论文摘要
通过单晶提拉法生长了一系列不同Hf4+（2, 4, 6, 8 mol%）离子浓度的Hf:Ce:Fe:LiNbO3晶体。为了研究不同Hf4+离子掺杂浓度对Hf:Ce:Fe:LiNbO3晶体居里温度和抗光损伤能力的影响,采用差热分析仪测量出Hf:Ce:Fe:LiNbO3晶体差热分析曲线并且分析了晶体的居里温度变化,用光斑畸变法测量了晶体的抗光损伤能力。测试结果表明:当Hf4+离子掺杂量4 mol%时居里温度提高了20℃并且达到最大值1 224℃。随着晶体中Hf4+离子浓度的增加,晶体的抗光损伤能力提高。掺杂Hf4+（8 mol%）离子浓度Hf:Ce:Fe:LiNbO3晶体抗光损伤能力比掺杂Hf4+（2 mol%）离子浓度Hf:Ce:Fe:LiNbO3晶体提高了两个数量级。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 谭超,代丽,韩县博,邵瑀
关键词: 铪铈铁铌酸锂晶体,居里温度,抗光损伤能力
来源: 哈尔滨理工大学学报 2019年05期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑
专业: 化学
单位: 哈尔滨理工大学理学院
基金: 国家自然科学基金青年基金(51301055),黑龙江省自然科学基金(QC2015061)
分类号: O782.5
DOI: 10.15938/j.jhust.2019.05.022
页码: 134-137
总页数: 4
文件大小: 536K
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标签：铪铈铁铌酸锂晶体论文; 居里温度论文; 抗光损伤能力论文;