生长温度对In0.5Ga0.5As/GaAs量子点尺寸的影响

生长温度对In0.5Ga0.5As/GaAs量子点尺寸的影响

论文摘要

采用分子束外延(MBE)技术制备In0.5Ga0.5As/GaAs量子点,利用扫描隧道显微镜(STM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征分析.研究表明量子点密度随温度升高先增大后减小,其尺寸随温度的升高而增大.另外,量子点以S-K模式生长并受Ostwald熟化机制影响,其尺寸增大所需的能量来自应变能和温度提供的能量,高温条件下表面原子的解吸附作用会限制量子点的生长.

论文目录

  • 1 引 言
  • 2 实 验
  • 3 结果与讨论
  •   3.1 不同温度对In0.5Ga0.5As/GaAs量子点的形貌影响
  •   3.2 温度对量子点生长影响的物理分析
  •     3.2.1 热力学模型
  •     3.2.2 动力学模型
  • 4 结 论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 马明明,杨晓珊,郭祥,王一,汤佳伟,张之桓,许筱晓,丁召

    关键词: 量子点

    来源: 原子与分子物理学报 2019年01期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,信息科技

    专业: 物理学,无线电电子学

    单位: 贵州大学大数据与信息工程学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室

    基金: 国家自然科学基金(61564002,11664005,61604046),贵州省科学技术基金(黔科合J字[2014]2046号,黔科合LH字[2016]7436号),贵州省教育厅自然科学基金(黔教合KY字(2014)265号)

    分类号: O471.1

    页码: 103-108

    总页数: 6

    文件大小: 1346K

    下载量: 104

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