导读:本文包含了工艺单论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:工艺,生产工艺,暗计,油页岩,豆腐脑,电荷,甲醇。
工艺单论文文献综述
张准[1]（2017）在《纳米CMOS器件多阱工艺单粒子效应机理研究》一文中研究指出中国航天科技的快速发展驱动集成电路系统在航空航天领域中有着广泛的应用,芯片制造工艺的特征尺寸不断缩小使得空间高能粒子辐射引发的单粒子效应成为干扰航天控制系统稳定性的主要因素。随着CMOS器件工艺进入到纳米尺寸时电路节点的存储电荷减少,逻辑电平翻转的临界电荷量降低使得半导体器件对重离子辐射愈加敏感,纳米CMOS多器件间发生的电荷共享和单粒子多位翻转成为单粒子效应主要表现形式,目前不同阱工艺对载流子电荷传输方式有着很大的影响,因此多阱研究值得重点关注。针对纳米CMOS器件的SEE机理研究对抗辐射加固具有很强的理论指导性,本文分别从物理级建模、器件级仿真和电路级加固验证对纳米CMOS器件多阱工艺的单粒子效应机理进行了详细研究,取得的主要研究成果可列为以下几个部分:(1)采用基于蒙特卡罗的SRIM模拟程序追踪一定数量的高能氦离子入射硅材料的能量损耗过程,拟合硅材料电离损伤分布得出重离子在硅的浅表层能量损耗最大,硅电离过程最为显着,验证电荷聚集区能为浅硅层器件的敏感节点提供大量电荷。根据氦离子电离能量的叁维分布数据拟合出的氦离子平均比电离与入射深度的布拉格曲线,为重离子在硅中有效线性能量传输提供了换算方程,完善了数值模拟调用LET的可行性。(2)通过TCAD数值模拟软件构建双阱工艺器件,重点对与非门的瞬态脉冲电流传输和电压翻转输出进行了分析,研究了叁维双阱SRAM单元的瞬态脉冲电流主要成分并评估NMOS管的电荷收集量,采用小信号电路模型探究电荷共享对相邻PMOS管的瞬态影响。准确得出叁维反相器间翻转电压输出的幅值和脉宽并解释了SET脉冲传输的机理,为下一步进行叁维的叁阱工艺加固设计的研究提供对比参考。(3)深化研究改进型叁阱器件的SET和电荷收集机理。详细研究了叁维叁阱保护环SRAM单元器件与相应的双阱SRAM单元的SET电流脉冲波形和电荷收集的区别,定量分析了电荷收集对单粒子翻转的贡献值。研究发现,叁阱保护环加固设计能有效减少器件的电荷收集量,电荷减少量能达到双阱的60%,因此叁阱器件中的寄生双极放大效应对器件电荷收集的贡献不明显,说明叁阱保护环布局是可行的辐射加固设计方式。(4)运用HSPICE电路仿真软件对改进型D触发器逻辑电路进行注入脉冲仿真验证。分析了加固和未加固D触发器电路在瞬态电流注入下的响应特点,电路级仿真研究发现输出缓冲电路对注入瞬态脉冲的电平响应有着良好的减缓效果,因此该缓冲电路模块拓扑布局方法给抗辐射加固电路设计提供一种技术参考。(本文来源于《深圳大学》期刊2017-06-30）
鲍孝圆[2]（2017）在《基于CMOS工艺单光子雪崩二极管及外围电路的研究》一文中研究指出随着单光子探测技术应用范围的不断扩展,对其核心部件--光电探测器提出了更高要求。传统的PMT、APD等光电器件已无法满足精确探测仅几个光子量级的微弱光以及皮秒量级的时间分辨率等要求。鉴于此,研究人员提出了一种工作在盖革模式下的APD,称为单光子雪崩二极管(SPAD),它具有内部增益大、灵敏度高和噪声低等优点,且CMOS工艺制备的SPAD器件克服了与CMOS电路难兼容以及价格昂贵等难题,有利于大规模制造与应用,因此对于CMOS SPAD的研究具有非常重要的意义。本文基于0.18μm CMOS工艺设计出一种p+/n-well/p-sub平面结构的SPAD器件,并带有p阱保护环结构。其中,p+/n-well结是雪崩区,用作光电转化;n-well是主要的光吸收区域;采用p衬底有利于集成;p阱保护环则用于抑制边缘提前击穿。由于p+/n-well/p-sub结构的SPAD器件存在对长波长探测效率较低、暗计数率较高等问题,在此结构基础上对其进行优化设计。第一、在p+/n-well结中间增加一层p-well结构,使p-well/n-well结成为雪崩结,不仅增加了雪崩结结深,有利于提高长波长光的探测效率,还使倍增区电场减少,同时降低雪崩击穿电压和暗计数率噪声;第二、引进深n阱结构,增加光吸收区域有利于提高探测效率;第叁、采用p-sub虚拟保护环结构抑制边缘提前击穿现象,从而设计出了一种优化型p+/p-well/n-well/DNW/p-sub型SPAD结构。同时探讨不同深n阱浓度对I-V特性的影响,不同光窗口面积对探测效率的影响,不同偏置电压对暗计数率的影响等。对所设计的p+/n-well/p-sub型SPAD器件结构进行仿真分析,结果表明:在环境温度300k,光窗口长度为20μm时,击穿电压为-22.0V,响应度波长范围在300nm-600nm之间效果较好,过偏压1V时,在波长420nm处最大探测效率为30%,暗计数率为28.3kHz。对所设计的p+/p-well/n-well/DNW/p-sub型SPAD器件优化结构进行仿真分析,结果表明:在环境温度300k时,深n阱浓度在2.0×10~(16)cm~(-3)时I-V曲线最为陡峭,p-sub虚拟保护环宽度在1.0μm时器件击穿特性最好,光窗口面积对击穿电压大小影响甚微,但面积越大暗电流越高,同时探测效率也有所增加,折中决定光窗口长度为20μm。得到雪崩击穿电压为-12.0V,在波长300nm-800nm之间响应度均高于0.2A/W,在550nm处响应度最高达0.45A/W。过偏压2V时,探测效率峰值为55%,暗计数率约为16.5kHz,与第一种器件结构相比参数性能都有所改善。由于SPAD器件触发的雪崩不会自动淬灭,于是本文详细分析了叁种常用的外围淬灭电路,并对无源淬灭电路进行设计,结合SPAD器件等效电路模型,利用cadence软件瞬态仿真得到死时间为20ns。又由于淬灭电路输出的是离散脉冲信号,还对外围计数电路进行设计分析,所得到的外围数字计数电路频率为500MHz,满足单光子雪崩脉冲计数要求。(本文来源于《重庆邮电大学》期刊2017-04-10）
姚晓林[3]（2017）在《针织毛衫CAD范本中工艺单文字设定》一文中研究指出提出针织毛衫CAD软件中几种范本工艺单文字设定的特点和规律。说明范本线段的文字显示在工艺单中的左右位置,与利用原始范本建立过程中的线段选择有关。指出多平位编织情况下,工艺单文字是否对平位编织加以说明,取决于该平位是编织开始位置还是结束位置,平位可选择加工时是否进行齐加针间纱,平位两侧斜率较大的放针曲线,会自动设定齐加针间纱。分割线分割幅片后,某些线段选择不显示吓数或者对工艺单文字的修改,不影响由该工艺单绘出的针织图像,但对曲线部位根据加工需要选择加工方式,会影响针织图像。并介绍工艺单文字设定实例,包括裤子、横纹腰位缩褶裙、圆脚衫等。(本文来源于《针织工业》期刊2017年03期）
严茂辉[4]（2016）在《浅析《外贸跟单实务》课软件教学——以“分析打样工艺单”为例》一文中研究指出《外贸跟单实务》是一门理论和操作相结合的课,注重培养学生动手能力,传统的课堂教学无法训练学生操作能力。再加上智能手机时代,很多学生上课都成了低头族,上课积极性非常低,教学效果更是无从谈起。为提高学生动手操作能力和学习积极性,用软件操作的方式进行教学,取得非常不错的效果。(本文来源于《山西农经》期刊2016年14期）
蒋海金[5]（2016）在《DAVY甲醇双塔合成工艺单塔不钝化卸催化剂及单塔还原催化剂的生产实践》一文中研究指出介绍了DAVY串、并联双合成塔甲醇合成工艺流程。针对中煤陕西榆林能源化工有限公司DAVY双塔工艺单合成塔出现问题需要更换催化剂的情况,为保护1~#塔催化剂,决定对2~#塔催化剂进行不钝化卸料和单塔还原。实践经验表明,在无氧环境下对催化剂进行不钝化卸料和单塔进行催化剂还原是可行的。解决了甲醇合成催化剂必须经过钝化卸料而给企业造成巨大损失的问题。(本文来源于《煤化工》期刊2016年05期）
杨猛[6]（2014）在《即食型豆腐脑生产工艺单因素实验》一文中研究指出研究即食型豆腐脑生产过程中的影响因素,分别对复合凝固剂用量、黄原胶用量、凝固温度、凝固时间进行单因素实验,以感官评分为参考指标,优化产品凝固条件。即食型豆腐脑最佳生产工艺参数为:使用0.25%GDL(葡萄糖酸-δ-内脂)和0.10%CaCl2(氯化钙)组成的复合凝固剂,黄原胶添加量为0.08%,凝固温度为80℃,凝固时间为25 min。(本文来源于《江苏调味副食品》期刊2014年03期）
李贵成[7]（2014）在《普采生产工艺单滚筒采煤机参数及工作方式》一文中研究指出我国长壁采煤工作面采用的主要采煤工艺有:普采、综采及炮采等多种采煤工艺方式,我国国有煤矿的机械化采煤发展较快。本研究主要阐述了普采生产工艺单滚筒采煤机滚筒的位置及旋转方向、滚筒的旋转速度及牵引速度、滚筒直径、滚筒宽度与截深等技术问题。(本文来源于《黑龙江科学》期刊2014年06期）
李浩荡,杨汉宏,徐开宇[8]（2014）在《综掘工艺单进水平研究分析》一文中研究指出针对神华集团不同区域不同地质条件下多个煤炭公司煤矿综掘现状,结合对部分煤矿综掘工作面现场生产写实结果,从设计规划、机电设备、人员技能、环境、生产组织管理等5个方面分析制约综掘工作面单进水平提高的因素,根据制约因素,借鉴国内外先进掘支技术,利用精益化管理的成果,优化设计、工艺,改变支护方法,优化劳动组织,进行科学管理,提高综掘单进水平。(本文来源于《神华科技》期刊2014年01期）
王莹莹[9]（2014）在《基于服装生产工艺单的《服装缝制工艺》课程教学改革》一文中研究指出根据企业生产工艺单的特征和内容,从高职高专院校《服装缝制工艺》课程教学现状出发,分析了《服装缝制工艺》课程教学存在的问题,并对生产工艺单与课堂教学融合进行了探究。实践证明,教师把生产工艺单融入到课堂教学中,能提高学生的合作能力、专业素质及技能学习效率,有效提高实践教学效果。(本文来源于《淮北职业技术学院学报》期刊2014年01期）
崔向群[10]（2013）在《变频器在油页岩干馏工艺单炉传动装置中的应用》一文中研究指出在现代企业里,使用变频器控制电机的运行频率和运用现场总线PROFIBUS-DP组成的工业控制网络,实现了控制级到现场级通讯的一致,达到了生产的要求。(本文来源于《中国高新技术企业》期刊2013年35期）
工艺单论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着单光子探测技术应用范围的不断扩展,对其核心部件--光电探测器提出了更高要求。传统的PMT、APD等光电器件已无法满足精确探测仅几个光子量级的微弱光以及皮秒量级的时间分辨率等要求。鉴于此,研究人员提出了一种工作在盖革模式下的APD,称为单光子雪崩二极管(SPAD),它具有内部增益大、灵敏度高和噪声低等优点,且CMOS工艺制备的SPAD器件克服了与CMOS电路难兼容以及价格昂贵等难题,有利于大规模制造与应用,因此对于CMOS SPAD的研究具有非常重要的意义。本文基于0.18μm CMOS工艺设计出一种p+/n-well/p-sub平面结构的SPAD器件,并带有p阱保护环结构。其中,p+/n-well结是雪崩区,用作光电转化;n-well是主要的光吸收区域;采用p衬底有利于集成;p阱保护环则用于抑制边缘提前击穿。由于p+/n-well/p-sub结构的SPAD器件存在对长波长探测效率较低、暗计数率较高等问题,在此结构基础上对其进行优化设计。第一、在p+/n-well结中间增加一层p-well结构,使p-well/n-well结成为雪崩结,不仅增加了雪崩结结深,有利于提高长波长光的探测效率,还使倍增区电场减少,同时降低雪崩击穿电压和暗计数率噪声;第二、引进深n阱结构,增加光吸收区域有利于提高探测效率;第叁、采用p-sub虚拟保护环结构抑制边缘提前击穿现象,从而设计出了一种优化型p+/p-well/n-well/DNW/p-sub型SPAD结构。同时探讨不同深n阱浓度对I-V特性的影响,不同光窗口面积对探测效率的影响,不同偏置电压对暗计数率的影响等。对所设计的p+/n-well/p-sub型SPAD器件结构进行仿真分析,结果表明:在环境温度300k,光窗口长度为20μm时,击穿电压为-22.0V,响应度波长范围在300nm-600nm之间效果较好,过偏压1V时,在波长420nm处最大探测效率为30%,暗计数率为28.3kHz。对所设计的p+/p-well/n-well/DNW/p-sub型SPAD器件优化结构进行仿真分析,结果表明:在环境温度300k时,深n阱浓度在2.0×10~(16)cm~(-3)时I-V曲线最为陡峭,p-sub虚拟保护环宽度在1.0μm时器件击穿特性最好,光窗口面积对击穿电压大小影响甚微,但面积越大暗电流越高,同时探测效率也有所增加,折中决定光窗口长度为20μm。得到雪崩击穿电压为-12.0V,在波长300nm-800nm之间响应度均高于0.2A/W,在550nm处响应度最高达0.45A/W。过偏压2V时,探测效率峰值为55%,暗计数率约为16.5kHz,与第一种器件结构相比参数性能都有所改善。由于SPAD器件触发的雪崩不会自动淬灭,于是本文详细分析了叁种常用的外围淬灭电路,并对无源淬灭电路进行设计,结合SPAD器件等效电路模型,利用cadence软件瞬态仿真得到死时间为20ns。又由于淬灭电路输出的是离散脉冲信号,还对外围计数电路进行设计分析,所得到的外围数字计数电路频率为500MHz,满足单光子雪崩脉冲计数要求。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
工艺单论文参考文献
[1].张准.纳米CMOS器件多阱工艺单粒子效应机理研究[D].深圳大学.2017
[2].鲍孝圆.基于CMOS工艺单光子雪崩二极管及外围电路的研究[D].重庆邮电大学.2017
[3].姚晓林.针织毛衫CAD范本中工艺单文字设定[J].针织工业.2017
[4].严茂辉.浅析《外贸跟单实务》课软件教学——以“分析打样工艺单”为例[J].山西农经.2016
[5].蒋海金.DAVY甲醇双塔合成工艺单塔不钝化卸催化剂及单塔还原催化剂的生产实践[J].煤化工.2016
[6].杨猛.即食型豆腐脑生产工艺单因素实验[J].江苏调味副食品.2014
[7].李贵成.普采生产工艺单滚筒采煤机参数及工作方式[J].黑龙江科学.2014
[8].李浩荡,杨汉宏,徐开宇.综掘工艺单进水平研究分析[J].神华科技.2014
[9].王莹莹.基于服装生产工艺单的《服装缝制工艺》课程教学改革[J].淮北职业技术学院学报.2014
[10].崔向群.变频器在油页岩干馏工艺单炉传动装置中的应用[J].中国高新技术企业.2013
论文知识图
