可调控太赫兹吸收器调制方法

可调控太赫兹吸收器调制方法

论文摘要

设计了一种窗棂夕阳图案太赫兹超材料吸收器。利用这种图形,从超材料太赫兹吸收器结构出发,分别通过改变顶层图案几何尺寸、中间层电介质厚度、顶层图案开口处的硅电导变化率等,设计可调控太赫兹波双频、三频、四频吸收器。重点分析了顶层图案开口处的硅电导率变化的可调控太赫兹波双频吸收器机理,其低频吸收峰吸收率由68. 7%增至99. 9%,同时低频吸收峰频率1. 043 THz红移至1. 005 THz,产生38 GHz偏移,可以实现连续频率调谐。并提出进一步深入研究本课题的建议。

论文目录

  • 1 窗棂夕阳形图案结构材料吸收器的结构设计实验
  • 2 太赫兹超材料吸收器调制方法
  •   2.1 电路尺寸的调控
  •   2.2 电介质厚度的调控
  •   2.3 顶层开口谐振环SRR单元结构中心开口处添加光敏半导体材料
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 刘伟,杨其利,闫昕,杨茂生,梁兰菊

    关键词: 太赫兹波,超材料吸收器,开口谐振环,隐身材料,电导率,调控

    来源: 电子元件与材料 2019年01期

    年度: 2019

    分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑

    专业: 材料科学

    单位: 枣庄学院光电工程学院,天津大学精密仪器与光电子工程学院

    基金: 国家自然科学基金资助项目(61701434,61735010),山东省自然科学基金(ZR2017MF005),山东省高等学校科技计划项目(J17KA087),中国博士后基金(2015M571263),枣庄市自主创新及成果转化专项项目(2016GH19,2016GH31)

    分类号: TB34

    DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.01.013

    页码: 78-82

    总页数: 5

    文件大小: 2006K

    下载量: 200

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