导读:本文包含了层错堆垛论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:堆垛,动力学,纳米,弹性模量,电子束,分子,性能。
层错堆垛论文文献综述
郭钰,彭同华,刘春俊,杨占伟,蔡振立[1]（2019）在《4H-SiC外延层中堆垛层错与衬底缺陷的关联性研究》一文中研究指出本研究探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片表面堆垛层错(SF)的形貌特征和起因。依据表面缺陷检测设备KLA-Tencor CS920的光致发光(PL)通道和形貌通道的特点,将SF分为五类。其中I类SF在PL通道图中显示为梯形,在形貌图中不显示; II类SF在PL通道图中显示为叁角形,且与I类SF重合,在形貌图中显示为胡萝卜形貌。III-V类SF在PL通道图中均显示为叁角形,在形貌图中分别显示为胡萝卜、无对应图像或叁角形。研究结果表明,I类SF起源于衬底的基平面位错(BPD)连线,该连线平行于<1100>方向,在生长过程中沿着<1120>方向移动,形成基平面SF。II类和大部分的III-IV类SF起源于衬底的BPD,其中一个BPD在外延过程中首先转化为刃位错(TED),并在外延过程中延<0001>轴传播,其余BPD或由TED分解形成的不全位错(PDs)在(0001)面内传播形成叁角形基平面SF。其余的III-V类SF起源于衬底的TED或其它。II-III类SF在形貌通道中显示为胡萝卜,而IV类SF不显示,主要区别在于外延过程中是否有垂直于(0001)面的棱镜面SF与表面相交。上述研究说明减少衬底的BPD,对减少外延层中的SF尤为重要。(本文来源于《无机材料学报》期刊2019年07期）
王志江,梁彩云[2]（2017）在《堆垛层错对SiC纳米线吸波性能的影响机制》一文中研究指出明确材料内部缺陷与性能之间的联系有利于通过调节缺陷结构来调整材料的性能。在本研究中,采用透射电子显微镜、X射线衍射仪和X射线吸近边吸收来分析并比较了SiC纳米线在不同制备温度下的堆垛层错状态和电子结构。通过分析发现,随着制备温度从1400℃升高至1600℃,SiC纳米线中的堆垛层错含量显着降低,堆垛层错平面与纳米线的生长方向间的夹角从35°增加到90°,碳的未占据能态密度与材料内部堆垛层错的含量呈正比。研究表明,SiC纳米线的吸波性能与材料内部堆垛层错的含量密切相关。在1400℃下合成的SiC纳米线具有大量的堆垛层错和C的未占据能态密度,大量诱发的偶极子在电磁场作用下产生极化作用。这些极化作用使材料具有优异的吸波性能。(本文来源于《第叁届中国国际复合材料科技大会论文集》期刊2017-10-21）
王志江,梁彩云[3]（2017）在《堆垛层错对SiC纳米线吸波性能的影响机制》一文中研究指出明确材料内部缺陷与性能之间的联系有利于通过调节缺陷结构来调整材料的性能。在本研究中,采用透射电子显微镜、X射线衍射仪和X射线吸近边吸收来分析并比较了SiC纳米线在不同制备温度下的堆垛层错状态和电子结构。通过分析发现,随着制备温度从1400℃升高至1600℃,SiC纳米线中的堆垛层错含量显着降低,堆垛层错平面与纳米线的生长方向间的夹角从35°增加到90°,碳的未占据能态密度与材料内部堆垛层错的含量呈正比。研究表明,SiC纳米线的吸波性能与材料内部堆垛层错的含量密切相关。在1400℃下合成的SiC纳米线具有大量的堆垛层错和C的未占据能态密度,大量诱发的偶极子在电磁场作用下产生极化作用。这些极化作用使材料具有优异的吸波性能。(本文来源于《第叁届中国国际复合材料科技大会摘要集-分会场11-15》期刊2017-10-21）
汪炯,商顺利,杜勇[4]（2015）在《合金元素对Ni_3Al堆垛层错能影响的研究》一文中研究指出镍基高温合金广泛应用于航空发动机叶片和火箭发动机、核反应堆、能源转换设备上的高温零部件,其设计宗旨是:在降低成本前提下,保证合金在更高温度下具有高强度、高温蠕变抗力和疲劳寿命、以及优异的抗氧化和抗腐蚀能力。单晶和多晶Ni基高温合金主要由fcc基的γ相(Ni)和Ll_2结构的γ′相(Ni_3Al)组成。Ni基高温合金优异的高温强度主要是通过γ′相阻碍位错移动来实现。γ′相位错形变缺陷如复合堆垛层错、超晶格内禀堆垛层错和超晶格外禀堆垛层错,也是模拟γ′相位错变形及其强度和蠕变的重要参数。本工作通过第一原理计算方法,结合alias剪切变形系统地研究了Ni基高温合金中常用合金元素对γ′相位错形变缺陷如复合堆垛层错、超晶格内禀堆垛层错和超晶格外禀堆垛层错能的影响。计算得到了合金元素掺杂后的平衡体积和堆垛层错能。平衡体积与文献中报道的数据吻合的很好,堆垛层错能与绝大多数前人计算的结果和实验测量的结果吻合。从这些基础性能对Ni基高温合金的高温强度和蠕变性能等的影响出发,为解决Ni基高温合金设计领域亟需解决的科学难题提供理论和数据基础。(本文来源于《第十七届全国相图学术会议暨相图与材料设计国际研讨会会议论文集》期刊2015-11-03）
安敏荣[5]（2013）在《孪晶和堆垛层错对纳米晶金属材料力学性能影响的模拟》一文中研究指出纳米材料作为一种新型的材料,以其优异的力、电、磁、光学和化学等宏观特性以及在宇航、电子、冶金、化工、生物和医学等领域得到了全世界的广泛关注。与普通的粗晶金属相比纳米晶金属,具有许多不同的性质和优良的性能。一般情况下一种材料可以具有很好的韧性,或者很高的强度,但很难两者兼而有之,通常是材料的强度越高,韧性就越差；韧性越好,强度一般就越低。对同一种材料来说,提高其强度往往是以降低其韧性为代价。近年来的一些研究结果表明,当晶粒细化为纳米尺度后,由于塑性变形机制的不同,可以通过在纳米晶材料中保留一部分微晶,来实现高强度高韧性的结合。在变形过程中,纳米尺度的晶粒可以保证材料具有很高的强度,而微晶可以稳定金属的塑性变形。因此理解纳米晶金属的微观结构与其表现出的力学性能之间的关系,从而从微观上揭示变形机理对于设计满足一定应用要求的材料具有根本性的意义。本文采用分子动力学方法,选用EAM势函数,主要对典型的纳米晶体FCC金属(金属材料Al)的力学性能展开系统而深入的研究。具体研究内容包括：(1)首先对FCC金属Al的性能进行研究。包括研究其单晶、不同厚度孪晶、不同厚度堆垛层错对材料的影响,研究这叁种结构在不同温度时的变形行为。揭示出材料在变形过程中,位错与晶粒界面、位错与堆垛层错、位错与孪晶界面等相互作用的微观机制。(2)其次研究了裂纹对FCC金属Al孪晶性能的影响进行研究。在此过程中,研究单晶Al中加入裂纹和孪晶、以及加入不同方向裂纹(其中包括裂纹方向与共格孪晶界面CTB平行和垂直两种极限状态)时材料的变形行为。揭示出材料在变形过程中位错与晶粒界面、位错与孪晶界面、孪晶界面对裂纹钝化作用的微观机理。(本文来源于《西安邮电大学》期刊2013-04-01）
宋海洋,李玉龙[6]（2012）在《堆垛层错和温度对纳米多晶镁变形机理的影响》一文中研究指出本文采用分子动力学模拟方法研究了在拉伸载荷下,堆垛层错和温度对纳米多晶镁力学性能的影响.在模拟中,采用嵌入原子势描述镁原子之间的相互作用.计算结果表明:在纳米晶粒中引入堆垛层错能明显增强纳米多晶镁的屈服应力,但堆垛层错对纳米多晶镁杨氏模量的影响很小;温度为300.0K时,孪晶在晶粒交界附近形成,孪晶随着拉伸应变的增加而逐渐生长.当拉伸应变达到0.087时,一种基面与X-Y面成大约35°角且内部包含堆垛层错的新晶粒成核并快速增长.也就是说,孪晶和新晶粒的形成和繁殖是含堆垛层错的纳米多晶镁在300.0K温度下的主要变形机理.模拟结果也显示,当温度为10.0K时,位错的成核和滑移是含堆垛层错的纳米多晶镁拉伸变形的主要形式.(本文来源于《物理学报》期刊2012年22期）
许晟瑞,刘子扬,姜腾,林志宇,周昊[7]（2012）在《非极性a面GaN堆垛层错抑制研究》一文中研究指出常规的GaN是在极性面c面蓝宝石衬底上生长的,GaN基高电子迁移率晶体管的出色性能主要因为A1GaN/GaN异质结界面存在着高密度和高迁移率的2DEG,这层2DEG是由于异质结中较大的导带不连续性以及较强的极化效应产生的。但是这种极化效应在光电器件当中是有较大危害的,由于极化引起的内建电场的存在使能带弯曲、倾斜,能级位置发生变化,强大的极化电场还会使正负载流子在空间上分离,电子与空穴波函数的交迭变小,使材料的发光效率大大的降低,这称为量子限制斯塔克效(QCSE)。[1.2](本文来源于《第十二届全国MOCVD学术会议论文集》期刊2012-04-11）
周原,王茺,韦冬,杨宇[8]（2011）在《C~+离子注入Si晶体中堆垛层错的研究》一文中研究指出在室温下能量为60keV,剂量为3.0×1015cm-2对晶面指数为(400)的P型硅样品中进行了的C+离子注入,对样品进行了XRD和拉曼光谱测试,同时与计算注入后样品的平均晶粒尺寸进行了对比,发现样品出现明显的晶格损伤。为判定损伤的类型,进一步采用X射线小角掠入射(GIXRD)检测。实验结果表明,样品中的损伤呈现出朝同一方向扭转的趋势。我们认为晶格的扭转是由注入导致的堆垛层错引起的。(本文来源于《2011中国功能材料科技与产业高层论坛论文集（第叁卷）》期刊2011-11-16）
关庆丰,陈波,张庆瑜,董闯,邹广田[9]（2008）在《强流脉冲电子束辐照下单晶铝中的堆垛层错四面体》一文中研究指出利用强流脉冲电子束技术对单晶铝进行了辐照,并利用透射电镜对强流脉冲电子束诱发的空位簇缺陷进行分析.实验结果表明,强流脉冲电子束能够诱发位错圈、孔洞甚至堆垛层错四面体这种通常在高层错能金属中不能形成的空位簇缺陷,并且叁种不同类型的空位簇缺陷的形核过程并不同时发生,叁种空位簇缺陷存在着密切的关系.根据实验结果提出了堆垛层错四面体形成与生长机理.(本文来源于《物理学报》期刊2008年01期）
孙坚,姚强[10]（2006）在《ZrCr_2 Laves相弹性性质和堆垛层错能的第一性原理计算》一文中研究指出采用缀加平面波加局域轨道方法和广义梯度近似对立方C15结构的ZrCr2Laves相金属间化合物的弹性性质,包括弹性常数和弹性模量,以及层错能进行理论计算。结果表明:计算得到的ZrCr2Laves相的弹性性质与实验结果相近,其泊松比和弹性各向异性系数大小说明ZrCr2中原子键合的方向性并不强烈;ZrCr2Laves相的内禀和外禀层错能分别为112 mJ/m2和98 mJ/m2。并计算了层错与位错的弹性交互作用。对ZrCr2Laves相的力学特性和变形机制进行了讨论。(本文来源于《中国有色金属学报》期刊2006年07期）
层错堆垛论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
明确材料内部缺陷与性能之间的联系有利于通过调节缺陷结构来调整材料的性能。在本研究中,采用透射电子显微镜、X射线衍射仪和X射线吸近边吸收来分析并比较了SiC纳米线在不同制备温度下的堆垛层错状态和电子结构。通过分析发现,随着制备温度从1400℃升高至1600℃,SiC纳米线中的堆垛层错含量显着降低,堆垛层错平面与纳米线的生长方向间的夹角从35°增加到90°,碳的未占据能态密度与材料内部堆垛层错的含量呈正比。研究表明,SiC纳米线的吸波性能与材料内部堆垛层错的含量密切相关。在1400℃下合成的SiC纳米线具有大量的堆垛层错和C的未占据能态密度,大量诱发的偶极子在电磁场作用下产生极化作用。这些极化作用使材料具有优异的吸波性能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
层错堆垛论文参考文献
[1].郭钰,彭同华,刘春俊,杨占伟,蔡振立.4H-SiC外延层中堆垛层错与衬底缺陷的关联性研究[J].无机材料学报.2019
[2].王志江,梁彩云.堆垛层错对SiC纳米线吸波性能的影响机制[C].第叁届中国国际复合材料科技大会论文集.2017
[3].王志江,梁彩云.堆垛层错对SiC纳米线吸波性能的影响机制[C].第叁届中国国际复合材料科技大会摘要集-分会场11-15.2017
[4].汪炯,商顺利,杜勇.合金元素对Ni_3Al堆垛层错能影响的研究[C].第十七届全国相图学术会议暨相图与材料设计国际研讨会会议论文集.2015
[5].安敏荣.孪晶和堆垛层错对纳米晶金属材料力学性能影响的模拟[D].西安邮电大学.2013
[6].宋海洋,李玉龙.堆垛层错和温度对纳米多晶镁变形机理的影响[J].物理学报.2012
[7].许晟瑞,刘子扬,姜腾,林志宇,周昊.非极性a面GaN堆垛层错抑制研究[C].第十二届全国MOCVD学术会议论文集.2012
[8].周原,王茺,韦冬,杨宇.C~+离子注入Si晶体中堆垛层错的研究[C].2011中国功能材料科技与产业高层论坛论文集（第叁卷）.2011
[9].关庆丰,陈波,张庆瑜,董闯,邹广田.强流脉冲电子束辐照下单晶铝中的堆垛层错四面体[J].物理学报.2008
[10].孙坚,姚强.ZrCr_2Laves相弹性性质和堆垛层错能的第一性原理计算[J].中国有色金属学报.2006
论文知识图
