导读:本文包含了脉冲激光淀积论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,脉冲,激光,金刚石,衬底,等离子体,准分子激光。
脉冲激光淀积论文文献综述
陈同来,李效民,张霞,高相东,于伟东[1]（2005）在《脉冲激光法淀积MgO薄膜及其结晶性能的研究》一文中研究指出研究了脉冲激光淀积MgO薄膜的过程中,制备工艺参数对薄膜结晶性的影响.研究发现,MgO薄膜的结晶性主要受控于衬底温度和激光能量密度,而薄膜的生长速率则依赖于脉冲频率、衬底与靶材间的距离以及激光能量密度.通过对比不同靶材,即金属Mg靶和烧结陶瓷MgO靶,对薄膜结晶性的影响,发现通过添加一层TiN籽晶层可以显着改善薄膜的结晶质量.最后在优化的制备工艺参数:衬底温度TS=873K,激光能量密度DE=7J/cm2,靶材与衬底间距离DST=70mm,激光脉冲频率FL=5Hz以及采用烧结陶瓷MgO靶材和添加TiN籽晶层的情况下,获得层状生长模式和表面具有原子级平整度的MgO薄膜.(本文来源于《无机材料学报》期刊2005年06期）
胡大治,沈明荣[2]（2004）在《淀积气压对脉冲激光淀积La掺杂钛酸铅薄膜介电性能的影响》一文中研究指出利用脉冲激光淀积法在Pt Ti SiO2 Si衬底上制备了 2 8mol%La掺杂钛酸铅薄膜 .采用不同的淀积氧气压 ,并分析了其对薄膜微观结构和介电性能的影响 .结果表明 ,在 2Pa左右的气压下淀积的薄膜具有好的结晶度和介电系数 .在频率为 10kHz时 2 8mol%La掺杂钛酸铅薄膜的介电系数达 85 2 ,并且保持了较低的损耗 .同时制备了其他La掺杂浓度的PbTiO3薄膜 ,发现它们也有类似的特点 .对此作了定性解释(本文来源于《物理学报》期刊2004年12期）
于琳,韩新海,王冠中,揭建胜,廖源[3]（2004）在《脉冲激光淀积MgF_2薄膜的制备及性质研究》一文中研究指出本文采用脉冲激光淀积方法(PLD)制备了MgF2光学薄膜,并对其表面形貌以及光学性质进行了测试分析, X射线光电子能谱分析显示MgF2样品具有很好的化学组分配比, F/Mg原子比在1.9-2.1之间,接近于体材料;在可见光波段其光学透过率为60％-80％,在红外波段更是达到了90％以上,由KK变换计算MgF2的折射率大约为1.39,也接近于体材料的折射率1.38。(本文来源于《量子电子学报》期刊2004年01期）
刘晶儒,白婷,姚东升,李铁军,王丽戈[4]（2002）在《脉冲准分子激光淀积薄膜的实验研究》一文中研究指出利用两种脉宽 (30ns,5 0 0fs)的KrF准分子激光展开了淀积类金刚石薄膜的实验研究 ,并且成功地制备了大面积不含氢成分的HF DLC薄膜 ,运用时空分辨的等离子体发射光谱诊断系统和离子探针系统研究了等离子体特性对薄膜性能的影响。尝试了利用准分子激光制备非晶硅薄膜 ,研究了实验参数对非晶硅薄膜制备的影响 ,并分析了制备具有良好电学和光学性能的非晶硅薄膜的条件(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2002年05期）
王玉霞,曹颖,何海平,汤洪高,王连卫[5]（2001）在《脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光》一文中研究指出用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度退火样品中 6 H- Si C和 3C- Si C两种晶相共存 ) .以 370 nm波长光激发样品薄膜表面 ,显示较强的 44 7nm蓝光发射 ,其发光机制可能是空位缺陷及其它晶格缺陷形成的浅施主能级向价带的电子辐射复合跃迁(本文来源于《半导体学报》期刊2001年10期）
张立[6]（2001）在《脉冲激光淀积法制备介电存储薄膜的研究》一文中研究指出随着超大规模集成电路的发展，寻找能够替代目前使用的电容器件Si基材料是一项急待开展的研究课题。在64Mb动态随机存储器（DRAM）电容材料中，Ta_2O_5基材料是很有希望的替代品。因此近年来制备高质量Ta_2O_5基薄膜的研究开始引起人们的注意。 脉冲激光沉积（PLD）法自1987年出现以来，随着激光技术的进步而迅速发展，现已成为最好的薄膜制备技术之一。用脉冲激光沉积法制备的高介电常数Ta_2O_5基薄膜，在制造计算机高密度动态随机存储器方面有广阔的应用前景，可能大大的增加计算机内存容量。在论文中，主要研究了用248nm波长激光对（Ta_2O_5）_(0.92)（TiO_2）_(0.08)靶进行了脉冲激光沉积薄膜的实验研究。 在本论文中首先介绍了PLD实验设备的建立及其技术发展；其次是进行了（Ta_2O_5）_(0.92)(TiO_2）_(0.08)陶瓷靶材以及PLD的薄膜制备实验研究，在此过程中，测量了（Ta_2O_5）_(0.92)（TiO_2）_(0.08)介电薄膜的一些介电特性，并总结出最佳的淀积条件。最后一部分是PLD软件的设计，该软件可以用于PLD实验的简化，并且可以对实验参数进行确定，对实验数据进行记录、查询、修改等，它将有助于提高PLD实验的效率。(本文来源于《北京工业大学》期刊2001-05-01）
朱敏,殷江,刘治国[7]（2000）在《紫外脉冲激光淀积法制备Pb(Ta_(0.05)Zr_(0.48)Ti_(0.47))O_3薄膜的铁电性质》一文中研究指出用紫外脉冲激光淀积方法在 Pt/ Ti O2 / Si O2 / Si( 0 0 1)衬底上制备了 L a1-x Srx Co O3/Pb( Ta0 .0 5Zr0 .4 8Ti0 .4 7) O3( PTZT) / L a1-x Srx Co O3异质结构薄膜。发现底电极 L a0 .2 5Sr0 .75Co O3可以诱导 PTZT薄膜沿 ( 0 0 1)方向取向生长。在 50 0 k Hz和 5V的工作电压下铁电电容器 L a0 .2 5Sr0 .75Co O3/PTZT/ L a0 .2 5Sr0 .75Co O3经过 5× 10 10次反转之后 ,仍保持其初始电极化的 96%。此异质结构横截面的扫描电镜照片表明界面上没有明显的因化学反应导致的第二相存在。(本文来源于《材料科学与工程》期刊2000年04期）
白婷,刘晶儒,姚东升,韦成华,王丽戈[8]（2000）在《脉冲激光烧蚀法淀积非晶硅薄膜的实验研究》一文中研究指出本文详细介绍了脉冲激光烧蚀法淀积非晶硅薄膜的实验技术,系统研究了主要工艺参数对薄膜制备及性能的影响,并由此得到了该种工艺制备α-Si薄膜的最佳成膜条件。通过激光拉曼散射、X射线衍射以及光谱计算等对薄膜性能的分析和测试显示,我们利用脉冲激光烧蚀淀积法制备的α-Si薄膜的主要技术指标已经达到了国内同类研究水平。(本文来源于《2000年材料科学与工程新进展（上）——2000年中国材料研讨会论文集》期刊2000-06-30）
官文杰,李玉华[9]（2000）在《氧等离子体辅助脉冲准分子激光淀积非晶金刚石薄膜》一文中研究指出采用XeCl准分子激光器沉积和用氧等离子体对薄膜表面刻蚀交替进行的方法制备非晶金刚石薄膜。薄膜表面光滑、平整、厚度比较均匀。Raman光谱显示,随着氧等离子体刻蚀时间的增加,薄膜中的微观结构趋于均匀,sp~3的含量增加。(本文来源于《2000年材料科学与工程新进展（上）——2000年中国材料研讨会论文集》期刊2000-06-30）
王玉霞,温军,郭震,汤洪高,黄继颇[10]（2000）在《在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜》一文中研究指出报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等 .结果表明 ,在 92 0℃较低温度下 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,生成了晶态α- Si C( 0 0 0 1 )∥ Si( 1 1 1 )高度定向外延膜 ,薄膜内 C/ Si比约为 1 .0 1 .表面有污染 C及少量氧化态 Si和 C.室温下用 2 80 nm光激发薄膜 ,在 341 nm处有较强发光峰 ,半峰宽 45nm,显示出较好的短波发光性质 .(本文来源于《半导体学报》期刊2000年06期）
脉冲激光淀积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用脉冲激光淀积法在Pt Ti SiO2 Si衬底上制备了 2 8mol%La掺杂钛酸铅薄膜 .采用不同的淀积氧气压 ,并分析了其对薄膜微观结构和介电性能的影响 .结果表明 ,在 2Pa左右的气压下淀积的薄膜具有好的结晶度和介电系数 .在频率为 10kHz时 2 8mol%La掺杂钛酸铅薄膜的介电系数达 85 2 ,并且保持了较低的损耗 .同时制备了其他La掺杂浓度的PbTiO3薄膜 ,发现它们也有类似的特点 .对此作了定性解释
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
脉冲激光淀积论文参考文献
[1].陈同来,李效民,张霞,高相东,于伟东.脉冲激光法淀积MgO薄膜及其结晶性能的研究[J].无机材料学报.2005
[2].胡大治,沈明荣.淀积气压对脉冲激光淀积La掺杂钛酸铅薄膜介电性能的影响[J].物理学报.2004
[3].于琳,韩新海,王冠中,揭建胜,廖源.脉冲激光淀积MgF_2薄膜的制备及性质研究[J].量子电子学报.2004
[4].刘晶儒,白婷,姚东升,李铁军,王丽戈.脉冲准分子激光淀积薄膜的实验研究[J].强激光与粒子束.2002
[5].王玉霞,曹颖,何海平,汤洪高,王连卫.脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光[J].半导体学报.2001
[6].张立.脉冲激光淀积法制备介电存储薄膜的研究[D].北京工业大学.2001
[7].朱敏,殷江,刘治国.紫外脉冲激光淀积法制备Pb(Ta_(0.05)Zr_(0.48)Ti_(0.47))O_3薄膜的铁电性质[J].材料科学与工程.2000
[8].白婷,刘晶儒,姚东升,韦成华,王丽戈.脉冲激光烧蚀法淀积非晶硅薄膜的实验研究[C].2000年材料科学与工程新进展（上）——2000年中国材料研讨会论文集.2000
[9].官文杰,李玉华.氧等离子体辅助脉冲准分子激光淀积非晶金刚石薄膜[C].2000年材料科学与工程新进展（上）——2000年中国材料研讨会论文集.2000
[10].王玉霞,温军,郭震,汤洪高,黄继颇.在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜[J].半导体学报.2000
论文知识图
