一、1982年国际固体器件会议简介（论文文献综述）
王月[1]（2015）在《我国数控机床上市公司技术并购创新绩效评价研究》文中进行了进一步梳理伴随着经济全球化和知识经济时代的到来,新技术的不断涌现、产品更新速度加快等,对企业的技术创新能力提出了更高要求。借助有效的技术并购实现技术的强强联合和优势互补,帮助企业提升技术创新能力做大做强,已成为企业实现跨越式发展的重要途径。数控机床行业作为高端装备制造业的母机,是我国发展战略性新兴产业的重要着力点,近年来随着行业的快速发展,通过技术并购实现快速发展已成为行业的关注热点之一。本文通过数控机床行业技术并购创新绩效的特征分析,探索构建技术并购创新绩效评价指标体系,针对具体并购事件展开绩效评价,发现影响并购创新绩效的重要因素以及并购过程中存在的问题,为数控机床行业技术并购提出相关建议。本文结合企业技术创新过程及本质,基于绩效评价的相关理论开展数控机床行业技术并购创新绩效评价研究,研究工作主要包括:（1）对技术并购、企业创新绩效等领域的文献进行调研,界定本研究中技术并购、创新绩效相关概念,总结分析技术并购创新绩效评价的研究现状及存在的不足;（2）基于专利和期刊文献数据,运用文本挖掘、聚类分析、专利情报分析等方法分析数控机床行业的技术现状,通过国内外龙头企业的技术对比研究,结合专家判断分析我国数控机床行业的核心技术要点;（3）分析技术并购创新绩效产生的过程及特征,从直接绩效和间接绩效两方面构建数控机床行业技术并购创新绩效评价指标体系;（4）具体围绕我国数控机床行业上市公司的8起技术并购事件展开实证研究,运用专利分析、时间序列分析、配对样本T检验、案例分析、层次分析等方法从直接绩效和间接创新绩效两个方面进行创新绩效评价,总结出不同类型技术并购创新绩效的特点,并提出提高数控机床行业技术并购创新绩效的相关建议。通过以上研究,本文得到如下两个主要结论。其一,在直接绩效方面,不同技术并购事件的表现差异明显,但跨国并购的绩效水平明显高于国内并购;在间接创新绩效方面,并购前后有显着差异,并购后整体绩效呈现不增反降趋势。剔除宏观环境和行业属性等噪声因素之后,除产品、财务绩效外,其他绩效并购前后差异不显着。其二,对于不同类型的技术并购,较之于技术相似型并购,技术互补型并购后上市公司在技术绩效方面（如专利申请数量和专利技术领域）表现更好;与产品互补型并购相比,产品相似型并购则在并购后的财务绩效方面表现更佳;同国内并购相比,短期上跨国并购对并购方股票的影响更为显着。综上所述,本文认为技术互补型、产品相似型并购可以为并购方企业带来更优的创新绩效,如果在并购后能够充分运用技术整合实现并购协同效应,可以最大限度地提高企业的创新能力。
吴菲菲[2]（2013）在《新技术跨产业转移研究》文中提出创新时代背景下，新技术不断涌现，技术转移活动不断发生，以往的技术转移研究比较多地关注了国家及地区之间的技术转移问题，特别是从国际贸易的视角讨论转移的规律和特征。而针对知识转移问题的研究，人们更多地将视角放在组织内部和组织之间，分析隐性知识显性化和知识传播扩散的模型，以及产学研之间的合作。但针对新技术跨产业转移问题的研究十分薄弱，本文在研究新技术跨产业转移问题时，提出了研究新技术跨产业转移“三阶段”思路，即通过分析新技术跨产业转移的学科基础、先导行为、关键成长因素，把握新技术跨产业转移规律性。本文采用社会网络分析、文献计量分析和专利分析等方法，阐述了科学与技术的关联性、基于文献和专利分析技术发展趋势的一致性，在此基础上提出识别新技术跨产业转移的学科基础，研究发现：新技术的跨产业转移通常以相关研究文献的学科领域转移为基础和信号，当研究该技术的文献从初始学科领域转移至新的学科领域且呈现增长态势时，预示着技术跨产业的转移应用具有了学科支撑基础，“转移方向”趋于明朗。当然，科学研究毕竟是新技术在产业内应用的早期阶段，只有科学家的努力还不足以促使技术的跨产业转移实现，还必须要有工程技术人员和企业的专利行动——先导行为。因此，本文提出了技术跨产业转移先导行为概念及针对三种不同情况的先导行为判断方法，即基于专利被引用、专利被引用潜力和基于专利权人行为的方法，应用这三种方法，发现了新技术跨产业转移先导行为的三个规律性特征，即先导行为的“完成性”、“潜在性”和“起始性”。这些规律性特征不仅有助于把握新技术跨产业转移先导行为状态，还能够识别相关应用产业的主要竞争者；不仅有助于技术未来分析，也为新兴产业的发展研究提供支撑。新技术的跨产业转移有赖于相关行动者的参与和关键成长因素的协调，针对该问题，以行动者网络（ANT）理论为基础，并利用模糊德尔菲（FDM）方法、模糊层次分析（FAHP）方法，揭示了技术跨产业转移的机理：从众多影响技术跨产业转移的因素中提炼出关键成长因素——转移能力、接受意愿、吸收能力、辨识能力、挖掘能力和政策是关键成长因素；然后应用决策实验和评估试验（DEMATEL）方法，阐述了各因素间相互影响关系；构建了关注度-认可度矩阵，阐述了关键成长因素发挥作用的现实情况，提出了具有针对性的对策。本文所研究的技术跨产业转移三个方面的规律，在时间上具有继起性，在内容上是不可或缺的。研究结论对于技术转移和产业创新政策具有重要意义，对于企业研发资源布局和竞争战略也具有价值。
张培增[3]（2013）在《液相电化学沉积类金刚石和类金刚石复合薄膜及其场发射性质研究》文中研究表明类金刚石碳（diamond-like carbon,DLC）是主要由sp3和sp2杂化碳组成的非晶亚稳态材料。DLC薄膜由于具有高硬度、高电阻率、高光学透过率、高化学稳定性和生物相容性等优异的性质,在机械、电子、生物工程、光学等领域都有广泛的应用前景,尤其是可作为真空微电子器件的场发射阴极材料,近几年DLC薄膜的场发射特性和机理研究倍受关注。利用气相沉积方法制备DLC薄膜目前已经比较成熟,但是气相制备方法一般温度比较高,设备复杂,而且难以实现掺杂和全方位沉积。与气相沉积相比,液相电化学沉积法具有低温、设备简单、实验易控制等特点,而且液相电沉积可以实现DLC薄膜的全方位沉积。近几年来,液相电化学沉积DLC薄膜已经取得了很大的进展。本论文主要研究利用液相电沉积方法制备DLC薄膜,对其进行ZnO和金属元素纳米颗粒的掺杂,并对所制备薄膜的场发射性质进行了研究,主要内容包括:1.利用简单的电化学实验装置,以平板高纯石墨电极作为阳极,电解甲醇在不同尺度的不锈钢衬底上电沉积DLC薄膜,发现对于尺度大于阳极的不锈钢衬底,DLC薄膜沉积只能在正对阳极的一面发生;而对于尺度小于阳极的不锈钢沉底,在两面能够同时电沉积DLC薄膜。Raman检测显示在不锈钢衬底两面沉积的DLC薄膜微结构高度相似,厚度分布较均匀。根据准静态电场分布理论,对在不同尺度的不锈钢沉底电化学沉积DLC薄膜的实验结果做出了解释,为在三维复杂结构衬底表面全方位沉积DLC薄膜提供了理论基础。2.常压下,在不同的外加电压下电解Zn2[C32H42N8O13]Cl4/甲醇溶液沉积ZnO纳米颗粒掺杂DLC薄膜,利用XPS、Raman、AFM和TEM等方法对薄膜的成分和形貌进行了检测,发现Zn元素掺入薄膜之后以纤锌矿结构ZnO纳米颗粒的形式存在,ZnO含量随着外加电压的升高而增加,并促进了 DLC基质的石墨化。ZnO的掺杂能够提高DLC薄膜的场发射性能。3.利用电化学沉积方法,在Si（100）衬底上制备Fe、Co、Ni金属纳米颗粒掺杂DLC薄膜。利用XPS、Raman、SEM和TEM分析证明金属元素掺入DLC薄膜形成了金属纳米颗粒,其含量和颗粒尺度随着沉积电压升高而增加;Fe纳米颗粒的掺杂造成DLC基质sp3含量增加,Co和Ni纳米颗粒掺杂则使DLC基质sp2含量增加。Fe和Co纳米颗粒掺杂能提高DLC薄膜场发射性能,Ni纳米颗粒掺杂反而会使薄膜场发射性能下降。场发射性能的改变由薄膜的表面形貌和微结构的改变共同决定。
赵晓春[4]（2007）在《跨学科研究与科研创新能力建设》文中进行了进一步梳理20世纪以来，科学发展总的趋势是综合化和整体化，跨学科研究已成为学术界乃至整个社会关注的焦点。但就目前我国跨学科研究的发展状况来看，还只是止于跨学科表象和经验的层面，更没有从跨学科的角度上，就如何提高我国科研创新能力，展开实质性的探讨和研究。本论文以跨学科研究和科研创新能力建设作为两个核心。对跨学科是通过三个方面进行研究。首先，系统阐述了学科、跨学科学科、跨学科学的含义和特征；对学科、跨学科学科的分类进行了介绍；指出了国内外跨学科学的研究状况。在理论阐述的基础上，从两个方面进行了跨学科模式研究，即跨学科学科的结构模式和发生模式；并对跨学科模式进行实证研究。最后，从计量学的角度对跨学科学科发生状况进行精密化描述。通过计量分析，从大体上反映出跨学科学科发生的整体状况与一般规律。如何将学科、跨学科学科、跨学科研究与科研创新能力建设结合起来，是本文的关键。本文从四个方面进行论述。一、当代新兴学科发展是以跨学科为主导；二、学科的发展与科研创新存在互动关系；三、从知识背景、研究领域、研究主体三个角度出发，论述了跨学科研究对科研创新的影响；四、跨学科研究对产生原创性成果的实证分析。通过四个方面的论述，系统地探讨了跨学科研究对科研创新的影响。本文共分六章。第一章是绪论，从跨学科发展特点和规律的角度上，提出跨学科研究和对科研创新的影响六个问题，以及国内外研究现状和本文的研究方法与研究线路安排。第二章首先对学科、跨学科学科、跨学科学的含义进行了界定，阐述了跨学科学科的特征，国内外对学科和跨学科的分类模式，指出我国的学科分类存在问题，介绍了我国跨学科学的状况。第三章从两个方面进行研究，一方面从学科的层级结构和交叉发生域理论出发，论述了跨学科学科的结构模式；另一方面从研究客体、研究主体和学科理论的角度出发，论述了跨学科学科发生模式。在理论论述的基础上，以蛋白质组学为案例，进行了跨学科模式的实证研究。第四章以23本学科辞典为样本，以第二章的理论为前提，筛选出一定数量的自然科学跨学科学科、人文社会科学跨学科学科和文理交叉学科；对自然科学跨学科学科、人文社会科学跨学科学科的整体的跨学科状况，内部的跨学科状况和与其他学科的跨学科状况进行了计量分析；文理交叉学科则是从相互转移的角度进行了计量研究。第五章是本文的重点，这一章将学科、跨学科学科、跨学科研究与科研创新能力建设结合起来，系统地阐述了跨学科研究对科研创新的影响。第六章是在第五章分析的基础上，指出促进跨学科科研创新的意义，并考察了美国及其他发达国家促进跨学科科研创新的举措，分析了国外促进跨学科科研创新的经验，结合国内跨学科科研创新的现状，从课题管理、组织管理、成果管理、人才培养及其管理四个方面，提出适合我国国情的促进跨学科科研创新的管理模式。最后一部分对全文的主要问题和基本观点进行概括总结，并指出有待于进一步研究的问题。纵观全文，主要有如下的创新点：1．从两个方面提出了跨学科模式。2．对跨学科学科的发生状况进行计量分析。3．从跨学科的角度研究科研创新能力建设。4．提出适合我国国情的跨学科科研创新的管理模式。
魏强[5]（2006）在《纳米定位微位移工作台的控制技术研究》文中研究表明随着微机电系统的快速发展，需要不断研究能够产生各种精细图形和微结构的加工技术。电子束曝光技术是目前公认的最好的高分辨率图形制作技术，主要用于0.1～0.5μm的超微细加工和精密二维掩模制作，在实验室条件下已能将电子束聚焦成尺寸小于2nm的束斑。但是目前广泛使用的聚焦电子束由于加速电压高、电子散射距离长，光刻时高能电子束在对抗蚀剂的刻写过程中存在着邻近效应，使得实际曝光面积远大于设计图形尺寸，影响了曝光分辨率。扫描隧道显微技术（STM）由于束径细、电子运动距离短，有效减轻了邻近效应的影响，能获得极细的刻蚀图形，可用于制作掩模，为微细加工技术提供了一条新的途径。 目前扫描隧道显微镜还没有偏转方面的研究，实现曝光只能通过工作台的移动来完成。机械位移方式由于存在着间隙、摩擦以及爬行现象等缺点，定位精度不够高，所以目前最适合于纳米级精度定位的工作台是由压电陶瓷驱动的，但是压电陶瓷材料本身所固有的迟滞非线性和蠕变特性，降低了工作台的定位精度和动态响应速度，造成了一定的位移误差。为了获得满足要求的运动精度和分辨率，需要研究压电陶瓷的迟滞非线性机理，设计相应的控制电路和控制策略。本文主要围绕微位移工作台的精确定位问题，借助于智能控制理论，对工作台的模型辨识和控制技术进行了较全面和较深入的研究，并在所建立的微位移平台上进行了实验，验证了本文所提出方法的可行性。主要工作概括如下： 1．在分析和比较目前各种微位移机构的基础上，建立了能够实现纳米级定位精度的微位移工作平台。压电陶瓷材料的尺寸小、位移分辨率高、响应速度快、而且易于控制，而柔性铰链不存在机械摩擦和间隙，具有运动灵敏度高和分辨率高的优点，因此成为本文工作台组成部件的首要选择。由压电陶瓷驱动、柔性铰链导向的微位移机构，与传统方式相比，不仅体现在能达到纳米级的定位精度上，而且易于采用相应的控制策略对其
王烈强,邵凯[6]（1989）在《1988年国际固体器件和材料会议简况》文中研究指明 1988年国际固体器件和材料会议于8月24日至26日在日本东京市举行。来自16个国家和地区的755名代表参加了会议,共宣读论文175篇。我国派出5名代表,发表了3篇论文（北京师范大学,东南大学,南京电子器件研究所各1篇）。这次会议内容涉及面非常广泛,包括了当今世界上正在研究的许多重要课题,主要内容有:MOS器件和技术,功率器件,硅工艺技术,金属化,高速器件,栅绝缘和热电子,SOI,硅异质结构,Ⅲ—Ⅴ族特性和工艺技术,光电器件,化合物半导体生长等。会议举行了四个专题报告会:高温超导薄膜性能和应用,原子尺寸器件结构和材料性能,高级硅器件工艺和性能,高级Ⅲ-Ⅴ族器件物理和性能。会议还举行了题为“高速器件低温工作”的自由讨论会,讨论气氛非常热烈,表示高速器件的低温
王烈强[7]（1989）在《0.1μm栅长低温工作MOSFET》文中研究指明 在1988年国际固体器件和材料会议上,美国IBM公司G.A.Sai-Halasz报告了0.1μm栅长NMOS FET的性能。器件在77K下最大跨导gm为940μS/μm（栅长0.07μm）和770μS/μm（栅长0.1μm）。在室温下gm分别为590μS/μm和505μ/μm。这是FET器件中最高测量值。在栅长和跨导关系测量中,在77K下当栅长小于0.1μm时明显出现速度过冲效应。
王烈强[8]（1989）在《GaAs/氟化物/Si结构的MESFET》文中认为 在1988年国际固体器件和材料会议上,日本东京工学院报导了用GaAs/（Ca,Sr）F2/CaF2/Si制作MESFET。具体过程为;Si（100）片化学清洗并在UHF容器830℃加热30分,在清洁衬底上550℃下外延生长200nm厚的CaF2,再在CaF2层上500℃下生长100nm厚的CaxSr1-xF2（x=0.5）层,然后用MBE生长GaAs层。生长时使用二次生长法（450～580℃）,即生长1.3μm厚的非掺杂缓冲层和0.2μm厚的掺Si有源层。在完成了材料生长后用通常工艺
林金庭[9]（1987）在《1987年国际MMIC和MTT会议简况》文中进行了进一步梳理 1987年6月7日至12日在美国内华达州Las Vegas市举行了微波/毫米波单片集成电路（MMIC）和微波理论与技术（MTT）的国际学术讨论会。在会议的同时还举办了有270家公司参加的微波产品展览会和微波历史展览。会议规模很大,据“Microwave Journal”报导,有7000多人参加会议。这是近几年来该学术领域规模最大的一次会议。
松川隆行,赤坂洋一,王秀春[10]（1985）在《实现4兆位DRAM的主要亚微米工艺技术》文中研究指明 1M位DRAM已经突破了器件实用化研究阶段,工艺开发的重点已逐渐转移到4M位DRAM用的工艺上。4M位DRAM确实是用超微图形而大量生产出来的最早的LSI,但要突破1微米条宽这一大关,大量的技术革新是必不可少的。 日本三菱电机公司LSI研究所,在1984年国际固体器件、材料会议（神户）和VLSI讨论会（圣迭戈）上相继发表了实现4M位DRAM的关键——几种基本图片加工的部分技术。
二、1982年国际固体器件会议简介（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、1982年国际固体器件会议简介（论文提纲范文）
（1）我国数控机床上市公司技术并购创新绩效评价研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 组织结构与主要内容 |
| 1.4 本文创新点 |
| 第2章 相关理论概述 |
| 2.1 技术并购相关理论概述 |
| 2.1.1 技术并购相关概念 |
| 2.1.2 技术并购研究现状 |
| 2.2 企业创新绩效评价相关理论概述 |
| 2.2.1 企业创新绩效概念界定 |
| 2.2.2 企业创新绩效评价研究 |
| 2.3 技术并购创新绩效相关理论概述 |
| 2.3.1 技术并购创新绩效评价研究 |
| 2.3.2 影响技术并购创新绩效的并购特征 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 我国数控机床行业技术及并购现状分析 |
| 3.1 数控机床行业技术分析 |
| 3.1.1 技术发展趋势及热点分析 |
| 3.1.2 国内外龙头企业技术对比分析 |
| 3.1.3 我国数控机床领域关键技术要点分析 |
| 3.2 数控机床行业上市公司并购现状及类型分析 |
| 3.2.1 数控机床行业上市公司并购事件分析 |
| 3.2.2 数控机床行业上市公司技术并购类型分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 数控机床行业技术并购创新绩效评价体系构建 |
| 4.1 技术并购创新绩效特征分析 |
| 4.2 技术并购创新绩效评价指标体系的构建 |
| 4.2.1 指标体系建立的原则 |
| 4.2.2 指标体系的构建 |
| 4.3 技术并购创新绩效评价指标体系权重的确定 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 数控机床行业技术并购创新绩效评价实证研究 |
| 5.1 样本选取 |
| 5.1.1 数控机床行业技术并购事件选取 |
| 5.1.2 实证研究数据来源 |
| 5.2 技术并购直接创新绩效分析 |
| 5.3 技术并购间接创新绩效分析 |
| 5.3.1 间接创新绩效时间序列分析 |
| 5.3.2 间接创新绩效T检验分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 数控机床行业技术并购相关建议 |
| 6.1 提高数控机床行业技术并购创新绩效的相关建议 |
| 6.2 数控机床行业技术并购目标选择的相关建议 |
| 6.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 |
| 致谢 |
（2）新技术跨产业转移研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景及研究意义 |
| 1.1.1 选题背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 研究现状综述 |
| 1.2.1 研究主题提取 |
| 1.2.2 研究主题分析 |
| 1.2.3 研究主题的局限性 |
| 1.2.4 研究方法的局限性 |
| 1.3 研究内容及技术路线 |
| 1.3.1 论文研究内容 |
| 1.3.2 技术路线图 |
| 1.4 研究方法及主要创新点 |
| 1.4.1 论文研究方法 |
| 1.4.2 论文主要创新点 |
| 第2章 理论基础 |
| 2.1 新兴技术、新技术及传统技术的概念辨析 |
| 2.1.1 新兴技术（emerging technologies）的内涵 |
| 2.1.2 新技术(new technologies)的概念 |
| 2.1.3 传统技术（traditional technology）概念 |
| 2.1.4 新技术的特征 |
| 2.2 技术转移与创新扩散理论 |
| 2.2.1 技术转移理论 |
| 2.2.2 创新扩散理论 |
| 2.3 行动者网络理论 |
| 2.3.l 行动者网络理论的基本思想 |
| 2.3.2 行动者网络理论的分析过程 |
| 2.3.3 行动者网络理论的研究优势 |
| 2.4 科学与技术关系理论 |
| 2.4.1 技术与科学的关联性实证研究 |
| 2.4.2 技术对科学的影响分析 |
| 2.4.3 科学对技术的影响分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 新技术跨产业转移的学科基础 |
| 3.1 基于文献与专利的技术发展研究的一致性 |
| 3.1.1 基于文献与专利信息的技术发展分析步骤 |
| 3.1.2 科学文献信息及专利数据的获取 |
| 3.1.3 科学文献信息及专利数据的分析 |
| 3.2 新知识跨学科转移是新技术跨产业转移的基础 |
| 3.2.1 研究思路 |
| 3.2.2 实证分析 |
| 3.3 新技术跨产业转移潜在方向判断方法 |
| 3.3.1 基于文献跨学科特征的技术跨产业转移分析基础 |
| 3.3.2 基于学科共现的技术跨产业转移潜在方向判断方法与步骤 |
| 3.3.3 以 MRI 为例的学科共现网络与技术跨产业转移潜在方向判断 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 新技术跨产业转移的先导行为研究 |
| 4.1 基于专利引用的新技术跨产业转移的先导行为 |
| 4.1.1 专利引用作为分析先导行为的根据与思路 |
| 4.1.2 集成电路专利引用过程图 |
| 4.1.3 集成电路技术跨产业转移分析 |
| 4.2 基于四分图模型的新技术跨产业转移的先导行为 |
| 4.2.1 基于专利的新技术知识四分图模型 |
| 4.2.2 专利四分图分析应用 |
| 4.3 基于专利权人的新技术跨产业转移先导行为研究 |
| 4.3.1 研究工作方法论 |
| 4.3.2 以燃料电池技术为例的分析 |
| 4.3.3 燃料电池技术跨产业转移动因 |
| 4.3.4 太阳能电池技术跨产业转移规律 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 新技术跨产业转移成长机理及对策 |
| 5.1 ANT 理论分析技术跨产业转移主体行为的思路 |
| 5.1.1 ANT 理论分析技术跨产业转移主体行为的可行性 |
| 5.1.2 ANT 理论分析技术跨产业转移主体行为的思路 |
| 5.2 基于 ANT 理论的新技术跨产业转移分析——以 MRI 技术为例 |
| 5.2.1 数据准备与基本分析 |
| 5.2.2 MRI 技术在医疗健康产业的行动者网络构成 |
| 5.2.3 MRI 技术向非医疗健康产业的转移 |
| 5.3 新技术跨产业转移关键成长因素分析 |
| 5.3.1 关键成长因素识别思路 |
| 5.3.2 影响技术（知识）跨产业转移的成长因素 FDM 分析过程 |
| 5.3.3 基于模糊 AHP 的成长因素权重确定 |
| 5.4 新技术跨产业转移关键成长因素的相互影响分析 |
| 5.4.1 基于 DEMATEL 方法的相互影响分析步骤 |
| 5.4.2 基于 DEMATEL 方法的相互影响分析结果 |
| 5.5 新技术跨产业转移的成长对策 |
| 5.5.1 基于关注度-认可度矩阵的关键成长因素现状分析 |
| 5.5.2 技术跨产业转移关键成长因素现状矩阵 |
| 5.5.3 技术跨产业转移的成长对策研究 |
| 5.6 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 攻读博士学位期间所发表的学术论文 |
| 攻读博士学位期间主持或参与的研究课题 |
| 攻读博士学位期间获得的奖励 |
| 致谢 |
（3）液相电化学沉积类金刚石和类金刚石复合薄膜及其场发射性质研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 类金刚石薄膜概述 |
| 1.1.1 DLC薄膜的组成和结构 |
| 1.1.2 DLC薄膜的制备和表征 |
| 1.1.2.1 DLC薄膜的制备 |
| 1.1.2.2 DLC薄膜的表征 |
| 1.1.3 DLC薄膜的性质和应用 |
| 1.2 电化学沉积DLC薄膜研究进展 |
| 1.2.1 引言 |
| 1.2.2 液相电化学沉积DLC薄膜实验装置的改进 |
| 1.2.3 液相电化学沉积DLC薄膜实验原理的发展 |
| 1.2.4 液相电化学沉积DLC薄膜实验的发展方向 |
| 1.3 论文选题依据和研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 场发射研究 |
| 2.1 场发射研究进展 |
| 2.1.1 真空微电子学发展与应用 |
| 2.1.2 场发射阴极材料的发展 |
| 2.2 场发射理论研究 |
| 2.2.1 场发射理论模型 |
| 2.2.2 场发射曲线的弯曲 |
| 参考文献 |
| 第三章 不同尺度不锈钢衬底表面电化学沉积DLC薄膜 |
| 3.1 不同尺度平面不锈钢衬底上全方位电化学沉积DLC薄膜制备 |
| 3.1.1 实验装置、原料及仪器 |
| 3.1.2 衬底预处理 |
| 3.1.3 实验现象 |
| 3.2 DLC薄膜的表征 |
| 3.2.1 DLC薄膜的表征方法 |
| 3.2.2 液相电化学沉积DLC薄膜结构分析 |
| 3.3 不锈钢衬底表面DLC薄膜的电化学沉积机理 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 电化学制备ZnO-DLC薄膜及其场发射性能研究 |
| 4.1 电化学制备ZnO纳米颗粒掺杂类金刚石薄膜 |
| 4.1.1 实验装置、原料及仪器 |
| 4.1.2 实验现象 |
| 4.2 ZnO纳米颗粒掺杂DLC薄膜的表征 |
| 4.3 ZnO纳米颗粒掺杂类金刚石薄膜的电化学制备机理 |
| 4.4 电化学沉积类金刚石薄膜场发射性质研究 |
| 4.4.1 场发射测试装置 |
| 4.4.2 场发射测试结果 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章电化学沉积Me-DLC复合薄膜及其场发射性能的研究 |
| 5.1 Me-DLC复合薄膜的制备 |
| 5.1.1 实验部分 |
| 5.1.2 实验现象 |
| 5.2 电化学沉积Me-DLC薄膜的表征 |
| 5.3 电化学沉积金属纳米颗粒掺杂DLC薄膜沉积机理 |
| 5.4 电化学沉积Me-DLC薄膜场发射性质能检测 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 结语 |
| 6.1 本论文主要研究内容与结论 |
| 6.2 液相电化学制备DLC薄膜的发展趋势 |
| 在学期间的研究成果 |
| 致谢 |
（4）跨学科研究与科研创新能力建设（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 问题的提出 |
| 1.1.1 问题的意义 |
| 1.1.2 问题的设定 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.3 研究方法与研究路线安排 |
| 1.3.1 对跨学科学科群的研究方法 |
| 1.3.2 对跨学科科研创新的研究方法 |
| 1.3.3 研究线路安排 |
| 第2章 学科、跨学科学科、跨学科学 |
| 2.1 什么是学科 |
| 2.1.1 学科的定义及其特征 |
| 2.1.2 学科的两大系统 |
| 2.1.3 学科系统的转换 |
| 2.2 跨学科学科的内涵和特征 |
| 2.2.1 跨学科概念的源起 |
| 2.2.2 跨学科学科概念的界定 |
| 2.2.3 跨学科学科的特征 |
| 2.3 学科、跨学科学科分类研究 |
| 2.3.1 学科分类思想的历史回顾 |
| 2.3.2 当代学科分类模式 |
| 2.3.3 跨学科学科分类模式 |
| 2.4 跨学科学的内涵和研究状况 |
| 2.4.1 跨学科学的内涵 |
| 2.4.2 跨学科学的研究状况 |
| 第3章 跨学科模式研究 |
| 3.1 跨学科学科的结构模式研究 |
| 3.1.1 现代学科的层级结构及交叉发生域理论 |
| 3.1.2 非全域跨学科模式分析 |
| 3.2 跨学科学科的发生模式研究 |
| 3.2.1 学科的创生与演化分析 |
| 3.2.2 研究客体的跨学科 |
| 3.2.3 研究主体的跨学科 |
| 3.2.4 学科理论的跨学科 |
| 3.3 跨学科模式实证研究——以蛋白质组学为例 |
| 3.3.1 蛋白质组学的研究客体跨学科分析 |
| 3.3.2 蛋白质组学的研究主体的跨学科分析 |
| 3.3.3 蛋白质组学的学科理论的跨学科分析 |
| 第4章 跨学科学科发生状况计量分析 |
| 4.1 计量分析的样本选择和统计 |
| 4.1.1 样本的选择 |
| 4.1.2 跨学科学科的数量统计 |
| 4.2 自然科学部类跨学科学科发生状况的计量分析 |
| 4.2.1 自然科学部类跨学科学科发生状况的总体分析 |
| 4.2.2 自然科学部类内部跨学科学科发生状况的分析 |
| 4.2.3 自然科学部类与其它学科部类的跨学科发生状况分析 |
| 4.3 人文社会科学部类跨学科学科发生状况的计量分析 |
| 4.3.1 人文社会科学部类跨学科学科发生状况的总体分析 |
| 4.3.2 人文社会科学部类内部跨学科学科发生状况的分析 |
| 4.3.3 人文社会科学部类与其它学科部类的跨学科发生状况分析 |
| 4.4 文理交叉学科发生状况的计量分析 |
| 4.4.1 人文社会科学向自然科学跨学科计量分析 |
| 4.4.2 自然科学向人文社会科学跨学科计量分析 |
| 第5章 跨学科与科研创新 |
| 5.1 科研创新能力的基本理论 |
| 5.1.1 科研创新能力概述 |
| 5.1.2 科研创新的行为主体及其相互关系 |
| 5.2 跨学科研究的理论概述 |
| 5.2.1 跨学科研究的特征 |
| 5.2.2 跨学科研究的方法 |
| 5.3 跨学科学科与科研创新关系 |
| 5.3.1 当代新兴学科演化是以跨学科为主导 |
| 5.3.2 学科的发展与科研创新存在互动关系 |
| 5.4 跨学科研究对科研创新的影响 |
| 5.4.1 知识背景的跨学科特性分析 |
| 5.4.2 研究领域跨学科方法应用 |
| 5.4.3 研究主体跨学科集体协作 |
| 5.4.4 跨学科研究对产生原创性成果规律的实证分析 |
| 第6章 推动跨学科科研创新能力建设的探索 |
| 6.1 推动跨学科科研创新能力的意义 |
| 6.1.1 跨学科研究是产生新领域新观念的主要途径 |
| 6.1.2 跨学科研究是产生原始创新的主要途径 |
| 6.2 推动跨学科研究的国际借鉴 |
| 6.2.1 美国推动跨学科研究的战略思想 |
| 6.2.2 美国对跨学科研究资助的状况 |
| 6.2.3 美国大学推动跨学科研究的举措 |
| 6.2.4 美国跨学科研究现状的计量分析 |
| 6.2.5 发达国家跨学科研究机构的案例简介 |
| 6.3 我国跨学科研究的现状 |
| 6.3.1 我国跨学科研究活动的总体现状 |
| 6.3.2 我国跨学科研究的主要模式 |
| 6.3.3 我国部分高校教师学科背景和研究论文跨学科计量分析 |
| 6.3.4 中国的跨学科教育状况 |
| 6.4 促进跨学科科研创新能力建设的管理 |
| 6.4.1 跨学科研究的课题管理 |
| 6.4.2 跨学科研究的组织管理 |
| 6.4.3 跨学科研究的评价管理 |
| 6.4.4 跨学科研究的人才培养及其管理 |
| 总结与展望 |
| 一、总结 |
| 二、展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 自然科学跨学科学科目录 |
| 人文社会科学跨学科学科目录 |
| 医学科学跨学科学科目录 |
| 工程与技术科学跨学科学科目录 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
（5）纳米定位微位移工作台的控制技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 缩略词注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 微机电系统和微细加工技术 |
| 1.1.1 微机电系统 |
| 1.1.2 微细加工技术 |
| 1.1.3 纳米技术及其发展 |
| 1.2 微位移工作台 |
| 1.2.1 微位移机构 |
| 1.2.2 微位移测量装置 |
| 1.2.3 微位移工作台的控制系统 |
| 1.3 本论文研究内容和体系 |
| 1.3.1 论文研究的目的和意义 |
| 1.3.2 论文的主要工作与技术创新点 |
| 1.3.3 论文的内容体系 |
| 第二章 微位移工作台的结构设计和分析 |
| 2.1 压电陶瓷驱动器 |
| 2.1.1 电畴理论 |
| 2.1.2 压电/电致伸缩效应 |
| 2.1.3 压电陶瓷驱动器的典型结构 |
| 2.1.4 压电陶瓷驱动器的特性 |
| 2.2 柔性铰链 |
| 2.2.1 柔性铰链的种类和特点 |
| 2.2.2 柔性铰链的力学模型和解析法分析 |
| 2.2.3 柔性铰链的精度分析 |
| 2.2.4 微位移驱动器和柔性铰链的机电耦合特性 |
| 2.3 微位移传感器 |
| 2.4 微位移工作台的实验设计和分析 |
| 2.4.1 工作平台的设计和选择 |
| 2.4.2 微位移工作台的特性和分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 微位移工作台的神经网络辨识方法和应用 |
| 3.1 系统辨识基本概念 |
| 3.1.1 数学模型建立方法 |
| 3.1.2 辨识的定义 |
| 3.1.3 辨识原理 |
| 3.1.4 误差准则 |
| 3.1.5 辨识的主要步骤 |
| 3.2 神经网络理论 |
| 3.2.1 人工神经元模型 |
| 3.2.2 神经网络的分类和拓扑结构 |
| 3.2.3 神经网络的学习规则 |
| 3.2.4 神经网络的特性 |
| 3.3 神经网络辨识理论 |
| 3.3.1 神经网络辨识结构 |
| 3.3.2 神经网络辨识的可行性 |
| 3.3.3 神经网络辨识的收敛性 |
| 3.3.4 神经网络辨识的特点 |
| 3.4 微位移工作台的神经网络辨识 |
| 3.4.1 前馈静态BP网络辨识方法 |
| 3.4.2 BP静态前馈网络用于微位移工作台的辨识 |
| 3.4.3 结果与分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 微位移工作台的神经网络自适应控制 |
| 4.1 传统PID控制 |
| 4.1.1 传统 PID控制器原理 |
| 4.1.2 传统 PID控制器的算法 |
| 4.2 自适应 PID控制 |
| 4.2.1 自适应控制的概念 |
| 4.2.2 自适应控制系统的主要类型 |
| 4.2.3 参数自校正 PID控制器 |
| 4.3 神经网络自适应控制 |
| 4.3.1 神经网络自适应控制方法 |
| 4.3.2 基于静态 BP网络的自适应 PID控制 |
| 4.3.3 基于动态递归神经网络的自适应 PID控制 |
| 4.4 实验与分析 |
| 4.4.1 参数自校正 PID控制 |
| 4.4.2 基于静态 BP网络的自校正PID控制 |
| 4.4.3 基于动态递归神经网络的自适应 PID控制 |
| 4.4.4 实验结果分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 基于遗传算法的微位移工作台控制技术 |
| 5.1 遗传算法理论 |
| 5.1.1 遗传算法的基本概念和基本操作 |
| 5.1.2 遗传算法的理论基础 |
| 5.1.3 基本遗传算法 |
| 5.1.4 遗传算法的实现方法和步骤 |
| 5.1.5 遗传算法的特点 |
| 5.2 神经网络的遗传算法优化 |
| 5.2.1 神经网络结构的优化 |
| 5.2.2 神经网络权值的优化 |
| 5.2.3 神经网络学习规则的优化 |
| 5.2.4 神经网络结构和权值的同时优化 |
| 5.3 微位移工作台的遗传神经网络建模与控制 |
| 5.3.1 微位移工作台的遗传神经网络建模方法 |
| 5.3.2 结果与分析 |
| 5.3.3 微位移工作台的遗传神经网络控制方法 |
| 5.3.4 结果与分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间完成的论文及参加的科研工作 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
四、1982年国际固体器件会议简介（论文参考文献）
- [1]我国数控机床上市公司技术并购创新绩效评价研究[D]. 王月. 北京理工大学, 2015(06)
- [2]新技术跨产业转移研究[D]. 吴菲菲. 北京工业大学, 2013(12)
- [3]液相电化学沉积类金刚石和类金刚石复合薄膜及其场发射性质研究[D]. 张培增. 兰州大学, 2013(07)
- [4]跨学科研究与科研创新能力建设[D]. 赵晓春. 中国科学技术大学, 2007(03)
- [5]纳米定位微位移工作台的控制技术研究[D]. 魏强. 山东大学, 2006(05)
- [6]1988年国际固体器件和材料会议简况[J]. 王烈强,邵凯. 固体电子学研究与进展, 1989(01)
- [7]0.1μm栅长低温工作MOSFET[J]. 王烈强. 固体电子学研究与进展, 1989(01)
- [8]GaAs/氟化物/Si结构的MESFET[J]. 王烈强. 固体电子学研究与进展, 1989(01)
- [9]1987年国际MMIC和MTT会议简况[J]. 林金庭. 固体电子学研究与进展, 1987(04)
- [10]实现4兆位DRAM的主要亚微米工艺技术[J]. 松川隆行,赤坂洋一,王秀春. 微电子学, 1985(06)