论文摘要
采用磁控溅射法分别在Si片和玻璃片上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD、XPS、紫外可见分光光度计和HP4284A精密LCR测试仪对HfO2薄膜的表面形貌、微观结构、组成成分、光学特性和电学特性进行了分析。得出了以下结论:HfO2薄膜表面较为平坦致密,晶粒大小均匀,晶粒尺寸大部分在10nm～20nm之间;薄膜为多晶结构,O和Hf的原子比接近2:1,且随着氩氧比的增加,O和Hf的原子比呈上升趋势;薄膜在400nm～800nm波长范围内光的透射率都在85%以上,折射率都在2.0以上;漏电流较小,介电常数在16以上。高介电HfO2材料适合代替传统Si O2做栅介质材料。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 廖荣,邓永健,王家驹,赵飞兰,郑若茜,刘慧君,柯嘉聪
关键词: 薄膜,磁控溅射,介电常数
来源: 真空 2019年05期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑
专业: 材料科学
单位: 华南理工大学电子与信息学院
基金: 2019年华南理工大学“学生研究计划”项目(X201910561135),2018年华南理工大学第五批“探索性实验”项目(Y9180400),2018年华南理工大学“国家级大学生创新创业训练计划”(Y9180210)项目
分类号: TB383.1
DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.05.10
页码: 52-55
总页数: 4
文件大小: 2004K
下载量: 234
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