论文摘要
利用磁控溅射技术在氩氢混合气氛以及纯氩（Ar）气氛中分别制备（FeCo）xGe1-x-H和（FeCo）xGe1-x磁性半导体薄膜。对于2种磁性半导体薄膜,采用X射线衍射仪测量表明,加氢对（FeCo）xGe1-x-H的非晶结构没有影响;红外光谱测量结果显示,与氢钝化Si的悬挂键不同,氢没有钝化Ge的悬挂键;X光电子能谱测量结果表明,（FeCo）0.70Ge0.30-H和（FeCo）0.70Ge0.30薄膜中的（FeCo）与Ge的相对原子比值与样品制备时设定的比值一致,（FeCo）0.70Ge0.30-H薄膜中Fe、Co和Ge元素的能谱峰位置与（FeCo）0.70Ge0.30薄膜中对应元素的能谱峰位置基本一致,原因可能是Fe（Co）原子和H原子之间结合能化学位移很小, XPS仪器分辨率较低,因而未被检测出来。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 裴娟,张芹,原所佳,孙振翠,刘栋
关键词: 磁性半导体,薄膜,磁控溅射
来源: 山东交通学院学报 2019年04期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,信息科技
专业: 无线电电子学
单位: 山东交通学院理学院
基金: 山东交通学院博士科研启动基金资助项目,国家青年科学基金项目(11904394)
分类号: TN304.7
页码: 78-82
总页数: 5
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