导读:本文包含了淀积系统论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:薄膜,美利坚合众国,北美洲,光学,实时,离子束,气相。
淀积系统论文文献综述
吴尚池[1](2018)在《PECVD系统淀积氮化硅工艺优化的实现》一文中研究指出基于等离子化学气相淀积(PECVD,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)的薄膜淀积工艺目前已成为光电子器件芯片制造工艺中非常重要的工艺环节,PECVD工艺相比传统管式炉高温氧化工艺具有生长温度低、淀积速率快、占地面积小等显着优点,非常适合于承受温度低的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体类芯片的工艺生产,因此研究适合于批量化生产的PECVD工艺条件及工艺生产状态控制方法是公司推进光电子芯片类元器件产业化的迫切需要。本论文正是针对公司以2.5G雪崩光电二极管(APD,Avalanche Photo Diode)为代表的InGa As光电探测器芯片产业化需求,研究了光电探测器芯片生产过程中的PECVD淀积氮化硅薄膜工艺的影响因素,并针对量产要求进行了相关工艺实验,优化并固化了工艺条件,进而利用统计过程控制(SPC,Statistical Process Control)这一先进质量分析方法对PECVD工艺的长期运行状态进行了分析,充分验证了优化后工艺条件的稳定性和重复性,并用于指导PECVD生产实际,最终满足了公司InGa As光电探测器芯片300万只的月产能的工艺需要,具体研究内容如下:1.研究了PECVD工艺参数与淀积氮化硅薄膜性能关系,得到了腔室压力、射频功率、淀积温度、气体比例等参数影响膜层折射率、腐蚀速率等关键特性的量化数据,并分析其变化规律;2.运用正交实验的分析方法设计了各种工艺实验,确定了不同影响因素的影响因子,通过正交方法进行PECVD工艺实验并综合分析得到PECVD淀积氮化硅薄膜最佳工艺条件,使得PECVD淀积氮化硅薄膜的工艺成品率从85%提升至98%以上,有效地解决合格率偏低的问题;3.初步形成了PECVD淀积工艺实验数据库,建立PEC VD工艺优化实验方法和数据分析方法,固化了生产工艺规程和工艺检验规范,形成相应生产文件并已通过评审和签署,已在生产线执行;4.运用SPC方法研究了优化后的工艺参数的长期稳定性,经分析得出优化后的PECVD淀积氮化硅薄膜工艺条件稳定性良好,能够用于InGa As探测器芯片的批量化生产。(本文来源于《电子科技大学》期刊2018-03-01)
胡晓宇[2](2009)在《学位论文题目氮化镓有机化合物气相淀积(GaN MOCVD)设备控制系统研究》一文中研究指出GaN MOCVD设备是高亮度蓝光LED生产线中技术难度最大、价格最为昂贵的设备,其控制对象包括温控仪、流量计、压控仪、伺服电机、真空泵、露点仪、报警器、纯化器以及数量众多的I/O控制与联锁,控制系统十分复杂。目前,国内GaN MOCVD设备及控制技术较为落后,是半导体照明产业链中急待突破的瓶颈技术,也是我国半导体照明工程实施中最大的障碍。文章在对国外MOCVD设备控制方法进行充分调研后,自主设计了GaNMOCVD设备工艺自动控制系统。总体控制方案采用“上位机+PLC”的两级控制模式:上位机完成工艺编辑、数据管理和全中文、图形化显示功能;PLC完成所有模拟量、开关量的监测与控制,通过以太网与上位机进行数据交换,并通过串行通讯实现对各种仪器仪表的监控。文章针对MOCVD系统的几个关键控制问题,如MO源精确输运控制、气体无扰动切换控制、压力闭环自动控制、温度控制等,提出了实施方案,分析并实现了相应的系统。鉴于反应室温度控制对MOCVD系统的重要性,文章重点研究了该问题,根据相关机理分析和相关试验,指出该系统温度控制的主要困难:(1)控制对象具有大滞后、非线性和参数温变等特点;(2)温控系统的检测温度(加热盘底部中心温度)和控制温度(加热盘表面温度)不一致。针对这些问题,文章利用试验建立了不同温度范围的温控对象模型,提出了利用试验方法研究系统温度校正与加热功率分配的方法,并提出了基于模糊PID的温度控制方法。仿真分析和实测结果都表明文章提出的基于模糊PID的MOCVD温控方案明显优于传统PID控制,能够满足系统要求。文章还介绍了系统的软硬件开发方法,包括上位机和PLC的硬件配置选型、程序设计和界面开发等。经过两年多的设计与制造,6个多月的现场调试与工艺试验,文章研究的GaN MOCVD设备在用户单位成功外延出GaN蓝光LED芯片,设备技术指标和工艺指标达到合同要求,受到项目验收专家组的好评。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2009-03-01)
曾玉刚,韩根全,余金中,成步文,王启明[3](2007)在《双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制》一文中研究指出本文介绍了中国科学院半导体研究所的双生长室超高真空化学气相淀积系统的工作原理、技术参数、结构、性能及特点。该系统具有双生长室、引入准分子激光和多态源等主要优点,是IV族半导体材料生长和研究的强有力工具。(本文来源于《真空》期刊2007年03期)
谢自力,张荣,修向前,毕朝霞,刘斌[4](2005)在《在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN》一文中研究指出利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜。X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集。原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并。自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN。我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2005年06期)
林宇翔,章岳光,顾培夫,唐晋发[5](2004)在《薄膜滤光片淀积过程实时光学监控系统》一文中研究指出介绍了一种薄膜制造实时光学监控系统,对监控系统的组成及各个模块的功能和工作原理进行分析。系统由计算机对信号进行采集、分析和判断,根据膜层的不同特点采取相应的监控方式,可以对各种规整和非规整膜系进行监控,自动开闭蒸发源挡板。(本文来源于《2004年光学仪器研讨会论文集》期刊2004-06-30)
林宇翔,章岳光,顾培夫,唐晋发[6](2004)在《薄膜滤光片淀积过程实时光学监控系统》一文中研究指出介绍了一种薄膜制造实时光学监控系统,对监控系统的组成及各个模块的功能和工作原理进行分析。系统由计算机对信号进行采集、分析和判断,根据膜层的不同特点采取相应的监控方式,可以对各种规整和非规整膜系进行监控,自动开闭蒸发源挡板。(本文来源于《光学仪器》期刊2004年02期)
张顾万,龙飞,阙蔺兰[7](2002)在《LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析》一文中研究指出叙述了采用LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的机理 ,分析了在淀积多晶硅薄膜过程中引起发雾的因素 ,指出了保持LPCVD系统的洁净能有效消除在淀积多晶硅薄膜过程中出现的发雾现象。(本文来源于《半导体光电》期刊2002年06期)
晓晨[8](2002)在《AIXTRON化学气相淀积系统工程公司简介》一文中研究指出1 公司概况●1983年从德国亚琛工业大学独立出来;●1987年成立美国AIXTRON公司;●1997年上市;●1999年收购英国ThomasSwan公司;●1999年拥有瑞典EPIGRESS公司70%的股份;●2000年拥有法国J.I.P.电子公司7.(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2002年07期)
李相彬[9](2001)在《快速辐射加热/超低压化学气相淀积系统问世》一文中研究指出南京大学研制成功的快速辐射加热/超低压化学气相淀积系统可用于新型高频、高速微电子器件、光电子器件及集成电路、超晶格、量子阱等半导体材料和器件研究开发领域。较之目前通常采用的分子束外延、化学束外延、超高真空化学气相淀积、金属有机化学气相淀积等方法,设备简单(本文来源于《机电一体化》期刊2001年05期)
张楠,邱安平[10](2001)在《离子束辅助淀积下Cu/Si系统相变研究》一文中研究指出研究在离子束条件下硅基底上淀积金属薄膜及其界面结构在退火条件下金属硅化物的形成和变化特点,即15keV的Ar+在IBAD条件下直接生成Cu15Si4相.IBAD复合薄膜样品在退火前无新相生成,而退火后形成ε相,不同于通常Cu-Si退火反应生成ε相的相序.研究证明在Cu-Si界面退火反应系统中,ε相的成核是得到稳定相结构的关键.(本文来源于《哈尔滨理工大学学报》期刊2001年04期)
淀积系统论文开题报告
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
GaN MOCVD设备是高亮度蓝光LED生产线中技术难度最大、价格最为昂贵的设备,其控制对象包括温控仪、流量计、压控仪、伺服电机、真空泵、露点仪、报警器、纯化器以及数量众多的I/O控制与联锁,控制系统十分复杂。目前,国内GaN MOCVD设备及控制技术较为落后,是半导体照明产业链中急待突破的瓶颈技术,也是我国半导体照明工程实施中最大的障碍。文章在对国外MOCVD设备控制方法进行充分调研后,自主设计了GaNMOCVD设备工艺自动控制系统。总体控制方案采用“上位机+PLC”的两级控制模式:上位机完成工艺编辑、数据管理和全中文、图形化显示功能;PLC完成所有模拟量、开关量的监测与控制,通过以太网与上位机进行数据交换,并通过串行通讯实现对各种仪器仪表的监控。文章针对MOCVD系统的几个关键控制问题,如MO源精确输运控制、气体无扰动切换控制、压力闭环自动控制、温度控制等,提出了实施方案,分析并实现了相应的系统。鉴于反应室温度控制对MOCVD系统的重要性,文章重点研究了该问题,根据相关机理分析和相关试验,指出该系统温度控制的主要困难:(1)控制对象具有大滞后、非线性和参数温变等特点;(2)温控系统的检测温度(加热盘底部中心温度)和控制温度(加热盘表面温度)不一致。针对这些问题,文章利用试验建立了不同温度范围的温控对象模型,提出了利用试验方法研究系统温度校正与加热功率分配的方法,并提出了基于模糊PID的温度控制方法。仿真分析和实测结果都表明文章提出的基于模糊PID的MOCVD温控方案明显优于传统PID控制,能够满足系统要求。文章还介绍了系统的软硬件开发方法,包括上位机和PLC的硬件配置选型、程序设计和界面开发等。经过两年多的设计与制造,6个多月的现场调试与工艺试验,文章研究的GaN MOCVD设备在用户单位成功外延出GaN蓝光LED芯片,设备技术指标和工艺指标达到合同要求,受到项目验收专家组的好评。
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
淀积系统论文参考文献
[1].吴尚池.PECVD系统淀积氮化硅工艺优化的实现[D].电子科技大学.2018
[2].胡晓宇.学位论文题目氮化镓有机化合物气相淀积(GaNMOCVD)设备控制系统研究[D].国防科学技术大学.2009
[3].曾玉刚,韩根全,余金中,成步文,王启明.双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制[J].真空.2007
[4].谢自力,张荣,修向前,毕朝霞,刘斌.在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN[J].人工晶体学报.2005
[5].林宇翔,章岳光,顾培夫,唐晋发.薄膜滤光片淀积过程实时光学监控系统[C].2004年光学仪器研讨会论文集.2004
[6].林宇翔,章岳光,顾培夫,唐晋发.薄膜滤光片淀积过程实时光学监控系统[J].光学仪器.2004
[7].张顾万,龙飞,阙蔺兰.LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析[J].半导体光电.2002
[8].晓晨.AIXTRON化学气相淀积系统工程公司简介[J].激光与光电子学进展.2002
[9].李相彬.快速辐射加热/超低压化学气相淀积系统问世[J].机电一体化.2001
[10].张楠,邱安平.离子束辅助淀积下Cu/Si系统相变研究[J].哈尔滨理工大学学报.2001