导读:本文包含了磁隧道结论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:隧道,存储器,力矩,各向异性,噪声,界面,磁电。
磁隧道结论文文献综述
王日兴,李雪,李连,肖运昌,许思维[1]（2019）在《叁端磁隧道结的稳定性分析》一文中研究指出在理论上研究了磁隧道结/重金属层组成的叁端磁隧道结中磁性状态的稳定性.以包含自旋转移矩和自旋轨道矩的Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG)方程为基础,通过对平衡点进行线性稳定性分析,得到了以钉扎层磁化向量方向和自旋轨道矩电流密度为控制参数的相图.相图中包括平面内的进动态和稳定态以及伸出膜面的进动态和稳定态.当钉扎层磁化向量在垂直薄膜平面内旋转时,通过调节钉扎层磁化向量方向,可以实现自由层磁化向量从稳定态到进动态的转化.当钉扎层磁化向量在薄膜平面内旋转时,在钉扎层磁化向量方向与自由层易磁化轴方向平行或者反平行的结构中,失稳电流最小,当钉扎层磁化向量方向逐渐偏离这两个方向时,失稳电流不断增加.调节自旋转移矩电流密度,可以实现磁化翻转,在自旋轨道矩的辅助下,可以减小翻转时间.相图的正确性通过画不同磁性状态磁化向量随时间的演化轨迹得到了验证.(本文来源于《物理学报》期刊2019年20期）
胡悦国,潘孟春,李裴森,陈棣湘,杜青法[2]（2017）在《磁隧道结传感器噪声自动测试系统设计》一文中研究指出磁隧道结(MTJ)虽然可以实现相当大的磁阻变化率,但是其噪声尤其是低频下的1/f噪声十分严重。为分析MTJ的噪声来源及大小,设计一套基于LabVIEW的噪声自动测试系统。通过综合分析测试系统噪声来源、建立放大器等效噪声模型,测试得到系统在不同放大倍数下的等效输入噪声电压和噪声电流,并确定最优放大倍数。在此基础上,利用软件运算对放大器噪声进行剔除,以提高测试系统准确度。经过测试标准电阻噪声,验证系统误差可以维持在±5%以内。最后对AlO_x基MTJ和磁传感器TMR9002进行测试,得出并解释磁传感器噪声随偏置电流和磁场的变化规律。(本文来源于《中国测试》期刊2017年08期）
李俊,杨阳,吴振华,杨文,李成[3]（2017）在《基于低势垒FM/I/n-Si磁隧道结的优化自旋注入效率和增强的Spin MOSFET信号》一文中研究指出自旋电子学器件由于其有较小的单元尺寸,更低的功耗和新兴的电荷—自旋集成功能,因此可能成为超越摩尔定律物理极限的下一代电子器件。在众多半导体中,在硅上实现自旋电子学具有重要意义,因为硅是半导体行业中应用最普遍的材料,且成熟的硅工艺可以大大促进自旋电子器件的制备和大规模应用。同时,由于硅缺乏晶格反演对称性,以及弱的自旋轨道耦合和原子核超精细相互作用,(本文来源于《第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集》期刊2017-05-25）
曲连华[4]（2016）在《基于自旋转移矩互补极化磁隧道结的非易失性存储单元研究》一文中研究指出自旋转移矩磁性随机存储器(STT-MRAM:Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory)是一种基于材料的磁性来存储信息的新型非易失性存储器,具有与SRAM(Static Random Access Memory)相近的访问速度、与DRAM(Dynamic Random Access Memory)相媲美的存储密度,耐用性好,与CMOS工艺兼容,被看作是未来“统一存储器”的最佳候选,在工业界和学术界引起了极大关注。本文从器件级和电路级对STT-MRAM的核心存储单元的设计展开了研究,主要工作和创新如下:1.对现有的STT-MRAM的核心器件自旋转移矩磁隧道结(STT-MTJ:STT Magnetic Tunnel Junction)及其存储单元进行了对比分析,总结了自旋转移矩互补极化磁隧道结(STT-CPMTJ:STT Complementary Polarizer Magnetic Tunnel Junction)的结构优势;对首款基于STT-CPMTJ的存储器CPSTT-MRAM进行了重点分析,总结了CPSTT-MRAM存在的一个缺陷——写操作中为避免写错误对未选中阵列的预充操作造成的功耗浪费;通过对互补极化电流的抵消作用的分析,提出了一种基于STT-CPMTJ无读破坏读操作的方法。2.总结归纳了STT-MTJ建模的理论基础和建模方法,构建了一个物理效应全面的模型结构,并实现了STT-MTJ的SPICE器件模型;将STT-MTJ的建模方法和理论扩展至新型的STT-CPMTJ上,建立了STT-CPMTJ的SPICE器件模型。利用SPICE模拟和MATLAB分别对模型进行了功能性和准确性验证,验证结果表明本文所建立的器件模型功能正确、结果准确,能够作为电路级模拟的模型基础。3.研究了面向对象的微磁模拟平台(OOMMF:Object-Oriented MicroMagnetic Framework),建立了对STT-CPMTJ读破坏问题进行研究和评估的微磁模拟实验环境和方法;通过对STT-CPMTJ读操作的微磁模拟验证了互补极化电流的抵消作用,证实了所提出的基于STT-CPMTJ实现无读破坏读操作的方法,并从材料设置上完善了所提出的方法。4.提出了一款读写路径分离的存储单元SCPSTT,最大化地发挥了STTCPMTJ的结构优势。SCPSTT-MRAM不仅成功避免了CPSTT-MRAM中对未选中阵列的预充操作,而且成功运用了所提出的无读破坏读操作的方法。SPICE电路模拟和微磁模拟的实验结果表明,SCPSTT-MRAM相比CPSTT-MRAM在写速度上提升了8%,在功耗效率上提升了8倍,读破坏率上降低了93%。5.基于所提出的存储单元SCPSTT,设计了一款全模结构的非易失性寄存器(TMNVFF:Total-Mode Non-volatile Flip-Flop)SCPNVFF,并与当前典型的全模非易失性寄存器SMNVFF进行了对比评估,SPICE电路模拟的实验结果表明,SCPNVFF在写回速度上提升了59%,在相同写回速度下写回功耗降低了57%。对SCPNVFF进行了电路改进,仅仅利用两个PMOS晶体管就实现了非易失模式和锁存模式的自由切换。SPICE蒙特卡洛模拟的实验结果表明,改进的设计功能正确,可以有效地整合TMNVFF面积小和和混模非易失性寄存器(HMNVFF:Hybrid-Mode NVFF)速度快、功耗低的优势。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2016-12-01）
黄婷[5]（2016）在《磁隧道结中CoFe基自旋极化薄膜的磁性及自旋特性研究》一文中研究指出基于磁隧道结(Magnetic Tunnelling Junction, MTJ)的磁随机存储器(Magnetic Random Access Memory, MRAM)由于具有非易失性、存储密度大、读写速度快等特性,成为了极具潜力的下一代的非易失性半导体存储器。自旋力矩转移磁随机存储器(Spin-Torque-Transfer MRAM, STT-MRAM)是通过自旋极化电流诱导磁化反转来进行读写,可以大大的减小MRAM的信息写入功耗,有利于提高其存储密度。磁隧道结单元是STT-MRAM的关键单元,它的存储原理主要是利用隧道磁阻效应(tunneling magenetoresistance ratio, TMR)。一方面,由于面内的STT-MRAM存在着阈值电流过大的问题,而垂直的STT-MRAM可以有效的减小阈值电流,同时可以避免在高密度下的超顺磁效应,因此STT-MRAM需要有高的垂直磁各向异性。另一方面,由于STT-MRAM是通过自旋极化电流诱导磁化翻转,因此需要有高的自旋极化率,同时,提高自旋极化率可以提高磁隧道结的TMR。本文以磁隧道结的自旋极化层为研究对象,重点从垂直磁各向异性和自旋极化率两个方面探讨CoFe基自旋极化层材料及性能改进方案。首先,本文提出了一种新型的CoFeB/金属/CoFeB自旋极化层叁层结构,这种结构相比于传统的一层CoFeB结构在垂直方向上具有更大的磁各向异性。通过实验和理论研究证明了CoFeB/金属的界面效应有利于提高CoFeB在垂直方向上的磁各向异性。一方面,通过磁控溅射制备了一层CoFeB薄膜以及插入金属层修饰的CoFeB薄膜,测试了薄膜的晶相、表面形貌以及磁学性质。测试结果表明：当向CoFeB薄膜中插入一层1 nm的金属Ag层或者金属Ta层时,CoFeB薄膜在垂直方向上的磁各向异性得到了大大的增强。其原因主要是：向CoFeB薄膜中插入金属层形成了2个良好的金属/CoFeB的界面,Co和Fe的3d轨道和金属的d轨道在界面处发生强烈的杂化造成界面处的面外与面内的能量差异,这种界面效应是薄膜在垂直方向上的磁各向异性得到提高的主要原因。而当插入CoFeB薄膜中的金属层太薄时,可能因为无法形成连续的界面,从而不能产生界面效应,导致CoFeB薄膜在垂直方向上的磁各向异性无法提高。另一方面,为了验证实验的结论,本文还通过第一性原理计算并比较了一层CoFeB结构和插入金属层修饰的CoFeB结构在单位横截面积上的磁各向异性能,计算建立的模型与实验制备的薄膜结构一致,计算结果同样表明：向CoFeB中插入1 m的金属Ag层或者金属Ta层在单位横截面积上的磁各向异性能要大于一层CoFeB结构的磁各向异性能。计算结果与实验结果一致,同样表明：向CoFeB薄膜中插入一层1 m的金属Ag层或者金属Ta层时可以提高CoFeB薄膜在垂直方向上的磁各向异性。其次,CoFe基半金属Heusler合金Co2FeAl因为具有100%的自旋极化率、大的带隙宽度、高的居里温度、大的磁矩以及与MgO晶格匹配等优点而成为了一种新型的磁隧道结自旋极化层材料。高的自旋极化率可以提高磁隧道结的TMR,但是,Co2FeAl也有一定的不足之处：一是一层的Co2FeAl本身没有垂直磁各向异性;二是Co2FeAl的半金属特性的稳定性不高。以此为出发点,一方面,本文提出了新型的Co2FeAl/Pt/Co2FeAl叁层自旋极化层结构,通过Pt/Co2FeAl使得原本在垂直方向上没有各向异性的Co2FeAl获得磁各向异性。首先,本文通过第一性原理计算了向Co2FeAl薄膜中插入不同厚度不同种类的金属层的磁各向异性能,计算结果表明：当向一层的Co2FeAl中插入0.8nm的金属Pt层之后,Cc^FeAl薄膜产生了较强的垂直磁各向异性。在得到了理论数据的支持之后,本文通过磁控溅射制备了一层Co2FeAl薄膜以及插入金属层修饰的Co2FeAl薄膜,测试比较它们的磁学特性、表面形貌、晶体结构、剖面结构、Pt元素含量随深度变化以及铁磁共振等,测试结果表明：一层的Co2FeAl薄膜在垂直方向上没有磁各向异性,而当插入了0.8nm的金属Pt层之后,Co2FeAl薄膜在垂直方向上产生了磁各向异性,原因可能是插入一层金属Pt层之后,形成了2个良好的Pt/Co2FeAl界面,Co和Fe的3d轨道与Pt的5d轨道在界面处发生杂化造成界面处面外与面内能量差异,这种界面效应是薄膜在垂直方向上产生磁各向异性的主要原因。另一方面,针对Co2FeAl的半金属特性不稳定的问题：Co2FeAl的费米能级处于其少数自旋子带的边缘,导致其费米能级很容易随着外界温度的变化而移出带隙,从而破坏了其半金属特性,本文通过向Co2FeAI中掺杂硫系元素及GeTe达到了提高其半金属特性稳定性的目的。具体而言,本文采用了A1位的替位掺杂方式,因为Al位替位未直接影响Co、Fe原子轨道杂化和磁耦合,可优化费米能级相对带隙的位置以及增大带隙的宽度。一方面,研究证明了：当硫系元素(S、Se和Te)替代Co2FeAl中25%的A1原子时,费米能级从带隙的边缘移动到了带隙的中间,表明掺杂之后的Co2FeAl的半金属特性的稳定性得到增强,其中,Te掺杂的Co2FeAl (Co2FeAl0.75Te0.25)的带隙宽度(0.80 eV)比未掺杂的Co2FeAl的带隙宽度(0.74 eV)宽,表明半金属特性的稳定性得到了进一步的增强。另一方面,研究还表明：当硫系化合物GeTe以原子比1：1的比例总共替代Co2FeAl中50%的Al原子时,掺杂后的Co2FeAl的费米能级从带隙的边缘移动到了带隙的中间,带隙的宽度也从0.74 eV增大到1.01 eV,表明掺杂之后的Co2FeAl的半金属特性的稳定性得到增强。(本文来源于《华中科技大学》期刊2016-05-01）
关夏威[6]（2016）在《磁隧道结的垂直磁各向异性及界面磁电特性研究》一文中研究指出自旋力矩转移磁随机存储器(Spin-Torque-Transfer Magnetic Random Access Memory, STT-MRAM)具有高速、非易失性和存储寿命长等特点,是一种高速读写、低功耗的新型存储技术。随着硬件对存储器性能的要求越来越高,STT-MRAM在大容量和超低功耗存储芯片的应用依然面临着挑战。磁隧道结(magnetic tunnel junctions, MTJs)是STT-MRAM的基本存储单元,直接决定了其存储性能。进一步提高存储密度、降低磁隧道结的功耗和增强隧道磁阻效应是磁隧道结器件研究亟待解决的难题。提高存储密度需要减小器件尺寸的同时提高MTJ磁性材料的热稳定性,即增强磁各向异性；降低功耗最有效的途径之一是研究如何更有效地利用电场调控磁各向异性,实现电场辅助写入；增强隧道磁阻变化率则需深入探究器件界面及材料对自旋输运特性的影响。随着磁隧道结尺寸的缩小,无论磁各向异性还是各种磁电效应(电场对磁各向异性的调控、隧道磁阻效应等)都愈发与膜层界面息息相关。于是,本文重点针对MgO隧穿层的MTJ膜层界面,从理论以及实验方面研究了强垂直磁各向异性的MTJ材料及其界面特性,系统地分析了MTJ膜层界面处电场对磁各向异性的调控作用,研究了界面结构对隧道磁阻效应的影响。本文的研究内容可概括为叁个部分：(1)在强垂直磁各向异性MTJ材料研究方面,重点针对FePt薄膜材料的界面结构和磁特性进行了研究。为满足CMOS工艺的需求,研究了快速退火工艺下Ag/FePt膜层结构中FePt的有序化转变,结果表明Ag层能促进L10-FePt快速有序化并提高垂直矫顽场;提出了一种CoFe/A1-FePt的新型强垂直磁各向异性膜层结构,以兼顾MgO-MTJ器件对隧道磁阻变化率和退火工艺的要求,结合实验和理论计算,证实了其垂直磁各向异性的起源于界面非对称与应力,并发现界面应力可有效控制磁各向异性强弱。(2)在电场辅助写入方面,主要研究了MgO磁隧道结界面结构对电场调控磁各向异性的影响。基于第一性原理计算,首先分析了理想、过氧和缺氧叁种状态下不同Fe/MgO界面结构的稳定性,随后对比了理想、过氧和缺氧叁种界面态下电场对磁各向异性的调控作用,结果表明MgO界面氧化状态对这种电致磁电效应有极大的影响：为获得更强的电场调控效应,研究了电场对Fe/非磁金属(Ta、Pt和Au)界面磁各向异性的调控,证实了电场同样对金属-金属界面磁各向异性具有极强的调控作用,可主导磁隧道结中的磁电效应：最后分析了磁隧道结膜层结构中压应力对电场可控磁各向异性的影响,结果表明膜层应力也能决定电场调控磁各向异性的强弱。(3)为研究器件界面结构及材料对隧道磁阻效应的影响,本文基于非平衡格林函数计算分析了MgO-MTJ的自旋输运性质。结合器件自旋透射谱和界面局域态密度,重点研究了不同MgO界面氧化状态及不同MgO/二元铁磁合金界面的MgO-MTJ器件的自旋输运性质,结果表明磁隧道结界面结构能极大地影响隧道磁阻效应,合理调控MgO薄膜界面状态和铁磁合金界面结构对提高隧道磁阻变化率至关重要。(本文来源于《华中科技大学》期刊2016-05-01）
李磊鑫[7]（2016）在《磁隧道结中自旋转移矩效应动态特性及热稳定性的研究》一文中研究指出随着人们对存储技术要求的提高,基于自旋转移矩(STT)效应的磁性随机存储器(STT-MRAM)以其巨大的优势成为磁学领域研究的热点。作为随机存储器的核心组成部分,磁隧道结中磁矩动态特性的研究对于STT-MRAM高存储密度、可扩展性的实现具有关键的意义。近年来,基于Co Fe B-Mg O材料的磁隧道结构得到了特别的关注,其优越的性能为新型磁存储器的商业化提供了光明的前景。但是纳米尺寸磁隧道结中的磁矩更容易受到热扰动的影响,而且过高的电流密度会使绝缘层很容易被击穿,阻碍了自旋转移矩磁性随机存储器商业化目标的实现。如何在保持较高热稳定性的前提下进一步改善磁矩进动的动态特性成为迫切需要解决的难题。本文基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewsk(LLGS)方程,建立了宏自旋与微磁两种模型,对磁隧道结中影响STT效应动态特性以及系统热稳定性的因素进行了探讨,主要研究内容为:1.介绍了磁性存储技术的研究背景和意义,总结了磁性存储器的研究成果和面临的挑战。通过对磁矩进动动态方程的解析以及相互作用能的阐述,为研究磁矩动态特性提供了理论基础。2.分别研究了面内磁隧道结构,特别是Co Fe B-Mg O多层膜结构中形状各向异性以及面外磁隧道结中垂直各向异性的影响。对于面内隧道结而言,合适的尺寸规模对其动态特性的影响很大。自由层长宽比及其厚度的增加,会导致面内各向异性增强,翻转时间与阈值电流密度增大。对于面外垂直磁隧道结而言,垂直各向异性系数越大,磁矩偏离易轴的阻碍作用越强,所需要的阈值电流和翻转时间越大。3.研究了材料参数对热稳定因子及自旋转移效率的影响。主要研究了饱和磁化强度、各向异性系数、自由层尺寸长宽比和厚度以及温度等因素的影响。垂直磁隧道结中自旋转移矩效率会随着自由层厚度的减小而增加,随着垂直各项异性系数的减小而减小,随着饱和磁化强度的减小而增加。在饱和磁化强度和垂直各项异性的幅值降低时,自旋转移矩效率增加,饱和磁化强度对动态特性的增强作用要大于垂直各项异性系数的减弱作用。4.研究了类场项和极化层磁矩初始偏角对磁隧道结阈值电流以及翻转时间的影响。运用微磁模拟的方法对非共线磁性多层膜结构中的自旋转移力矩效应进行了研究,着重考察了Slonczewski项和类场项的影响情况。研究结果表明,在给极化层磁矩一定初始偏角时,阈值电流会大幅减小,减小幅度可达37%。而且类场STT项和Slonczewski项对阈值电流密度和翻转时间有着重要的影响。分析表明类场项和Slonczewski项在一定条件下可以明显地改善磁隧道结的翻转特性,此时类场STT项有效地促进自由层磁矩翻转的进程,从而使阈值电流减小,翻转时间缩短。(本文来源于《太原理工大学》期刊2016-05-01）
李磊鑫,康爱国,刘喆颉[8]（2016）在《类场STT对非共线磁隧道结动态特性的影响》一文中研究指出研究了类场自旋转移力矩(STT)和极化层磁矩偏角对CoFeB-MgO-CoFeB磁隧道结中阈值电流密度以及翻转时间的影响。基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程,运用微磁模拟的方法研究了非共线磁性多层膜结构中的STT效应,着重考察了Slonczewski项和类场STT的影响情况。结果表明,在给极化层磁矩一个小的偏角时,阈值电流密度会大幅减小,减小幅度可达37%。而且类场STT和Slonczewski项对阈值电流密度和翻转时间有着重要影响。分析表明,类场STT和Slonczewski项在一定条件下可以明显地改善磁隧道结的翻转特性,此时类场STT有效地促进了自由层磁矩翻转的进程,从而使阈值电流密度减小,翻转时间进一步缩短。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2016年01期）
郭园园,蒿建龙,薛海斌,刘喆颉[9]（2015）在《CoFeB/MgO磁隧道结的低电流密度磁矩翻转特性》一文中研究指出基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程,研究平面型Co Fe B/Mg O磁隧道结的磁矩翻转特性.数值计算结果表明,Co Fe B与Mg O间的界面各向异性,可降低磁矩翻转的阈值电流密度,达到106A/cm2量级.固定层磁矩方向和类场自旋转移力矩对自由层磁矩的翻转时间有重要影响.当固定层磁矩与自由层磁矩之间有一个小角度时,可显着加快自由层磁矩翻转.当类场自旋转移力矩与自旋转移力矩之比为负值时,类场自旋转移力矩与自旋转移力矩将促进自由层磁矩翻转;当相应的类场自旋转移力矩与自旋转移力矩之比为正值时,类场自旋转移力矩将阻碍自由层磁矩翻转.该研究可供自旋转移力矩驱动的磁性随机存储器件设计借鉴.(本文来源于《深圳大学学报(理工版)》期刊2015年06期）
刘斌[10]（2015）在《垂直磁隧道结中磁化动态特性的研究》一文中研究指出随着科技的发展和大数据时代的到来，信息已经成为人们正常生活中不可分割的一部分。大数据的记录使得小器件、大容量的存储器件成为大众所追求的目标。因此，改善和提高存储器件的密度具有十分重要的意义。由于垂直结构的自旋转移矩磁阻式随机存储器（STT-MRAM）具有非易失性和高速无限写入循环等优势，而被研究人员认为将会成为主流的通用存储器。在磁性纳米结构内，磁矩翻转动力学特性是反映存储器件性能的直接指标，该特性的研究对磁存储以及自旋电子学都具有十分重要的意义。然而，由于以往使用面内磁结构，为了达到降低电流密度的目的，所制作的磁存储器件截面积较大，因此通常在使用宏自旋模型对STT-MRAM的分析中采用简化的退磁因子，即只考虑垂直方向退磁因子影响（或是假定截面积无穷大）。但是在垂直磁结构中，翻转电流密度较小，在不失热稳定的前提下可以进一步减小其截面积，这种情况下如不考虑横截面积的影响就可能带来较大误差。同时，之前的研究表明，通过改变自由层或极化层的厚度，如改变CoFeB薄膜或者Co/Pd多层膜的厚度，可以使磁矩产生一个小的倾角，但在尺寸有限的情况下该倾角的大小对磁矩翻转的影响尚不明确。为此，本文围绕磁矩翻转的动态特性作了如下工作：1.介绍了磁存储的意义、发展历程、当前现状和未来发展方向。2.介绍了退磁场及退磁能，并采用磁偶极子相互作用的观点对退磁场进行了详细的推导计算，同时对椭球体与矩形结构中各分量退磁因子作了归纳总结。3.深刻阐述了宏自旋模型的处理方法，并列出了其优缺点。尤其通过数值模拟的方法，着重对自旋转移矩（STT）效应的工作机理及作用效果进行了说明。4.在基于LLG方程的宏自旋（Macrospin）模型中，引入平面内的退磁因子分量，重点研究了垂直磁各向异性（Perpendicular Magnetic Anisotropy，PMA）铁磁材料的磁隧道结（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）中自由层磁矩翻转时间及阈值电流随钉扎层磁矩倾角的变化。研究结果表明，小的钉扎层磁矩倾角可以大幅改善磁矩的翻转时间与阈值电流密度。5.具体讨论了宏自旋（Macrospin）模型中器件形状对磁矩翻转特性的影响，给出了自由层磁矩翻转时间与阈值电流密度随自由层长度、厚度变化的特征。同时也分析了自由层磁矩倾角对磁矩翻转时间及阈值电流密度的影响，并与钉扎层磁矩倾角产生的结果进行了对比。结果表明，在垂直结构中，小的磁矩倾角及合适长厚比可以大幅度的缩短磁矩翻转时间及减小所需阈值电流。另外，与传统的算法相比，相同条件下所得到的磁矩翻转时间及阈值电流密度值都要较高，且更为准确。(本文来源于《太原理工大学》期刊2015-05-01）
磁隧道结论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
磁隧道结(MTJ)虽然可以实现相当大的磁阻变化率,但是其噪声尤其是低频下的1/f噪声十分严重。为分析MTJ的噪声来源及大小,设计一套基于LabVIEW的噪声自动测试系统。通过综合分析测试系统噪声来源、建立放大器等效噪声模型,测试得到系统在不同放大倍数下的等效输入噪声电压和噪声电流,并确定最优放大倍数。在此基础上,利用软件运算对放大器噪声进行剔除,以提高测试系统准确度。经过测试标准电阻噪声,验证系统误差可以维持在±5%以内。最后对AlO_x基MTJ和磁传感器TMR9002进行测试,得出并解释磁传感器噪声随偏置电流和磁场的变化规律。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
磁隧道结论文参考文献
[1].王日兴,李雪,李连,肖运昌,许思维.叁端磁隧道结的稳定性分析[J].物理学报.2019
[2].胡悦国,潘孟春,李裴森,陈棣湘,杜青法.磁隧道结传感器噪声自动测试系统设计[J].中国测试.2017
[3].李俊,杨阳,吴振华,杨文,李成.基于低势垒FM/I/n-Si磁隧道结的优化自旋注入效率和增强的SpinMOSFET信号[C].第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集.2017
[4].曲连华.基于自旋转移矩互补极化磁隧道结的非易失性存储单元研究[D].国防科学技术大学.2016
[5].黄婷.磁隧道结中CoFe基自旋极化薄膜的磁性及自旋特性研究[D].华中科技大学.2016
[6].关夏威.磁隧道结的垂直磁各向异性及界面磁电特性研究[D].华中科技大学.2016
[7].李磊鑫.磁隧道结中自旋转移矩效应动态特性及热稳定性的研究[D].太原理工大学.2016
[8].李磊鑫,康爱国,刘喆颉.类场STT对非共线磁隧道结动态特性的影响[J].微纳电子技术.2016
[9].郭园园,蒿建龙,薛海斌,刘喆颉.CoFeB/MgO磁隧道结的低电流密度磁矩翻转特性[J].深圳大学学报(理工版).2015
[10].刘斌.垂直磁隧道结中磁化动态特性的研究[D].太原理工大学.2015
论文知识图
![自旋电子学的发展[4]](http://image.cnki.net/GetImage.ashx?id=1012453039.nh0004&suffix=.jpg)
