CsPbX3钙钛矿LED制备及器件稳定性研究

CsPbX3钙钛矿LED制备及器件稳定性研究

论文摘要

近年来,钙钛矿量子点因其优越的光电性能引起了广泛的关注,全无机钙钛矿量子点CsPbX3(X=Cl,Br,I)具有更好的稳定性,量子产率高、半峰宽窄、色纯度高、色域广、能耗低等优势成为新一代量子点显示技术(QLED)的核心材料。然而目前对材料表面配体及钙钛矿层薄膜等问题的研究还存在不足,量子点表面长链的配体阻碍了载流子的传输,旋涂法制备的薄膜性能较差,缺陷较多。本文通过考察量子点浓度、薄膜退火温度、表面配体数量对薄膜形貌及LED性能的影响,采用聚氧化乙烯(PEO)掺杂的方法,提高了CsPbBr3薄膜的性能,制备了红、绿、蓝LED发光器件。论文主要研究内容如下:(1)利用“热注入法”合成了CsPbX3(X=Cl,Br,I)全无机钙钛矿量子点,并通过改变卤素原子的种类及比例,使得CsPbX3(X=Cl,Br,I)量子点发光在可见光范围(400-700 nm)内可调。制备了波长分别为692 nm、516 nm、408 nm的红、绿、蓝三种全无机钙钛矿量子点LED器件,为全无机钙钛矿量子点LED在白光照明领域上的应用提供了参考。(2)考察了量子点表面配体数量、量子点浓度及退火温度等工艺参数对量子点层薄膜形貌及LED性能参数的影响。发现随着清洗次数的增加,量子点表面的配体的数量逐渐减少;随着量子点浓度的增加,LED效率先升高后降低;退火温度提高,薄膜的缺陷增多,粗糙度增加。当量子点配体清洗两次,量子点浓度为20 mg/ml,退火温度为20 ℃,钙钛矿LED表现出的性能最优。(3)利用“一步法”制备了CsPbBr3钙钛矿薄膜,通过PEO掺杂的方法优化了薄膜表面形貌,减少了表面缺陷,得到高量子产率、高致密性、低粗糙度的CsPbBr3薄膜,考察了PEO掺杂浓度对钙钛矿薄膜表面形貌及LED器件性能的影响,并从荧光强度、钙钛矿层薄膜性能、荧光寿命等方面对实验结果进行解析,发现随PEO掺杂浓度的增加,LED性能先升高后降低,原因是掺杂过后减少了薄膜表面缺陷,导致激子辐射复合率增加,而浓度过高则其导电性下降。得到优化的钙钛矿LED,其最大亮度和外量子效率分别为1223 cd/m2和0.26%,比未掺杂PEO的器件性能提升了5倍以上。

论文目录

  • 摘要
  • Abstract
  • 第1章 绪论
  •   1.1 研究背景及意义
  •   1.2 钙钛矿材料基本概述
  •     1.2.1 钙钛矿材料结构
  •     1.2.2 钙钛矿材料相转变性质
  •     1.2.3 钙钛矿材料禁带宽度调节
  •   1.3 全无机钙钛矿量子点介绍
  • 3 (X=Cl,Br,I)性能介绍'>    1.3.1 CsPbX3(X=Cl,Br,I)性能介绍
  •     1.3.2 钙钛矿材料的合成方法
  •   1.4 钙钛矿LED介绍
  •     1.4.1 钙钛矿LED结构原理
  •     1.4.2 钙钛矿LED发展历程
  •     1.4.3 钙钛矿LED当前问题
  •   1.5 本文研究内容
  • 第2章 实验设备及表征方法
  •   2.1 引言
  •   2.2 试剂、实验设备及表征
  •     2.2.1 试剂和药品
  •     2.2.2 实验设备
  •     2.2.3 实验的表征
  •   2.3 LED测试平台的搭建
  •     2.3.1 电极及掩膜版结构设计
  •     2.3.2 测试平台的设计
  •     2.3.3 LED测试参数
  •   2.4 实验用量子点合成过程
  •   2.5 本章小结
  • 第3章 热注入法合成钙钛矿量子点及LED制备与表征
  •   3.1 引言
  •   3.2 全光谱钙钛矿量子点的合成及表征
  •     3.2.1 实验方案
  •     3.2.2 钙钛矿量子点材料表征及分析
  •   3.3 钙钛矿量子点LED的制备过程
  •     3.3.1 钙钛矿LED器件结构设计
  •     3.3.2 制备工艺流程及工艺参数
  •   3.4 不同光谱量子点LED的制备及测试
  •     3.4.1 红光LED的制备及测试分析
  •     3.4.2 绿光LED的制备及测试分析
  •     3.4.3 蓝光LED的制备及测试分析
  •   3.5 本章小结
  • 第4章 钙钛矿量子点LED性能影响因素研究
  •   4.1 引言
  •   4.2 量子点浓度对LED性能的影响分析
  •   4.3 量子点退火温度的考察
  •     4.3.1 量子点退火温度对薄膜形貌的影响分析
  •     4.3.2 量子点退火温度对LED性能的影响分析
  •   4.4 量子点表面配体密度的考察
  •     4.4.1 配体清洗实验方案
  •     4.4.2 清洗次数对量子点荧光特性的影响分析
  •     4.4.3 晶体表面配体及缺陷分析
  •     4.4.4 清洗次数对量子点层薄膜形貌的影响
  •     4.4.5 清洗次数对量子点LED性能的影响
  •   4.5 本章小结
  • 3钙钛矿薄膜的制备'>第5章 PEO掺杂CsPbBr3钙钛矿薄膜的制备
  •   5.1 引言
  • 3钙钛矿薄膜的制备'>  5.2 CsPbBr3钙钛矿薄膜的制备
  • 3钙钛矿薄膜'>    5.2.1 一步法制备CsPbBr3钙钛矿薄膜
  • 3钙钛矿薄膜'>    5.2.2 PEO掺杂制备CsPbBr3钙钛矿薄膜
  •     5.2.3 两种制备方法对比
  •   5.3 PEO掺杂浓度的考察
  •     5.3.1 实验方案
  •     5.3.2 PEO掺杂浓度对薄膜性能的影响分析
  •     5.3.3 PEO掺杂浓度对LED性能的影响分析
  •     5.3.4 钙钛矿LED的稳定性分析
  •   5.4 本章小结
  • 第6章 结论与展望
  •   6.1 结论
  •   6.2 本文研究创新点
  •   6.3 展望
  • 参考文献
  • 致谢
  • 硕士期间获得的成果及奖励
  • 文章来源

    类型: 硕士论文

    作者: 张舒侣

    导师: 栾伟玲

    关键词: 全无机钙钛矿,量子点发光二极管,薄膜性能

    来源: 华东理工大学

    年度: 2019

    分类: 基础科学,信息科技

    专业: 物理学,无线电电子学,无线电电子学

    单位: 华东理工大学

    分类号: TN312.8;O471.1

    总页数: 74

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