导读:本文包含了器件可靠性论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:可靠性,器件,偏压,模型,温度,物理,光热。
器件可靠性论文文献综述
姜楠,张亮,刘志权,熊明月,龙伟民[1]（2019）在《FCBGA器件SnAgCu焊点的热冲击可靠性分析》一文中研究指出采用有限元法和Garofalo-Arrheninus稳态本构方程,在热冲击条件下对倒装芯片球栅阵列封装(FCBGA)器件SnAgCu焊点的可靠性进行分析.结果表明,Sn3.9Ag0.6Cu焊点的可靠性相对较高.通过分析SnAgCu焊点的力学本构行为,发现焊点应力的最大值出现在焊点与芯片接触的阵列拐角处.随着时间的推移,SnAgCu焊点的应力呈周期性变化. Sn3.9Ag0.6Cu的焊点应力和蠕变最小,Sn3.8Ag0.7Cu焊点应力和蠕变次之,Sn3.0Ag0.5Cu焊点应力和蠕变最大,与实际的FCBGA器件试验结果一致.基于蠕变应变疲劳寿命预测方程预测叁种SnAgCu焊点的疲劳寿命,发现Sn3.9Ag0.6Cu焊点的疲劳寿命比Sn3.0Ag0.5Cu和Sn3.8Ag0.7Cu焊点的疲劳寿命高.(本文来源于《焊接学报》期刊2019年09期）
文惠东,张代刚,刘建松,徐士猛[2]（2019）在《热学环境下2.5D封装器件60Pb40Sn互连焊点可靠性研究》一文中研究指出2.5D封装具有信号传输快、封装密度高等特点,被广泛应用于高性能集成电路封装工艺中。目前2.5D器件在互连焊点方面通常采用无铅焊料,不满足宇航用器件含铅量不低于3%的要求。采用60Pb40Sn焊料作为2.5D封装器件中硅转接基板与上层芯片之间互连焊点,评估了60Pb40Sn焊点的互连可靠性,结果显示器件在1000次-65～150℃温度循环、1000 h 150℃稳定性烘焙、500次-65～150℃热冲击后互连合格,初步证实了60Pb40Sn焊料在2.5D封装器件应用的可行性。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年09期）
文惠东,黄颖卓,林鹏荣,练滨浩[3]（2019）在《陶瓷封装倒装焊器件热学环境可靠性评估》一文中研究指出陶瓷封装倒装焊器件在应用过程中往往面临大温差、湿热、高温等外部环境,为了满足其应用要求,必须进行充分的热学环境可靠性评估。以陶瓷封装菊花链倒装焊器件为研究对象,进行温度循环、强加速稳态湿热(HAST)、高温存储等考核试验,并通过超声扫描(C-SAM)、电子扫描显微镜(SEM)检测等手段对器件底部填充胶以及焊点界面生长情况进行分析。结果表明:未经底部填充的器件在经历200次温度循环后发生失效;底部填充器件在经历3 000次温度循环、792 h HAST以及1 000 h高温存储后,电通断测试以及超声扫描合格。实验结果对于促进国产陶瓷封装倒装焊器件的实际应用具有重要意义。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年09期）
李辉,王晓,姚然,龙海洋,李金元[4]（2019）在《计及内部材料疲劳的压接型IGBT器件可靠性建模与分析》一文中研究指出大功率压接型IGBT器件更适合柔性直流输电装备应用工况,必然对压接型绝缘栅极晶体管(IGBT)器件可靠性评估提出要求。提出计及内部材料疲劳的压接型IGBT器件可靠性建模方法,首先,建立单芯片压接型IGBT器件电–热–机械多物理场仿真模型,通过实验验证IGBT仿真模型的有效性;其次,考虑器件内部各层材料的疲劳寿命,建立单芯片压接型IGBT器件可靠性模型,分析了单芯片器件各层材料薄弱点;最后针对多芯片压接型IGBT器件实际结构,建立多芯片压接型IGBT器件多物理场仿真模型,分析器件应力分布,并对各芯片及多芯片器件故障率进行计算。结果表明,压接型IGBT器件内部的温度、von Mises应力分布不均,最大值分别位于IGBT芯片和发射极钼层接触的轮廓线边缘;多芯片器件内应力分布不均会导致各芯片可靠性有所差异,边角位置处芯片表面应力最大,可靠性最低。(本文来源于《中国电力》期刊2019年09期）
樊嘉杰,曹建武,刘杰,经周,孙博[5]（2019）在《近紫外LED封装器件的热稳定性及可靠性》一文中研究指出紫外发光二极管(紫外LED)已经在许多超越照明领域展示出了特殊的应用优势,例如健康医疗、消毒杀菌、环保及传感等领域。本文采用仿真和实验相结合的方法研究了具有不同封装结构的近紫外LED封装器件的热稳定性,并对其进行了高温老化可靠性测试评估。研究结果表明:LED器件的辐射功率和正向电压随温度的升高而下降,其中,具有倒装结构的器件下降趋势明显小于正装结构,这表明其热稳定性较好;经过55℃恒温额定电流条件下的可靠性测试发现具有倒装结构的器件光-色特性衰减速率小于正装器件。通过本文研究可以得出结论:具有低热阻、小尺寸等优点的的倒装封装结构有助于提高近紫外LED器件的光-热稳定性和可靠性。(本文来源于《发光学报》期刊2019年07期）
李培蕾,朱恒静,王智彬,孟猛[6]（2019）在《宇航用球栅阵列器件装联可靠性评价方法初探》一文中研究指出针对球栅阵列(BGA)器件装联可靠性问题多发的现状,对常见宇航用BGA器件的结构及可靠性问题进行分析总结,并提出了一种基于失效物理的宇航用BGA器件装联工艺可靠性评价思路。通过案例分析,结合构成器件的元件和材料的典型特性,获得BGA器件常见失效模式及失效机理;并针对典型失效模式及机理选取疲劳寿命模型进行建模及仿真,依据Coffin-Manson的疲劳失效物理模型及其修正模型,得到工作寿命和试验寿命的预估结果;结合现有检测手段,综合考虑寿命预估结果,提出装联工艺可靠性评价试验项目,建立可靠性考核试验流程;基于国内外现有标准判据确定参考依据,综合考虑不同型号及应用环境的工作应力差别,提出BGA器件的可靠性分级评价量化准则。(本文来源于《航天器环境工程》期刊2019年03期）
万雨石,龙世兵,蔡巧明,杨列勇[7]（2019）在《28 nm PMOS器件中Ge注入对NBTI可靠性的影响》一文中研究指出研究了28 nm多晶硅栅工艺中Ge注入对PMOS器件的负偏压温度不稳定性(NBTI)的影响。在N阱中注入Ge,制作了具有SiGe沟道的PMOS量子阱器件。针对不同栅氧厚度和不同应力条件的器件,采用动态测量方法测量了NBTI的退化情况,采用电荷泵方法测量了界面态的变化情况。实验结果表明,由于Ge的注入,PMOS器件中饱和漏电流的退化量降低了43%,同时应力过程中产生的界面态得到减少,有效提高了PMOS器件的NBTI可靠性。(本文来源于《微电子学》期刊2019年03期）
林洁馨,杨发顺,马奎,丁召,傅兴华[8]（2019）在《叁维功率MOSFET器件的热可靠性设计》一文中研究指出基于叁维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在叁维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极限安全结温,可有效提高芯片的热可靠性。以100 V,60 A的功率VDMOS器件为研究对象,以提高芯片的热可靠性为目的,合理设计和充分优化了叁维功率MOSFET器件的版图和散热硅通孔的布局。基于多物理场分析软件开展了大量的热可靠性仿真分析工作,并流片验证了设计的正确性。(本文来源于《现代电子技术》期刊2019年12期）
戈强,董芸松[9]（2019）在《国产黄铜引脚器件焊接可靠性问题分析研究》一文中研究指出针对基材为黄铜合金的2种不同镀层结构的引脚可焊性进行了对比研究。结果表明:黄铜镀金结构的引脚基材中,Zn元素极易扩散到引脚表面并发生氧化,进而导致润湿性不良现象,搪锡后表面不光亮,微观上呈现出表面焊锡凹凸不平,焊接后有焊点反润湿现象。而黄铜镀铜、镀镍和镀金结构的引脚能有效阻止基材中的Zn元素向最外镀层的扩散,润湿良好,表面光亮,去金完全。通过对搪锡前后镀层结构、界面化合物组成和引脚表面元素的种类及价态等方面进行分析对比,探究出了镀层结构对引脚表面润湿性的影响机理,提出了镀层结构优化途径,以解决润湿不良的问题,促进进口器件的国产化替代工作。(本文来源于《电子工艺技术》期刊2019年03期）
林波[10]（2019）在《微电子器件的可靠性优化研究》一文中研究指出随着当前电子信息技术的发展,越来越多的微电子器件应用于日常生活中,电子设备的大量使用,也对微电子期间的可靠性提出了越来越高的要求。微电子期间的可靠性直接关系到电子设备应用功能的发挥,本文针对微电子期间的可靠性优化工作进行研究,通过分析当前影响微电子器件的可能因素,并在当前科技水平下,有针对性提出了一些提升微电子器件可靠性的办法,以期实现可靠性的优化。(本文来源于《电子测试》期刊2019年09期）
器件可靠性论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
2.5D封装具有信号传输快、封装密度高等特点,被广泛应用于高性能集成电路封装工艺中。目前2.5D器件在互连焊点方面通常采用无铅焊料,不满足宇航用器件含铅量不低于3%的要求。采用60Pb40Sn焊料作为2.5D封装器件中硅转接基板与上层芯片之间互连焊点,评估了60Pb40Sn焊点的互连可靠性,结果显示器件在1000次-65～150℃温度循环、1000 h 150℃稳定性烘焙、500次-65～150℃热冲击后互连合格,初步证实了60Pb40Sn焊料在2.5D封装器件应用的可行性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
器件可靠性论文参考文献
[1].姜楠,张亮,刘志权,熊明月,龙伟民.FCBGA器件SnAgCu焊点的热冲击可靠性分析[J].焊接学报.2019
[2].文惠东,张代刚,刘建松,徐士猛.热学环境下2.5D封装器件60Pb40Sn互连焊点可靠性研究[J].电子与封装.2019
[3].文惠东,黄颖卓,林鹏荣,练滨浩.陶瓷封装倒装焊器件热学环境可靠性评估[J].半导体技术.2019
[4].李辉,王晓,姚然,龙海洋,李金元.计及内部材料疲劳的压接型IGBT器件可靠性建模与分析[J].中国电力.2019
[5].樊嘉杰,曹建武,刘杰,经周,孙博.近紫外LED封装器件的热稳定性及可靠性[J].发光学报.2019
[6].李培蕾,朱恒静,王智彬,孟猛.宇航用球栅阵列器件装联可靠性评价方法初探[J].航天器环境工程.2019
[7].万雨石,龙世兵,蔡巧明,杨列勇.28nmPMOS器件中Ge注入对NBTI可靠性的影响[J].微电子学.2019
[8].林洁馨,杨发顺,马奎,丁召,傅兴华.叁维功率MOSFET器件的热可靠性设计[J].现代电子技术.2019
[9].戈强,董芸松.国产黄铜引脚器件焊接可靠性问题分析研究[J].电子工艺技术.2019
[10].林波.微电子器件的可靠性优化研究[J].电子测试.2019
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