论文摘要
为了获得高均匀性、低热释电的钽酸锂（LT）晶片,采用粉末掩埋法对42°Y-LT晶片进行了还原处理。结果表明,还原处理后的晶片电阻率为3.98×1010Ω·cm;在365 nm处透过率约为36.5%,透过率均匀性为1.15;热导率为2.66 W/（m·K）,热膨胀系数为2.79×10-6K-1,满足器件使用要求。通过声表面波器件验证实验表明,晶片抗静电能力效果明显,器件成品率较高,一致性好。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 龙勇,于明晓,李和新,石自彬,王璐,丁雨憧,徐扬,吴兆刚
关键词: 钽酸锂,还原处理,电阻率,均匀性,晶片
来源: 压电与声光 2019年03期
年度: 2019
分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑
专业: 无机化工
单位: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
基金: 总装备部材料支撑基金资助项目
分类号: TQ131.11
页码: 340-343
总页数: 4
文件大小: 315K
下载量: 79
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