导读:本文包含了直流偏压论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:偏压,磁控溅射,脉冲,薄膜,硬度,基体,电容器。
直流偏压论文文献综述
徐星,苏峰华,李助军[1]（2019）在《脉冲偏压对直流磁控溅射沉积MoN薄膜结构及性能的影响》一文中研究指出MoN薄膜是一种具有潜在应用价值的薄膜材料,但对于其结构和性能的研究还较少。采用直流磁控溅射技术在304不锈钢基体表面沉积MoN薄膜,研究了脉冲偏压对MoN薄膜结构和性能的影响,并系统研究了MoN薄膜在不同摩擦条件下的摩擦磨损行为。采用X射线衍射仪和扫描电镜分析薄膜的晶相结构、晶粒尺寸、表面及断面形貌,采用HMV-2T显微硬度仪测试薄膜的显微硬度。采用UMT-TriboLab多功能摩擦磨损试验机评价薄膜的摩擦磨损性能,并用扫描电镜观察磨损表面,分析其磨损机制。结果表明:脉冲偏压显着影响直流磁控沉积的MoN薄膜的晶相结构、表面形貌、断面结构、硬度和摩擦磨损性能;随脉冲偏压的增大,MoN薄膜的膜厚、硬度都先增大后减小,而薄膜的磨损率却先减小后增大,其中-500 V脉冲偏压下沉积的MoN薄膜具有最高硬度为7731 N/mm~2,以及最低的磨损率为5.8×10~(-7)mm~3/(N·m)。此外,MoN薄膜在不同载荷和转速的摩擦条件下表现出不同的摩擦学行为。(本文来源于《中国表面工程》期刊2019年02期）
贺凡[2]（2019）在《SrTiO_3晶界层陶瓷电容器直流偏压下性能退化及晶界层结构研究》一文中研究指出钛酸锶晶界层陶瓷电容器介电常数高,高频特性好、耐压高,具有优良的电容特性和微波特性,广泛应用于微波通讯线路、振荡电路、定时或延时电路、耦合电路、平衡滤波电路、抑制高频噪声电路、射频旁路以及微波集成电路中,适合微组装的键合工艺,在很多应用中是难以替代的。但该产品目前存在某些服役可靠性问题,长期工作下会产生对可靠性不利的电性能劣化。因此研究其老化试验下的性能变化特征,对提高其可靠性具有重要的意义。本论文采用两步烧结法制备SrTiO_3晶界层陶瓷电容器,比较了SrTiO_3半导陶瓷基片与SrTiO_3晶界层陶瓷基片的性能差异。SrTiO_3半导陶瓷基片涂覆氧化铋于空气中氧化后密度提高,电阻率提升超过8个数量级,频率-电容特性变得稳定。Bi仅存在于晶界区域。论文研究了直流偏压电场对SrTiO_3晶界层陶瓷电容器电性能的退化影响。随着在直流偏压下老化时间的延长,电阻率呈现持续降低的趋势,并且电阻率退化行为存在着方向性。测量电场方向与老化电场方向一致(正测)时测得电阻率降低幅度小于测量电场方向与老化电场方向相反(反测)所测电阻率降低幅度。即顺老化电场方向的电阻率退化程度低于逆电场方向的电阻率退化程度。扫描微波阻抗显微镜测试直接观察到了老化后样品晶界两侧的载流子浓度差异。直流老化时接正极一侧的晶界处载流子浓度相对接负极一侧的浓度高,晶界两侧载流子浓度的差异造成晶界两侧势垒不对称,导致了老化后正测电阻率与反测电阻率的差异。论文采用透射电子显微镜及电子能量损失谱观察分析了SrTiO_3半导陶瓷基片及晶界渗Bi氧化后晶界层陶瓷基片的晶界区域微结构。SrTiO_3陶瓷基片具有多种形态的晶界,晶界宽度从几纳米到数百纳米不等。Bi元素在不同晶界的分布存在差异性。有的晶界区域仅晶界中心区存在Bi;有的晶界区域除了晶界中心区存在高浓度的Bi,晶界两侧的晶粒内还存在一定宽度的Bi扩散区。Bi扩散区内还存在Sr空位区,Sr空位区范围小于Bi扩散区。晶界区的几何形式、杂质元素及空位缺陷的分布情况与晶界势垒的形成及分布有直接关系,晶界层电容器的性能及老化性能都与之有关。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-05-31）
刘婵,王东伟,李晓敏,武英桐,黄美东[3]（2019）在《脉冲负偏压对直流磁控溅射碳膜结构和性能的影响》一文中研究指出通过直流磁控溅射技术在基体(硅片、高速钢、钢片)上沉积碳膜。保持其它工艺参数基本恒定,探究薄膜在100V-400V脉冲负偏压下,结构和性能的变化规律。实验结果表明,这种碳膜为非晶态硬质薄膜,具有较好表面形貌,且随着脉冲偏压数值的逐渐增加,其厚度、沉积速率和硬度均呈现先增大后减小的趋势,而摩擦系数则先减小后增大。当脉冲负偏压为200 V时,薄膜具有最佳的力学性能。(本文来源于《真空》期刊2019年02期）
石志锋,郑志雯,宁成云,王迎军[4]（2018）在《基体偏压对直流非平衡磁控溅射氮化硅薄膜生长特性的影响》一文中研究指出采用高纯硅靶和氮气,以直流非平衡磁控溅射技术在单晶硅表面制备氮化硅薄膜。借助台阶仪、原子力显微镜、红外光谱和X射线光电子能谱考察了基体偏压(-50~-200 V)对氮化硅薄膜沉积速率、表面形貌及元素化学态的影响。结果表明:所得氮化硅薄膜表面光滑,连续致密,均匀。随着样品负偏压的提高,薄膜的生长速率逐渐降低,但当偏压超过-150 V时,薄膜的沉积速率又升高。当基体偏压从-50 V提高到-200 V时,薄膜中Si 2p的峰位向高能端移动了0.41 eV。基片偏压为-150 V时,薄膜生长较为缓慢,但致密,Si─N键含量高。(本文来源于《电镀与涂饰》期刊2018年13期）
张姣姣,王铁钢,阎兵,刘源,姜肃猛[5]（2018）在《直流基体偏压对Al-Cr-Si-N涂层结构和力学性能的影响》一文中研究指出采用电弧离子镀技术在不同直流偏压下沉积Al-Cr-Si-N涂层,研究基体偏压对涂层成分、微观结构和性能的影响。结果表明:Al-Cr-Si-N涂层以密排六方结构和面心立方结构的AlN相为主,随着基体负偏压增加,涂层的衍射峰整体向小角度方向偏移:涂层内残余压应力逐渐增加,最大值为-0.77 GPa;涂层硬度和摩擦系数变化不明显。当基体负偏压为-40V时,Al-Cr-Si-N涂层的特征参数H/E和H~3/E~(*2)均达最大值,分别为0.15和0.37GPa,此时涂层具有最佳的耐磨性能,摩擦系数亦最低。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2018年07期）
李忠建[6]（2017）在《偏压对直流磁控溅射制备铝镁钛硼涂层结构及性能影响的研究》一文中研究指出据不完全统计,目前世界上约30%-40%的能源消耗于各种形式的摩擦磨损,对摩擦体系来说,耐磨性是我们首先要考虑的问题,摩擦体系中材料的性能对摩擦磨损起着决定性作用,目前,各国都在加大投入,研究高硬度,高耐磨性,低摩擦系数,能够适用于旋转和往复式摩擦条件的材料。AlMgB14材料的研究已经有接近五十年的历史,AlMgB14材料是由四个B12组成的二十面体和存在于二十面体之间的Al、Mg原子和八个B原子特殊结构构成。TiB2弥散分布于AlMgB14基体中,可极大提高材料的机械性能,人们发现Al-Mg-Ti-B等富硼材料的涂层同样具有高硬度,低摩擦系数,低密度和高的热稳定性,在摩擦体系中具有较高的研究价值和应用价值。偏压对直流磁控溅射制备的Al-Mg-Ti-B涂层的成分、结构、性能等的影响尚缺乏系统的研究,同时涂层成分、硬度、化学态等对油润滑条件下的摩擦磨损性能的影响也缺少深入的研究。本文首先通过机械混合,热压烧结的方法制备出了直流磁控溅射所需要的Al-Mg-Ti-B靶材。通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDX)、X射线衍射(XRD)手段进行表征,表明制备的Al-Mg-Ti-B靶材结构致密均匀,结晶性好,杂质含量少,在实际的镀膜过程中可满足作为直流磁控溅射靶材的要求。利用直流磁控溅射溅射制备Al-Mg-Ti-B涂层,以单晶Si为衬底,改变不同的偏压,制备不同的Al-Mg-Ti-B涂层,对涂层结构、成分、粗糙度、硬度等性能进行表征。俄歇电子能谱(AES)图谱表明,制备的Al-Mg-Ti-B涂层成分均匀,从涂层表面到涂层内部,成分并没有明显变化;X射线衍射(XRD)结果显示,偏压并不能影响Al-Mg-Ti-B涂层结晶性,不同偏压条件下磁控溅射制备的涂层均为非晶结构;利用X射线光电子能谱(XPS)对涂层的成分和化学态进行分析,增加偏压有利于减少涂层中C,O杂质含量,涂层中B-B键含量增多,从而提高了涂层的硬度,同时偏压促进金属Ti氧化;扫描电子显微镜(SEM)图像显示,偏压提高了 Al-Mg-Ti-B涂层的致密度,柱状结构逐渐消失;对涂层的表面粗糙度进行分析发现,涂层的表面粗糙度随偏压的升高先增大后减小;偏压的增加会增强涂层的断裂韧性和机械性能,但随偏压的升高,涂层的残余应力会增大,与衬底的结合能力减弱,容易剥落。本文还系统研究了油润滑涂层的磨损机理和偏压对直流磁控溅射制备Al-Mg-Ti-B涂层摩擦学行为的影响,以轴承钢为衬底,改变不同的偏压,直流磁控溅射制备不同的Al-Mg-Ti-B涂层。分别采用油润滑(PAO+MoDTC)球盘式旋转磨擦测试,在室温油润滑条件下,Al-Mg-Ti-B涂层的摩擦系数可达0.04的超低摩擦系数,通过计算表明,润滑状态为边界润滑。对磨痕进行XPS成分和化学态分析,表明摩擦测试过程中,在涂层与对磨球接触的对磨面上形成了MoS2的摩擦膜,MoS2薄膜类似于石墨的特殊层状结构,极大地降低了涂层的摩擦系数,随着偏压的增加,摩擦系数有所升高,并对对磨球的磨损加重。对磨痕进行形貌分析和成分分析表明,摩擦过程中对涂层的磨损率极低,没有形成明显的磨痕和出现剥落现象,在涂层与对磨球接触表面,Fe元素的含量升高,是由于在摩擦测试过程中,Fe元素由对磨钢球表面转移到了涂层表面。(本文来源于《山东大学》期刊2017-05-25）
廖庆文,卓金丽,陆亨,安可荣[7]（2016）在《MLCC直流偏压特性测试参数研究》一文中研究指出为了评估采用高介电常数陶瓷作介质的多层陶瓷电容器(MLCC)的直流偏压特性,使用E4980A精密LCR表对X7R特性MLCC进行直流偏压特性测试,研究了直流偏压加载时间和自动电平控制功能对样品直流偏压特性的影响,结果发现这些测试参数都会影响测试结果。(本文来源于《电子工艺技术》期刊2016年05期）
陈甥怡,罗德福[8]（2016）在《脉冲迭加直流偏压电弧离子镀制备Ti/TiN涂层的抗氧化性研究》一文中研究指出通过脉冲迭加直流偏压电弧离子镀设备制备Ti/TiN涂层,并进行了氧化试验。利用XRD、SEM、XPS对氧化后的涂层进行分析。结果表明,450℃以上,Ti/TiN涂层的力学性能急剧下降,在500℃时开始有大量TiO_2生成,完全氧化后的TiO_2区域以白亮层形式存在。(本文来源于《热加工工艺》期刊2016年14期）
袁建鹏[9]（2016）在《脉冲偏压对直流磁控溅射制备CuNiIn薄膜过程中钛合金基体的影响》一文中研究指出用直流磁控溅射技术制备CuNiIn薄膜,研究了电源脉冲偏压对钛合金基体结构和力学性能的影响。采用热电偶丝实时监控沉积过程中的基体温度变化,利用截面金相法对比分析了基体在膜层制备前后结构和形貌的变化情况,利用高温拉伸试验机测量了有CuNiIn膜层的试样和无膜层试样的抗拉强度和弹性模量。结果表明:20%低占空比、500V的脉冲偏压下,基体沉积过程中的温度可保持在300℃以下;膜层制备过程对钛合金基体组织和力学性能的影响很小。(本文来源于《热喷涂技术》期刊2016年02期）
刘艳明,蒋春磊,裴志亮,雷浩,宫骏[10]（2014）在《偏压对直流磁控溅射制备的AlB2-type WB2薄膜结构和性能的影响》一文中研究指出本文采用YG8(WC-Co)硬质合金为基体,用直流磁控溅射的方法制备了不同偏压下的AlB2-type WB2硬质薄膜。采用X射线衍射(XRD),电子探针(EPMA),场发射扫描电镜(FESEM),原子力显微镜(AFM),纳米压痕仪,球盘式磨擦仪及划痕仪等,研究了偏压对薄膜的组织、元素组成及力学和摩擦学性能的影响。结果显示,沉积的薄膜均呈现出富W的低化学计量比,并具有明显的柱状结构。随着偏压的增加,薄膜的B/W原子比降低,柱子尺寸明显增加,晶粒尺寸先增加后降低,且择优取向从(001)转变为(101),这些因素均导致薄膜的性能有所降低。而沉积速率也随着偏压增加先增加后降低,并在-100 V偏压下取得峰值。综合评价,-50V偏压下沉积的薄膜呈现出最优异的性能,具有最高的硬度35.9 GPa,最强的膜基结合力50N,较低的摩擦系数0.36和最低的磨损率2.3×10-7 mm3/mN。(本文来源于《第十届全国表面工程大会暨第六届全国青年表面工程论坛论文摘要集（一）》期刊2014-10-28）
直流偏压论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
钛酸锶晶界层陶瓷电容器介电常数高,高频特性好、耐压高,具有优良的电容特性和微波特性,广泛应用于微波通讯线路、振荡电路、定时或延时电路、耦合电路、平衡滤波电路、抑制高频噪声电路、射频旁路以及微波集成电路中,适合微组装的键合工艺,在很多应用中是难以替代的。但该产品目前存在某些服役可靠性问题,长期工作下会产生对可靠性不利的电性能劣化。因此研究其老化试验下的性能变化特征,对提高其可靠性具有重要的意义。本论文采用两步烧结法制备SrTiO_3晶界层陶瓷电容器,比较了SrTiO_3半导陶瓷基片与SrTiO_3晶界层陶瓷基片的性能差异。SrTiO_3半导陶瓷基片涂覆氧化铋于空气中氧化后密度提高,电阻率提升超过8个数量级,频率-电容特性变得稳定。Bi仅存在于晶界区域。论文研究了直流偏压电场对SrTiO_3晶界层陶瓷电容器电性能的退化影响。随着在直流偏压下老化时间的延长,电阻率呈现持续降低的趋势,并且电阻率退化行为存在着方向性。测量电场方向与老化电场方向一致(正测)时测得电阻率降低幅度小于测量电场方向与老化电场方向相反(反测)所测电阻率降低幅度。即顺老化电场方向的电阻率退化程度低于逆电场方向的电阻率退化程度。扫描微波阻抗显微镜测试直接观察到了老化后样品晶界两侧的载流子浓度差异。直流老化时接正极一侧的晶界处载流子浓度相对接负极一侧的浓度高,晶界两侧载流子浓度的差异造成晶界两侧势垒不对称,导致了老化后正测电阻率与反测电阻率的差异。论文采用透射电子显微镜及电子能量损失谱观察分析了SrTiO_3半导陶瓷基片及晶界渗Bi氧化后晶界层陶瓷基片的晶界区域微结构。SrTiO_3陶瓷基片具有多种形态的晶界,晶界宽度从几纳米到数百纳米不等。Bi元素在不同晶界的分布存在差异性。有的晶界区域仅晶界中心区存在Bi;有的晶界区域除了晶界中心区存在高浓度的Bi,晶界两侧的晶粒内还存在一定宽度的Bi扩散区。Bi扩散区内还存在Sr空位区,Sr空位区范围小于Bi扩散区。晶界区的几何形式、杂质元素及空位缺陷的分布情况与晶界势垒的形成及分布有直接关系,晶界层电容器的性能及老化性能都与之有关。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
直流偏压论文参考文献
[1].徐星,苏峰华,李助军.脉冲偏压对直流磁控溅射沉积MoN薄膜结构及性能的影响[J].中国表面工程.2019
[2].贺凡.SrTiO_3晶界层陶瓷电容器直流偏压下性能退化及晶界层结构研究[D].华南理工大学.2019
[3].刘婵,王东伟,李晓敏,武英桐,黄美东.脉冲负偏压对直流磁控溅射碳膜结构和性能的影响[J].真空.2019
[4].石志锋,郑志雯,宁成云,王迎军.基体偏压对直流非平衡磁控溅射氮化硅薄膜生长特性的影响[J].电镀与涂饰.2018
[5].张姣姣,王铁钢,阎兵,刘源,姜肃猛.直流基体偏压对Al-Cr-Si-N涂层结构和力学性能的影响[J].稀有金属材料与工程.2018
[6].李忠建.偏压对直流磁控溅射制备铝镁钛硼涂层结构及性能影响的研究[D].山东大学.2017
[7].廖庆文,卓金丽,陆亨,安可荣.MLCC直流偏压特性测试参数研究[J].电子工艺技术.2016
[8].陈甥怡,罗德福.脉冲迭加直流偏压电弧离子镀制备Ti/TiN涂层的抗氧化性研究[J].热加工工艺.2016
[9].袁建鹏.脉冲偏压对直流磁控溅射制备CuNiIn薄膜过程中钛合金基体的影响[J].热喷涂技术.2016
[10].刘艳明,蒋春磊,裴志亮,雷浩,宫骏.偏压对直流磁控溅射制备的AlB2-typeWB2薄膜结构和性能的影响[C].第十届全国表面工程大会暨第六届全国青年表面工程论坛论文摘要集（一）.2014
论文知识图
