单层金属卤化物CoX2(X=Cl、Br、I)可调能隙和磁性研究

单层金属卤化物CoX2(X=Cl、Br、I)可调能隙和磁性研究

论文摘要

本文采用密度泛函理论系统的研究了二维单层金属卤化物CoX2(X=Cl,Br,I)的结构稳定性、电子性质和磁性质.三种卤化物的束缚能分别是9.01、8.04和6.95 eV,表明Co原子和卤素原子间存在强相互作用.三种材料的能带结构都显示了间接带隙半导体特性.三种材料的总磁矩都是3 μB,主要来源于Co原子的磁矩.为了实现对材料物性的调控,我们考虑了双轴应变.发现压缩应变不仅可以显著增强铁磁态的稳定性,还可以实现体系从间接带隙半导体向直接带隙半导体的转变.

论文目录

  • 1 引 言
  • 2 理论方法和计算方案
  • 3 结果和讨论
  •   3.1 晶体结构和稳定性
  •   3.2 电子性质
  •   3.3 磁性质
  • 4 结 论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 陈红霞

    关键词: 金属卤化物,二维材料,可调能带,可调磁性

    来源: 原子与分子物理学报 2019年04期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

    专业: 无机化工,材料科学

    单位: 盐城师范学院新能源与电子工程学院

    基金: 国家自然科学基金(11247235,11404279),江苏省青蓝工程(QLP)

    分类号: TQ138.12;TB33

    页码: 644-648

    总页数: 5

    文件大小: 1985K

    下载量: 67

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