导读:本文包含了准一维电子通道论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电流,声波,电子,通道,表面,量子,馈源。
准一维电子通道论文文献综述
李先义[1]（2006）在《准一维电子通道声电流输运实验用两路高稳定度馈源的设计》一文中研究指出高频表面声波(SAW)驱动下的单电子输运问题的研究对物理学的基础理论、半导体器件的进一步发展和计量学的研究具有重要意义。近年来,表面声波(SAW)通过压电效应与GaAs/AlxGa1-xAs异质结中二维电子气(2DEG)的相互作用受到越来越多的关注。本课题组致力于研发单电子输运声表面器件,以及从事探索量子化声电流平台的前沿研究工作。研究的重点为,在甚低温(0.236K)下,通过实验研究表面声波的频率和功率,源漏偏压等因素对声电电流的影响;研究准一维电子通道中不同源漏电流与分裂门负偏压的关系,以找到分裂门的钳断点电压;以及研究声表面器件叉指换能器的频率特性等。最终目标是在准一维电子通道的钳断点测量和研究声表面声波搬运电子通过准一维电子通道的声电电流,从而对准一维电子通道的声电流量子化台阶现象进行研究。为了进行上述研究,必须能够精确的控制准一维电子通道的宽度和钳断,以及精确的在2DEG上激励电流,由此我们设计研发了给分裂门加负偏压和给准一维电子通道加源漏偏压的两路高精度高稳定性馈源。本人在课题中所做的工作如下所述:(1)分析和研究了准一维电子通道声电流输运模型实验系统对两路馈源功能和性能指标的需求;(2)设计和实现了两路馈源的硬件电路;(3)设计和实现了两路馈源电路内部微处理器嵌入式软件;(4)设计了两路馈源下位机和上位机之间的通讯协议;(5)设计实现了在上位机上使用的向下位机发送程控命令的LabVIEW控制软件;(6)为提高两路馈源的输出精度对馈源做了屏蔽和校准工作;(7)在准一维电子通道量子化声电流输运实验中对馈源进行了安装和调试,并撰写了使用说明。两路高精度高稳定度馈源在进行准一维电子通道量子化声电流输运实验的中得到了很好的使用效果,在国内首次观察到了在甚低温下准一维电子通道的电导量子化现象。(本文来源于《电子科技大学》期刊2006-04-01）
康建锋,李玲,杨丽娟,高洁[2]（2005）在《准一维电子通道中声电电流的实验研究》一文中研究指出在甚低温(0.236K)下,通过实验研究了叉指换能器的频率特性以及准一维电子通道中不同源漏电流与分裂门负电位的关系,获得了分裂门的钳断电压.经观察表面声波搬运电子通过准一维电子通道的声电电流发现,声电电流可随分裂门负偏压的变化而发生振荡,作者用库仑阻塞理论对这一现象作了解释.(本文来源于《四川大学学报(自然科学版)》期刊2005年04期）
高宏雷,李玲,高洁[3]（2004）在《准一维电子通道中声电电流的理论计算》一文中研究指出表面声波在GaAs AlxGa1 -xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时 ,在通道中诱导产生声电电流 .采用WKB近似 ,计算了只有一个电子被量子阱俘获时的声电电流 ;并在此基础上 ,详细讨论了表面声波的频率和功率 ,以及门电压和源漏偏压对声电电流的影响(本文来源于《物理学报》期刊2004年10期）
高宏雷,盛钢,李玲,高洁[4]（2004）在《表面声波在一维电子通道中诱导产生的声电电流》一文中研究指出表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时,在通道中可诱导产生声电电流.根据准经典(WKB)近似,计算出一维电子通道钳断情况下的量子化声电电流,并详细讨论了源漏偏压和库仑相互作用对声电电流的影响.(本文来源于《四川大学学报(自然科学版)》期刊2004年03期）
盛钢,高宏雷,李玲,高洁[5]（2004）在《二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响》一文中研究指出表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs量子阱表面沿一维电子通道方向传播时,可诱导产生声电电流.由于GaAs/AlxGa1-xAs材料的压电效应,伴随SAW要产生一个压电运动电势.该压电势与异质结中二维电子气(2DEG)的深度有关.作者采用准经典(WKB)近似,研究了2DEG的深度对一维电子通道中声电电流量子化特性的影响.(本文来源于《四川大学学报(自然科学版)》期刊2004年03期）
盛钢[6]（2004）在《二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响》一文中研究指出高频表面声波(SAW)驱动下的单电子输运问题的研究对物理学的基础理论、半导体器件的进一步发展和计量学的研究具有重要意义。本文在已有理论模型的基础上,着重研究了二维电子气(2DEG)深度对声电电流量子化特性的影响,得到了若干创新性的结果:推广了在不考虑2DEG深度情况下参数(的定义,提出了一个函数关系作为声电电流量子化特性的分析公式,得到了求解一维薛定谔方程的数值解的程序和对量子化声电电流有益的二维电子气的最佳深度区间,计算结果与实验结果一致。这些结果对研制表面声波驱动单电子输运器件,特别是器件所需的GaAs/AlxGa1-xAs压电异质结中二维电子气的深度提供了有益的参考和指导。在前叁章中,首先介绍了半导体、异质结、二维电子气、表面声波、叉指换能器和压电效应等在该研究领域中的基本概念。接着,阐述了GaAs/AlxGa1-xAs异质结中2DEG的产生机理和准一维电子通道的形成机理。最后,综述了这一研究领域的最新进展及所采用的方法原理。在第四章中,在分析了计入和不计入屏蔽效应两种情况下SAW产生的压电运动电势和运动势之后,着重讨论了2DEG深度对声电电流量子化特性的影响。在第五章中,给出了本文研究的结论,并对这一领域的研究和应用前景进行了展望。(本文来源于《四川大学》期刊2004-04-26）
准一维电子通道论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在甚低温(0.236K)下,通过实验研究了叉指换能器的频率特性以及准一维电子通道中不同源漏电流与分裂门负电位的关系,获得了分裂门的钳断电压.经观察表面声波搬运电子通过准一维电子通道的声电电流发现,声电电流可随分裂门负偏压的变化而发生振荡,作者用库仑阻塞理论对这一现象作了解释.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
准一维电子通道论文参考文献
[1].李先义.准一维电子通道声电流输运实验用两路高稳定度馈源的设计[D].电子科技大学.2006
[2].康建锋,李玲,杨丽娟,高洁.准一维电子通道中声电电流的实验研究[J].四川大学学报(自然科学版).2005
[3].高宏雷,李玲,高洁.准一维电子通道中声电电流的理论计算[J].物理学报.2004
[4].高宏雷,盛钢,李玲,高洁.表面声波在一维电子通道中诱导产生的声电电流[J].四川大学学报(自然科学版).2004
[5].盛钢,高宏雷,李玲,高洁.二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响[J].四川大学学报(自然科学版).2004
[6].盛钢.二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响[D].四川大学.2004
论文知识图
