应力调控下二维硒化锗五种同分异构体的第一性原理研究

应力调控下二维硒化锗五种同分异构体的第一性原理研究

论文摘要

采用第一性原理计算方法,研究了二维单层硒化锗(GeSe)的5种同分异构体结构的稳定性和在应力调控下的电子性质变化规律.计算结果表明:5种同分异构体结构都具有热力学稳定性; a-GeSe是直接带隙半导体, b-GeSe, g-GeSe, d-GeSe和e-GeSe都是间接带隙半导体. a-GeSe在应力调控下出现了直接到间接带隙的转变和半导体到金属性质的转变. b-GeSe和g-GeSe在应力的作用下具有可调节的间接带隙范围.当沿dGeSe双轴方向施加压缩应力为1%和4%时, d-GeSe的能带从间接带隙转变成直接带隙.通过沿e-GeSe的扶手椅形方向施加10%的拉伸应变,出现了从间接带隙到直接带隙的转变;继续增加拉伸应变到20%,能带结构一直保持直接带隙的特征,其可调范围为1.21—1.44 eV.沿d-GeSe双轴方向施加10%拉伸应变时,也出现了从间接带隙到直接带隙的转变;该直接带隙在双轴拉伸应变增加到19%前一直保持,可调范围为0.61—1.19 eV.

论文目录

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 左博敏,袁健美,冯志,毛宇亮

关键词: 第一性原理,单层,应变,电子性质

来源: 物理学报 2019年11期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 湘潭大学物理与光电工程学院,湘潭大学数学与计算科学学院

基金: 国家自然科学基金(批准号:11471280),湖南省教育厅重点项目(批准号:17A207),湖南省自然科学基金(批准号:2018JJ2130)资助的课题~~

分类号: TQ134.31

页码: 87-97

总页数: 11

文件大小: 1941K

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