压力作用下透明导电氧化物2H-CuGaO2的结构和性能

压力作用下透明导电氧化物2H-CuGaO2的结构和性能

论文摘要

铜铁矿材料(CuMO2)性能优良,是具有本征p型半导体特性的透明导电氧化物,且有2H和3R两种结构。为研究2H-CuGaO2的结构和性能,基于密度泛函理论(DFT)框架下的平面波超软赝势法,计算了压力作用下2H-CuGaO2的晶体结构、弹性性质和电子结构。研究发现:1)压力增加能够导致2H-CuGaO2晶胞的收缩;2)在0~30 GPa压力范围内,2H-CuGaO2是延展性材料;3)当压力为20.83 GPa时,2H-CuGaO2变得不稳定;4)2H-CuGaO2是间接跃迁带隙半导体,价带主要由Cu的3d态及O的2p态电子构成,导带主要由Cu的3p态及O的2p态电子构成,且当压力增加时,带隙值线性增大。本研究对相关材料的使用有参考作用。

论文目录

  • 引言
  • 1 研究路线
  • 2 结构及性质分析
  •   2.1 晶体结构
  •   2.2 弹性性质
  •   2.3 电子结构
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 刘启祥,刘文婷,鲁一荻,史奔,马艳恒

    关键词: 透明导电氧化物,压力,弹性常数,平面波超软赝势法

    来源: 工业技术创新 2019年03期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

    专业: 化学,材料科学,工业通用技术及设备

    单位: 西安石油大学材料科学与工程学院

    基金: 陕西省教育厅专项科研计划项目:陕西省大学生创新创业训练计划项目(1466)

    分类号: TB383.2;O611.62

    DOI: 10.14103/j.issn.2095-8412.2019.03.017

    页码: 86-90

    总页数: 5

    文件大小: 1765K

    下载量: 71

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