论文摘要
13.5 nm波长极紫外(EUV)光刻机的分辨率虽然很高,但因波长的减小使其对像差的容忍度降低,有必要研究像差对EUV光刻成像的影响。针对四类典型像差的波前特征,选取对像差最敏感的四种测试图形,研究像差对光刻成像特征尺寸和最佳聚焦点偏差量的影响。在满足焦深要求的条件下,给出各单类像差的最大允许范围,最后将四类像差总值控制在0.04λ内,从仿真分析的角度研究了实际工艺生产对像差的要求,即总像差需控制在0.025λ以内,约0.34 nm。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 明瑞锋,韦亚一,董立松
关键词: 光学设计,极紫外光刻,像差,特征尺寸偏差,工艺需求
来源: 光学学报 2019年12期
年度: 2019
分类: 基础科学,信息科技
专业: 无线电电子学
单位: 中国科学院大学微电子学院,中国科学院微电子研究所
基金: 国家科技重大专项(2017ZX02315001-003),国家自然科学基金(61804174)
分类号: TN23;TN305.7
页码: 281-287
总页数: 7
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