H2对Al-Si-GNP共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

论文摘要

以玻璃为基底,采用射频磁控溅射法制备了Al2O3、SiO2、氧化石墨烯（GNP）共掺杂氧化锌（GASZO）透明导电薄膜.考察了在Ar（流量不变）中H2流量对薄膜制备的影响.采用X射线衍射仪（XRD）及扫描电子显微镜（SEM）等对薄膜形貌、结构进行了表征.结果表明薄膜晶相为纤锌矿结构、呈c轴择优取向; Scherrer公式计算发现增加H2量,可以减小薄膜的平均晶粒尺寸; H2流量对薄膜内应力影响较大.此外,还采用四探针测试仪、紫外—可见分光光度计（UV-Vis）等对薄膜的光电性能进行了表征.当Ar流量为70 sccm、H2占溅射气氛1. 00%时,薄膜具有最低电阻率7. 746×10-4Ω·cm;适量的H2流量可以提高玻璃在近紫外区的透过率;镀膜后样品在可见光区的平均透过率为90%左右.

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 丁春华,汪国庆,段光申,姜宏

关键词: 射频磁控溅射,共掺杂,薄膜,光电性能

来源: 海南大学学报(自然科学版) 2019年01期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 海南大学海南大学南海海洋资源利用国家重点实验室海南省特种玻璃重点实验室,广东工业大学轻工化工学院

基金: 国家重点研发计划(2016YFC0700804),国家自然科学基金(51562008)

分类号: TB383.2

DOI: 10.15886/j.cnki.hdxbzkb.2019.0001

页码: 1-5

总页数: 5

文件大小: 243K

下载量: 64

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