23~47GHz宽带BiCMOS低噪声放大器设计

23~47GHz宽带BiCMOS低噪声放大器设计

论文摘要

针对不同国家标准对5G高频段的不同频率需求,设计了一款超宽带低噪声放大器,频率覆盖23~47 GHz。采用T型电感并联峰化技术,实现对传统电感并联峰化机构的带宽扩展,在相同功耗下,带宽可大幅提升。该放大器采用0.13μm BiCMOS工艺设计实现,芯片面积0.42 mm×0.85 mm。测试结果表明,该低噪放在频率23~47 GHz范围内,增益大于22 dB,S11和S22均小于-7dB,噪声系数2.6~3.8 dB,输入1 dB压缩点大于-15 dBm,在1.2 V电源电压下,芯片整体功耗仅12 mW。

论文目录

  • 引 言
  • 1 电路设计
  •   1.1 输入级设计
  •   1.2 输出级设计
  • 2 测试结果
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 张浩,王科平,冷思明

    关键词: 宽带,毫米波,低噪声放大器

    来源: 微波学报 2019年06期

    年度: 2019

    分类: 信息科技

    专业: 无线电电子学

    单位: 中国电子科技集团公司第十四研究所,东南大学射频与光电集成电路研究所

    分类号: TN722.3

    DOI: 10.14183/j.cnki.1005-6122.201906009

    页码: 45-48

    总页数: 4

    文件大小: 615K

    下载量: 166

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