论文摘要
运用求解任意势中波函数与转移矩阵相结合的方法,计算得到流体静压下应变ZnCdSe/ZnSe双势垒电子隧穿的共振能级、波函数和透射系数。考虑晶格常数、有效质量及体弹性模量等参量的压力效应对电子隧穿的影响。数值结果显示,与无静压比较,势垒的高度增加,则电子有效质量减小,导致共振峰向高能区移动,但峰值高度不变。此外,给出势阱有无静压的两种情形下的波形图,通过对比,可以进一步看出静压对ZnCdSe/ZnSe电子隧穿的影响。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 钱岙轲
关键词: 电子隧穿,静压,双势垒,透射系数,电子波函数
来源: 现代商贸工业 2019年12期
年度: 2019
分类: 经济与管理科学,基础科学,信息科技
专业: 物理学,无线电电子学
单位: 浙江省衢州第二中学
分类号: O471.1
DOI: 10.19311/j.cnki.1672-3198.2019.12.093
页码: 192-193
总页数: 2
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