论文摘要
利用导电原子力显微镜技术研究了单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能.首先使用化学气相沉积法制备出结晶性良好的GaN纳米带,然后将GaN纳米带分散到高定向热解石墨基底上,利用探针作为微电极构成基于单根GaN纳米带的两端结构压电器件.通过改变探针加载力的大小和引入外加光源调控GaN纳米带的电流输运性能,对单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能变化规律进行研究.研究发现,在有光条件下单根GaN纳米带整流开关比明显增大,随着加载力的增大,单根GaN纳米带电流响应值增大但整流特性减弱.最后,基于压电电子学和光电导效应理论,通过分析肖特基势垒在加载力及光照作用下的变化规律解释了实验现象.
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 邓长发,燕少安,王冬,彭金峰,郑学军
关键词: 纳米带,压电效应,光电导效应,力电耦合
来源: 物理学报 2019年23期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,信息科技
专业: 材料科学,无线电电子学
单位: 湘潭大学机械工程学院焊接机器人与应用技术湖南省重点实验室复杂轨迹加工工艺及装备教育部工程研究中心
基金: 国家自然科学基金(批准号:11832016,61804130,51775471),湖南省自然科学基金(批准号:2018JJ3513)资助的课题~~
分类号: TB383.1;TN16
页码: 270-277
总页数: 8
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