方法。(本文来源于《机电工程技术》期刊2019年10期)

方正,王大镇,许志龙,杨星,李煌[10](2019)在《单晶硅电池表面织构与光电特性的关系》一文中研究指出针对在单晶硅片表面制备陷光织构可提高吸光率,但同时将导致光生伏特效应被削弱的问题,定义了电池的光学特性系数和电学特性系数,以表征电池光电特性。通过采用不同的化学制绒工艺参数,在单晶硅片表面获得不同尺寸的表面织构,分析了织构平均高度对电池光电特性和转换效率的影响规律。结果表明:随着单晶硅片表面织构平均高度的增大,单晶硅电池的光学特性系数呈现先升高再降低的规律,电学特性系数呈现逐渐减小的规律;基于中型金字塔绒织构的硅电池同时兼顾了光学特性和电学特性,得到最高的光电转换效率为19.49%。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2019年11期)

单晶硅论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本报讯(记者 张雯) 12月6日,曲靖市与隆基绿能科技股份有限公司年产30GW单晶硅棒和切片建设项目(一期)举行签约仪式,该项目落户曲靖经开区南海子工业园区硅晶产业园。该项目计划总投资120亿元,达产后预计年销售收入达150亿元,解决就业8000

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

单晶硅论文参考文献

[1].记者,李绍波.年产30GW单晶硅棒和切片项目举行签约仪式[N].曲靖日报.2019

[2].张雯.年产30GW单晶硅棒和切片项目在曲靖签约[N].云南日报.2019

[3].李庆忠,孙苏磊,李强强.单晶硅同质互抛实验研究[J].中国机械工程.2019

[4].聂行.浅谈单晶硅的制绒工艺[J].产业创新研究.2019

[5].高嘉庆,屈小勇,郭永刚.离子注入技术在单晶硅太阳电池上的应用[J].微纳电子技术.2019

[6].王中旺,汪帮富,卢金斌,蒋全胜.超短激光制备单晶硅光栅结构的热积累效应和实验研究[J].激光与红外.2019

[7].王泽辉,沈鸿烈,魏青竹,倪志春,李树兵.电注入退火条件对铸造单晶硅PERC电池抗LID效应影响的研究[J].半导体光电.2019

[8].本报记者,宋维东.神工股份欲做半导体级单晶硅材料领域领先者[N].中国证券报.2019

[9].葛琦,周平,赵林杰,王紫光.单晶硅磨削表面脆塑转变表征方法[J].机电工程技术.2019

[10].方正,王大镇,许志龙,杨星,李煌.单晶硅电池表面织构与光电特性的关系[J].微纳电子技术.2019

论文知识图

光刻法和金属辅助催化化学刻蚀相结合...反应进行10min后,CuZn41合金不同放...刻蚀装置法单晶硅生长示意图单晶硅光伏电池在聚光条件下的...单晶硅衬底上生长的非晶硅l砚T...

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