Se掺杂Bi2Te3电子结构第一性原理研究

Se掺杂Bi2Te3电子结构第一性原理研究

论文摘要

碲化铋(Bi2Te3)是一种常见的热电材料。本文研究了硒(Se)掺杂对Bi2Te3电子结构的影响。本文从Bi2Te3的晶格结构出发,利用第一性原理对Se掺杂Bi2Te3所得的Bi2Te3-xSex(x=0, 1, 2, 3)四种材料进行晶格结构优化,并计算它们的能带和态密度。我们发现自旋轨道耦合作用对Bi2Te3电子结构的影响非常大,另外还发现Se掺杂会使Bi2Te3能带发生劈裂,使得费米能附近态密度增加。

论文目录

  • 1 研究背景介绍
  • 2 计算方法与参数
  • 3 结果与讨论
  •   3.1 Se掺杂对Bi2Te3的晶体结构影响
  •   3.2 自选轨道耦合作用对Bi2Te3能带结构的影响
  •   3.3 Se掺杂对Bi2Te3能带结构和态密度的影响
  • 4 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 邹彦娟,张小龙

    关键词: 第一性原理,热电材料,碲化铋化合物,硒参杂

    来源: 萍乡学院学报 2019年03期

    年度: 2019

    分类: 社会科学Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

    专业: 材料科学

    单位: 萍乡学院机械电子工程学院

    基金: 萍乡学院青年科研基金(2018D0227),湖南省教育厅科学研究一般项目(17C1117)

    分类号: TB34

    页码: 34-37

    总页数: 4

    文件大小: 376K

    下载量: 128

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