导读:本文包含了极性半导体论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:极性,半导体,晶体管,效应,机场,理论,深紫。
极性半导体论文文献综述
张东,娄文凯,常凯[1]（2019）在《半导体极性界面电子结构的理论研究》一文中研究指出半导体电子结构的有效调控一直是人们长期关注的科学问题,也是主流半导体材料物性与器件设计的核心科学问题之一.传统栅极技术只能在小范围内改变半导体材料的带隙,作者从理论上通过人工设计半导体极性界面,产生约10 MV/cm的内建电场,从而实现对Ge、InN等主流半导体带隙在0—2 eV范围内的有效调控,并显着增强Rashba自旋轨道耦合强度,作者进一步利用构建的多带k.p模型证明增强的Rashba自旋轨道耦合可以将常规半导体驱动至拓扑相.文章重点介绍极性半导体InN的极性界面能隙调控;以及Ⅳ族非极性半导体Ge的极性界面能带调控.半导体极性界面的制备与主流半导体工艺兼容,展现了极性界面在主流半导体量子结构的物性调控与光电器件中潜在的应用前景.(本文来源于《物理学报》期刊2019年16期）
杨杰[2]（2019）在《双极性和N型半导体聚合物的设计合成及光电性能研究》一文中研究指出相比无机场效应晶体管,有机场效应晶体管(OFETs)具有质量轻、柔性好、可溶液加工及光电特性易调等优点,在集成电路、智能传感器、柔性显示、电子皮肤以及可穿戴器件等领域有广阔的应用前景。近年来,基于聚合物半导体的OFETs已经取得了重要进展。其中,p型聚合物半导体的性能已经超过了20 cm~2 V~(-1) s~(-1)。相比之下,双极性和n型聚合物半导体发展滞后,其电子迁移率普遍低于5 cm~2 V~(-1) s~(-1)。由于双极性和n型聚合物材料在逻辑电路和发光场效应晶体管等领域有重要的应用价值,该类材料的设计合成是本领域的一个重要研究方向。本论文以设计合成新型的双极性和n型聚合物材料为目标,通过研究这些材料的结构与性能的关系,总结出一些双极性和n型聚合物材料的有效设计策略。本论文的主要研究内容如下:1.提出了“受体二聚”策略,合成了双吡咯并吡咯二酮(2DPP)受体及其聚合物P2DPP-BT,P2DPP-TT,P2DPP-TVT和P2DPP-BDT。相比单DPP聚合物,2DPP聚合物的LUMO能级降低了约0.1 eV。单DPP聚合物基本上是一类p型材料,n型性能处于10~–33 cm~2 V~–11 s~(–1)量级,而2DPP聚合物均表现出优异的双极性传输特性。其中,P2DPP-TT的空穴和电子迁移率各为4.16和3.01 cm~2 V~–11 s~(–1),是文献报道的双极性材料的最好结果之一。2DPP聚合物的电子迁移率相比单DPP聚合物的提高了两个数量级。这些结果表明“受体二聚”是实现双极性材料的有效策略。2.设计合成了叁吡咯并吡咯二酮(3DPP)受体及其聚合物P3DPP-BT。该聚合物是一个窄带隙材料,其光学带隙为1.27 eV。该聚合物的HOMO和LUMO能级分别为-5.45和-3.51 eV。基于该聚合物的OFET器件表现出平衡的双极性传输特性,其空穴和电子迁移率分别为1.12和1.27 cm~2 V~–11 s~(–1)。3.采用“多氟取代”策略合成了异靛蓝的聚合物PIID-2FBT,P1FIID-2FBT和P2FIID-2FBT。从PIID-2FBT到P2FIID-2FBT,氟原子的增加使得聚合物的平面性变好,LUMO能级降低,结晶性变强。PIID-2FBT,P1FIID-2FBT和P2FIID-2FBT分别表现出p型为主,平衡的双极性和n型为主的传输特性。其中,P2FIID-2FBT的空穴和电子迁移率各为2.75和9.70 cm~2 V~–11 s~(–1),是文献报道的双极性材料的最好结果之一。我们引入了“有效质量”的概念来解释P2FIID-2FBT高性能的原因。该聚合物的有效质量很小,说明载流子在分子内的传输很快。这些结果表明可以通过设计具有适当的能级,高的结晶度和小的有效质量的聚合物来得到高迁移率的双极性材料。4.发展了一种通用的取代环化靛蓝(BAI)的合成方法,该方法对不同的取代基(氟、氯、溴、氰基、叁氟甲基等)和不同的取代基位置都适用。基于这种方法,我们合成了一系列新型的BAI受体,同时合成了4个BAI的聚合物PBAI-V,P2FBAI-V,P2ClBAI-V和P4OBAI-V。这些聚合物都是双极性材料。其中,P2ClBAI-V的性能最好,空穴和电子迁移率分别为4.04和1.46 cm~2 V~(-1) s~(-1)。本工作发展的通用的取代BAI合成方法还可用于合成更多的新型BAI聚合物,将会极大地丰富双极性半导体材料的种类。(本文来源于《华中科技大学》期刊2019-05-01）
贾辉,徐建飞,石璐珊,梁征,张滢[3]（2018）在《金属–半导体–金属结构非极性α-AlGaN深紫外探测器的制备》一文中研究指出通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)高温外延生长的未掺杂非极性α-AlGaN半导体薄膜,制备了金属–半导体–金属(MSM)结构的深紫外光电探测器,研究了在α-AlGaN半导体薄膜表面磁控溅射不同时间的SiO_2纳米颗粒对α-AlGaN MSM结构的深紫外探测器性能的影响。结果表明:5 V偏压下,探测器光谱响应峰值提高了大约3个数量级,深紫外近可见抑制比高达104,具有很好的深紫外特性,同时暗电流也下降了2~3个数量级,磁控溅射SiO_2纳米颗粒提升了α-AlGaNMSM结构深紫外探测器性能。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2018年09期）
吴艳玲[4]（2016）在《双极性酞菁类材料的设计制备及半导体性质的研究》一文中研究指出有机半导体材料在电子器件中有如下优势:如低成本、柔性好、大面积、低能耗和微/纳米级等,而存在巨大的潜在应用价值,最近几十年来一直受到科研工作者们的广泛研究。而酞菁、卟啉类的化合物作为大环共轭体系由于自身的大的π共轭结构所引起的独特的光学和电学性质,也一直以来吸引着众多科学家的研究兴趣,其中一个特别吸引人的地方是它的性质很大一部分取决于外围取代基团以及酞菁、卟啉环中心金属离子。但是不含取代基的酞菁、卟啉溶解性并不好而且在溶液中特别容易聚集,因此我们会在酞菁、卟啉外围变换各种取代基,以此来改善酞菁、卟啉的性质。进而能使其朝着理想的物理和化学性质发展。目前我们的工作主要是设计、合成新颖的化合物,对其物理和化学性质进行研究,通过自组装的方法制备成小分子器件,应用于电子领域。⒈双亲性不对称卟啉锌化合物的合成,组装及NO_2气敏传感性质的研究我们设计,合成和表征了两种新颖的双亲性的金属卟啉锌化合物[Zn T(OC_2H_4OC_2H_4OH)PP](1)和[Zn T(OC_2H_4NN_(15)C_5)PP](2)。并且我们对两种卟啉锌化合物的电化学性质进行了测试。通过溶剂化处理的QLS法将两种卟啉锌化合物组装成膜结构,并分别通过紫外可见吸收光谱、红外光谱、X射线衍射光谱、原子力显微镜等技术以及I-V曲线的性质测试进行了研究。实验结果显示,化合物1和化合物2的分子在QLS膜中采取的是较为典型的J聚集(肩并肩的聚集),通过和化合物2的表征结果进行对比,化合物1的表征结果显示,相比较化合物2来说,其结晶性和膜的高度有序性都明显的提高,这归因于化合物1中具有较强的分子间作用力。另外,QLS膜1的电导率比QLS膜2的电导率高一个数量级,表明取代基团对卟啉行为起到了重要的调控作用。更重要的是,在NO_2气敏测试中QLS膜1和QLS膜2在200和800 ppm循环测试中,都倾向于为接受电子。我们又从气敏响应的灵敏度、稳定性和重现性上来进行了比较,结果显示QLS膜1优于QLS膜2,这样的结果揭示了分子间相互作用、膜结构/形貌和较低的LUMO能级对气敏性质的影响。出乎意料的是,当暴露在NO_2气体中的时候,QLS膜1和QLS膜2都展现了电流下降,这在卟啉体系中得到n型的气敏响应响应是第一例的,现在的结果不仅代表了第一例以薄膜为基础的n型金属卟啉半导体,更重要的是通过分子设计和自组装技术提供了一个有效的方式去得到n型有机半导体。⒉不对称的酞菁锌化合物制备Langmiur单层膜来控制Zn S纳米颗粒阵列的生长以及半导体性质的研究具有典型的双亲性特征的一个新颖的不对称的酞菁锌化合物已经被设计、合成,并用一系列光谱手段表征出来,命名为:2,3-二(4-羟基苯氧基)-9,10,16,17,24,25-苯丙锡(n-辛氧)酞菁锌,Zn[Pc(OC_8H_(17))_6(OPh OH)_2]。我们用Langmuir技术制备成单层膜,这个双亲性的化合物不仅仅可以用来作为有机模板,而且可产生较好的纳米颗粒,用于Zn[Pc(OC_8H_(17))_6(OPh OH)_2]/Zn S功能复合材料。除此之外,多层纯膜Zn[Pc(OC_8H_(17))_6(OPh OH)_2]和多层混杂膜Zn[Pc(OC_8H_(17))_6(OPh OH)_2]/Zn S通过多次沉积的的Langmuir-Sh?fer(LS)技术已经被成功的制备。我们对纯LS膜进行了表面压力等温线测试、紫外可见吸收光谱和X射线衍射技术的研究,结果表明无论是Zn[Pc(OC_8H_(17))_6(OPh OH)_2]纯LS膜还是Zn[Pc(OC_8H_(17))_6(OPh OH)_2]/Zn S混杂膜当中,分子采取得都是面对面的堆积方式(face-to-face,edge-on),并且值得注意的是,I-V测试结果表明相对于纯物质来说,混杂膜的导电性明显提高,原因归因于紧密的分子排列结构和在双组份之间更大的界面面积,通过创造一个相互穿插的连续的有机-无机混杂界面来移除电荷转移时的障碍,当前的方法为有机-无机混杂的纳米结构提供了一个新的思路,得到了较好的半导体性质,具有较为广阔的应用前景。⒊两种结构相似的单层酞菁铜基化合物的合成酞菁作为具有较大的共轭体系的一个典型的功能材料,由于具有较好的光电和磁性性能,已经被广泛的应用在柔性电子纸和成本较低的记忆卡上。但是不含取代基的酞菁铜的溶解性却不好,这大大限制了酞菁化合物的应用,因此我们通过在酞菁外围引入不同的取代基来成功的改善了酞菁铜类化合物的溶解性。(本文来源于《济南大学》期刊2016-06-01）
张骥[5]（2016）在《极性半导体/弛豫型铁电体复合陶瓷的制备及其电学性质表征》一文中研究指出压电陶瓷是一种重要的功能材料,在军用和民用领域有着广泛的应用,例如传感器、换能器等。然而,商业化应用的压电陶瓷材料主要是以铅基陶瓷(Pb(Zr,Ti)03,PZT)为主,但由于铅基陶瓷在生产、使用和废弃的过程中,铅的毒性会对人类健康和生态环境带来了严重的危害。随着人们的环境保护意识和可持续发展观念的逐渐提高,开发高性能的无铅压电陶瓷成为一个重要的研究方向。在已发现的无铅压电材料中,钛酸铋钠(Na0.5Bi0.5TiO3,BNT)基无铅压电材料由于其良好的铁电性、较高的最大介电常数温度(Tm～300℃)、可重复性好等优点而成为可能取代铅基压电材料的候选材料之一。然而,100℃左右的热致退极化却成为了BNT基压电材料进入实际应用的主要障碍之一,这是因为退极化会导致其宏观的铁电、压电性消失,使得器件失效。本论文针对BNT基压电材料存在的热致退极化问题,主要完成了如下工作：1、利用传统的固相烧结法制备了Na0.5Bi0.5TiO3:xZnO(BNTxZnO,x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)复合铁电陶瓷,采用x射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)进行分析,结果表明BNTxZnO陶瓷具有两相共存的复合结构,且ZnO有聚集长大的趋势；介电性能分析表明,退极化温度Td随着x的增大而增大,x=0.3左右时,样品的退极化被完全抑制了；室温铁电、压电性能分析表明,所有组分的样品均具有饱和电滞回线(P-E loops)、极化电流-电场强度曲线(J-E curves)；变温铁电、压电性能分析表明,x=0的样品在100℃左右开始退极化,J-E曲线出现4个极化电流峰,而x=0.3的样品在温度达到125℃时仍保持饱和电滞回线,2个极化电流峰的J-E曲线；x=0的样品经125℃退火后的剩余d33仅有9pC/N,而x=0.3的样品剩余d33为22pC/N,进一步表明了BNT:xZnO的退极化被抑制、甚至消除了。2、利用传统的固相烧结法制备了0.94Na0.5Bi0.5TiO3-0.06BaTiO3:xZnO (BNT-6BT:xZnO, x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)复合铁电陶瓷,XRD、SEM、Raman分析表明,BNT-6BT:xZnO陶瓷是0-3型的复合结构,ZnO分布于BNT-6BT母相的晶界处,且有聚集长大的趋势；介电性能分析表明,退极化温度Td随着x的增大而增大,x=0.3左右时,样品的Td所对应的介电损耗峰消失；室温铁电、压电性能分析表明,所有组分的样品均具有饱和电滞回线(P-E loops)、电致应变曲线(S-E curves),表明其具有较好的铁电、压电性；变温铁电、压电性能分析表明,x=0的样品在50℃左右开始退极化,出现4个极化电流峰,负应变在75℃时完全消失,而x=0.3的样品在温度达到1250℃时仍保持饱和电滞回线、2个极化电流峰、负应变曲线；x=0的样品经125℃退火后的剩余d33仅有5pC/N,而x=0.3的样品剩余d33为80pC/N,进一步表明BNT-6BT:xZnO的退极化被抑制、甚至消除了,样品的热稳定性得到了很大的提高。基于以上实验结果,从电荷交换模型的角度讨论了BNT-6BT:ZnO铁电复合陶瓷退极化被抑制或消除的可能机制。(本文来源于《南京大学》期刊2016-05-01）
张浩力,许欢,周业成,周星宇,刘珂[6]（2014）在《分子堆积引起的单极性与双极性半导体材料的转变》一文中研究指出双极性有机半导体材料在有机柔性显示,逻辑互补电路等领域具有潜在的应用价值,引起了人们的广泛关注。我们小组在双极性半导体材料的合成以及器件性能上进行了系统的研究[1],并制备了高性能的有机反相器[2]。以往的研究表明,改变共轭骨架的烷基链取代可以调控单晶结构以及薄膜中的分子堆积,从而提高器件迁移率。但是烷基链的改变通常只能提高器件的迁移率并不能改变载流子的迁移类型。本工作,我们首次报道了分子堆积形式不同可以决定材料表现出双极性或单极性传输性质的现象。对一系列不同烷基s-苯并二茚并二噻吩-4,9-二酮衍生物的研究表明,同样的共轭骨架既可能表现单极性的传输行为,也可能出现双极性的性质[3]。通过单晶结构以及薄膜XRD分析,结合理论模拟,我们证明烷基链不同导致分子在薄膜中具有不同的堆积结构,从而引起了器件传输性能的变化。(本文来源于《中国化学会第29届学术年会摘要集——第16分会：π-共轭材料》期刊2014-08-04）
毛祖攀,陈华杰,郭云龙,黄剑耀,赵岩[7]（2014）在《基于合并乙烯基NDI的高性能双极性半导体材料》一文中研究指出我们成功地合成了两种基于NDI的聚合物半导体材料,用于制备双极性有机场效应晶体管器件。与P(NDI2OD-T2)相比,我们合成的PNVTs聚合物增强了聚合物结合,加强了π–π轨道重叠。在空气氛围中,其空穴和电子迁移率分别最高达到0.3和1.57 cm2 V-1 s-1。这是目前基于NDI聚合物最高的场效应性能。基于该材料制备的反相器最高gain达到155。这样的实验结果向我们展示此类乙烯基链接的聚合物在高性能场效应晶体管中将会有更光明的应用前景。(本文来源于《中国化学会第29届学术年会摘要集——第17分会：光电功能器件》期刊2014-08-04）
许欢[8]（2014）在《双极性及n-型有机半导体的合成与表征》一文中研究指出有机场效应晶体管(OFETs)由于其柔性、可大面积制备的优点,以及在未来电子学器件中具有潜在应用而引起广泛的关注。OFETs的性能主要由有机半导体层的性质决定。目前空穴传输性质(p-型)有机半导体材料的数目和性能都得到了很大的发展。而相对来说,可以同时传输空穴和电子的双极性(ambipolar)材料以及空气中稳定的n-型(电子传输型)有机半导体材料的发展远远滞后于p-型材料。在本论文中,我们主要致力于双极性有机半导体和空气中稳定的n-型有机半导体材料的研究。我们设计并合成了一类新型双极性半导体材料和叁种潜在的n-型半导体材料,并对这些新材料的物理和化学性质进行了研究。具体包括以下几个部分：1.合成了具有不同烷基链取代的s-苯并二茚并二噻吩-4,9-二酮衍生物,对其双极性传输性能进行了实验与理论计算的研究。结果表明通过改变共轭骨架的堆积模式和薄膜的微结构,单极性有机半导体可能转变为双极性的材料。虽然光学和电学测试表明这叁个有机半导体具有相似的能级,但是基于它们的OFETs器件却存在截然不同的传输性质。乙基或者十二烷基取代的化合物表现出双极性的传输性质,而正己基取代的化合物表现出p-型单极性传输性质。十二烷基取代的化合物是一个优良的双极性半导体,其最高电子迁移率为0.22 cm2V-1s-1,空穴迁移率为0.03 cm2 V-1s-1。基于这个化合物的CMOS反相器具有超过50的增益值。理论计算揭示了这叁个材料传输性能的不同是由分子堆积和薄膜微结构引起的。2.设计合成了不同烷基取代的基于s-苯并二茚并二噻吩-4,9-二烯氰基骨架结构的n-型有机半导体材料,并对其进行了场效应性质的研究。这一系列化合物具有高的热稳定性,通过真空蒸镀法制备的有机场效应器件最高电子迁移率可以达到0.14 cm2 V-1 s-1。用不同功函的金属作为电极(金或者银),其场效应性能相似。通过真空升华对化合物进行纯化,可以进一步提高其场效应性能。XRD表征可以看出,提高基底温度可以得到更有序的薄膜,从而提高场效应性能。由于这系列化合物与C60具有相似的能级,因此它们可以作于电子受体应用于有机太阳能电池中。3.设计合成了叁个基于噻吩并吡咯二酮(TPD)结构的化合物,并对其场效应性质及非线性光学性质进行了研究。这些化合物在常用有机溶剂中均表现出很高的溶解性,我们使用溶液旋涂法制备了有机活化层薄膜,并通过热退火提高薄膜的有序性可以成功制备有机场效应晶体管器件。场效应测试结果表明带有烯氰基的醌式结构化合物TPD-T-CN为空气中稳定的n-型有机半导体材料,而不同末位取代的衍生物TPD-2TT-H/C6为p-型材料。另外这一系列化合物还具有非线性光学性质,其中TPD-T-CN的光限幅性能最好。4.利用简洁的合成策略制备了含有六个氮原子的二氢并五苯衍生物DHHAP,并研究了其在溶液中的互变异构与pH响应性质。我们通过紫外光谱结合核磁共振技术研究了DHHAP的互变异构现象与可逆的pH响应性质,并且通过理论计算研究和讨论了这些化合物的稳定性以及芳香性。此外DHHAP化合物也具有非线性光学性质。5.设计合成了多种不同杂原子取代的共轭小分子,对合成方法进行了探索,并对其性质进行了基本表征。分别设计合成了含有羰基的寡居噻吩衍生物,同时含有氮原子和硫原子掺杂的五元共轭稠环化合物,以及氮原子和氧原子掺杂的五元并苯结构。通过在骨架中不同的杂原子的掺杂,研究其能级的变化,有可能得到新型的双极性或者n-型的有机半导体材料。(本文来源于《兰州大学》期刊2014-04-01）
刘珂,许欢,周星宇,范志平,张浩力[9]（2013）在《新型双极性有机半导体材料的设计、合成与表征》一文中研究指出研究柔性可控的有机半导体材料以及纳米尺度下有机分子的可控组装与电学性质的测量引起了科学家们的极大兴趣.传统的有机半导体材料只是p-型或者n-型的单极性材料,而能同时传输空穴和电子的双极性有机半导体材料的研究还非常有限.在本小组的工作中,我们探索了以氮杂并五苯[1]以及并噻吩五元杂环酮[2]为骨架的(本文来源于《中国化学会第八届有机化学学术会议暨首届重庆有机化学国际研讨会论文摘要集（3）》期刊2013-10-17）
乌云其木格,韩超,额尔敦朝鲁[10]（2012）在《极性半导体量子点中双极化子LO声子平均数的温度依赖性》一文中研究指出采用Huybrechts线性组合算符法和Lee-Low-Pines变分方法研究了极性半导体量子点中双极化子性质的温度依赖性,推导出了量子点中双极化子的LO声子平均数的表达式。数值计算结果表明,双极化子的LO声子平均数随两电子间相对距离的增大或温度的升高而减小,随电子-LO声子耦合强度的增加而增大;两电子间的相对距离、电子-LO声子耦合强度和温度是影响双极化子束缚态稳定性的重要因素。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2012年04期）
极性半导体论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
相比无机场效应晶体管,有机场效应晶体管(OFETs)具有质量轻、柔性好、可溶液加工及光电特性易调等优点,在集成电路、智能传感器、柔性显示、电子皮肤以及可穿戴器件等领域有广阔的应用前景。近年来,基于聚合物半导体的OFETs已经取得了重要进展。其中,p型聚合物半导体的性能已经超过了20 cm~2 V~(-1) s~(-1)。相比之下,双极性和n型聚合物半导体发展滞后,其电子迁移率普遍低于5 cm~2 V~(-1) s~(-1)。由于双极性和n型聚合物材料在逻辑电路和发光场效应晶体管等领域有重要的应用价值,该类材料的设计合成是本领域的一个重要研究方向。本论文以设计合成新型的双极性和n型聚合物材料为目标,通过研究这些材料的结构与性能的关系,总结出一些双极性和n型聚合物材料的有效设计策略。本论文的主要研究内容如下:1.提出了“受体二聚”策略,合成了双吡咯并吡咯二酮(2DPP)受体及其聚合物P2DPP-BT,P2DPP-TT,P2DPP-TVT和P2DPP-BDT。相比单DPP聚合物,2DPP聚合物的LUMO能级降低了约0.1 eV。单DPP聚合物基本上是一类p型材料,n型性能处于10~–33 cm~2 V~–11 s~(–1)量级,而2DPP聚合物均表现出优异的双极性传输特性。其中,P2DPP-TT的空穴和电子迁移率各为4.16和3.01 cm~2 V~–11 s~(–1),是文献报道的双极性材料的最好结果之一。2DPP聚合物的电子迁移率相比单DPP聚合物的提高了两个数量级。这些结果表明“受体二聚”是实现双极性材料的有效策略。2.设计合成了叁吡咯并吡咯二酮(3DPP)受体及其聚合物P3DPP-BT。该聚合物是一个窄带隙材料,其光学带隙为1.27 eV。该聚合物的HOMO和LUMO能级分别为-5.45和-3.51 eV。基于该聚合物的OFET器件表现出平衡的双极性传输特性,其空穴和电子迁移率分别为1.12和1.27 cm~2 V~–11 s~(–1)。3.采用“多氟取代”策略合成了异靛蓝的聚合物PIID-2FBT,P1FIID-2FBT和P2FIID-2FBT。从PIID-2FBT到P2FIID-2FBT,氟原子的增加使得聚合物的平面性变好,LUMO能级降低,结晶性变强。PIID-2FBT,P1FIID-2FBT和P2FIID-2FBT分别表现出p型为主,平衡的双极性和n型为主的传输特性。其中,P2FIID-2FBT的空穴和电子迁移率各为2.75和9.70 cm~2 V~–11 s~(–1),是文献报道的双极性材料的最好结果之一。我们引入了“有效质量”的概念来解释P2FIID-2FBT高性能的原因。该聚合物的有效质量很小,说明载流子在分子内的传输很快。这些结果表明可以通过设计具有适当的能级,高的结晶度和小的有效质量的聚合物来得到高迁移率的双极性材料。4.发展了一种通用的取代环化靛蓝(BAI)的合成方法,该方法对不同的取代基(氟、氯、溴、氰基、叁氟甲基等)和不同的取代基位置都适用。基于这种方法,我们合成了一系列新型的BAI受体,同时合成了4个BAI的聚合物PBAI-V,P2FBAI-V,P2ClBAI-V和P4OBAI-V。这些聚合物都是双极性材料。其中,P2ClBAI-V的性能最好,空穴和电子迁移率分别为4.04和1.46 cm~2 V~(-1) s~(-1)。本工作发展的通用的取代BAI合成方法还可用于合成更多的新型BAI聚合物,将会极大地丰富双极性半导体材料的种类。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
极性半导体论文参考文献
[1].张东,娄文凯,常凯.半导体极性界面电子结构的理论研究[J].物理学报.2019
[2].杨杰.双极性和N型半导体聚合物的设计合成及光电性能研究[D].华中科技大学.2019
[3].贾辉,徐建飞,石璐珊,梁征,张滢.金属–半导体–金属结构非极性α-AlGaN深紫外探测器的制备[J].硅酸盐学报.2018
[4].吴艳玲.双极性酞菁类材料的设计制备及半导体性质的研究[D].济南大学.2016
[5].张骥.极性半导体/弛豫型铁电体复合陶瓷的制备及其电学性质表征[D].南京大学.2016
[6].张浩力,许欢,周业成,周星宇,刘珂.分子堆积引起的单极性与双极性半导体材料的转变[C].中国化学会第29届学术年会摘要集——第16分会：π-共轭材料.2014
[7].毛祖攀,陈华杰,郭云龙,黄剑耀,赵岩.基于合并乙烯基NDI的高性能双极性半导体材料[C].中国化学会第29届学术年会摘要集——第17分会：光电功能器件.2014
[8].许欢.双极性及n-型有机半导体的合成与表征[D].兰州大学.2014
[9].刘珂,许欢,周星宇,范志平,张浩力.新型双极性有机半导体材料的设计、合成与表征[C].中国化学会第八届有机化学学术会议暨首届重庆有机化学国际研讨会论文摘要集（3）.2013
[10].乌云其木格,韩超,额尔敦朝鲁.极性半导体量子点中双极化子LO声子平均数的温度依赖性[J].固体电子学研究与进展.2012
论文知识图
